2017年全国电子竞赛设计报告(A题).pdf
标签： 电子竞赛
上传时间： 2021-12-14
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专辑类-实用电子技术专辑-385册-3.609G jk-b交通信号控制机原理图-1.3M.zip
上传时间： 2013-08-02
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专辑类-电子基础类专辑-153册-2.20G 21世纪大学新型参考教材系列-集成电路B-荒井-159页-2.8M.pdf
上传时间： 2013-05-16
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本书主要阐述设计射频与微波功率放大器所需的理论、方法、设计技巧，以及将分析计算与计算机辅助设计相结合的优化设计方法。这些方法提高了设计效率，缩短了设计周期。本书内容覆盖非线性电路设计方法、非线性主动设备建模、阻抗匹配、功率合成器、阻抗变换器、定向耦合器、高效率的功率放大器设计、宽带功率放大器及通信系统中的功率放大器设计。 本书适合从事射频与微波动功率放大器设计的工程师、研究人员及高校相关专业的师生阅读。 作者简介 Andrei Grebennikov是M／A—COM TYCO电子部门首席理论设计工程师，他曾经任教于澳大利亚Linz大学、新加坡微电子学院、莫斯科通信和信息技术大学。他目前正在讲授研究班课程，在该班上，本书作为国际微波年会论文集。 目录 第1章 双口网络参数 1.1 传统的网络参数 1.2 散射参数 1.3 双口网络参数间转换 1.4 双口网络的互相连接 1.5 实际的双口电路 1.5.1 单元件网络 1.5.2 π形和T形网络 1.6 具有公共端口的三口网络 1.7 传输线 参考文献 第2章 非线性电路设计方法 2.1 频域分析 2.1.1 三角恒等式法 2.1.2 分段线性近似法 2.1.3 贝塞尔函数法 2.2 时域分析 2.3 NewtOn.Raphscm算法 2.4 准线性法 2.5 谐波平衡法 参考文献 第3章 非线性有源器件模型 3.1 功率MOSFET管 3.1.1 小信号等效电路 3.1.2 等效电路元件的确定 3.1.3 非线性I—V模型 3.1.4 非线性C.V模型 3.1.5 电荷守恒 3.1.6 栅一源电阻 3.1.7 温度依赖性 3.2 GaAs MESFET和HEMT管 3.2.1 小信号等效电路 3.2.2 等效电路元件的确定 3.2.3 CIJrtice平方非线性模型 3.2.4 Curtice.Ettenberg立方非线性模型 3.2.5 Materka—Kacprzak非线性模型 3.2.6 Raytheon(Statz等)非线性模型 3.2.7 rrriQuint非线性模型 3.2.8 Chalmers(Angek)v)非线性模型 3.2.9 IAF(Bemth)非线性模型 3.2.10 模型选择 3.3 BJT和HBT汀管 3.3.1 小信号等效电路 3.3.2 等效电路中元件的确定 3.3.3 本征z形电路与T形电路拓扑之间的等效互换 3.3.4 非线性双极器件模型 参考文献 第4章 阻抗匹配 4.1 主要原理 4.2 Smith圆图 4.3 集中参数的匹配 4.3.1 双极UHF功率放大器 4.3.2 M0SFET VHF高功率放大器 4.4 使用传输线匹配 4.4.1 窄带功率放大器设计 4.4.2 宽带高功率放大器设计 4.5 传输线类型 4.5.1 同轴线 4.5.2 带状线 4.5.3 微带线 4.5.4 槽线 4.5.5 共面波导 参考文献 第5章 功率合成器、阻抗变换器和定向耦合器 5.1 基本特性 5.2 三口网络 5.3 四口网络 5.4 同轴电缆变换器和合成器 5.5 wilkinson功率分配器 5.6 微波混合桥 5.7 耦合线定向耦合器 参考文献 第6章 功率放大器设计基础 6.1 主要特性 6.2 增益和稳定性 6.3 稳定电路技术 6.3.1 BJT潜在不稳定的频域 6.3.2 MOSFET潜在不稳定的频域 6.3.3 一些稳定电路的例子 6.4 线性度 6.5 基本的工作类别：A、AB、B和C类 6.6 直流偏置 6.7 推挽放大器 6.8 RF和微波功率放大器的实际外形 参考文献 第7章 高效率功率放大器设计 7.1 B类过激励 7.2 F类电路设计 7.3 逆F类 7.4 具有并联电容的E类 7.5 具有并联电路的E类 7.6 具有传输线的E类 7.7 宽带E类电路设计 7.8 实际的高效率RF和微波功率放大器 参考文献 第8章 宽带功率放大器 8.1 Bode—Fan0准则 8.2 具有集中元件的匹配网络 8.3 使用混合集中和分布元件的匹配网络 8.4 具有传输线的匹配网络 8.5 有耗匹配网络 8.6 实际设计一瞥 参考文献 第9章 通信系统中的功率放大器设计 9.1 Kahn包络分离和恢复技术 9.2 包络跟踪 9.3 异相功率放大器 9.4 Doherty功率放大器方案 9.5 开关模式和双途径功率放大器 9.6 前馈线性化技术 9.7 预失真线性化技术 9.8 手持机应用的单片cMOS和HBT功率放大器 参考文献
上传时间： 2013-04-24
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随着电子技术和EDA技术的发展,大规模可编程逻辑器件PLD(Programmable Logic Device)、现场可编程门阵列FPGA(Field Programmable Gates Array)完全可以取代大规模集成电路芯片,实现计算机可编程接口芯片的功能,并可将若干接口电路的功能集成到一片PLD或FPGA中.基于大规模PLD或FPGA的计算机接口电路不仅具有集成度高、体积小和功耗低等优点,而且还具有独特的用户可编程能力,从而实现计算机系统的功能重构.该课题以Altera公司FPGA(FLEX10K)系列产品为载体,在MAX+PLUSⅡ开发环境下采用VHDL语言,设计并实现了计算机可编程并行接芯片8255的功能.设计采用VHDL的结构描述风格,依据芯片功能将系统划分为内核和外围逻辑两大模块,其中内核模块又分为RORT A、RORT B、OROT C和Control模块,每个底层模块采用RTL(Registers Transfer Language)级描述,整体生成采用MAX+PLUSⅡ的图形输入法.通过波形仿真、下载芯片的测试,完成了计算机可编程并行接芯片8255的功能.
上传时间： 2013-06-08
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基于模拟电子技术课程设计是电类专业学生重要实践环节的目的，通过介绍模拟电子系统的设计思路，结合音频信号发生器的设计实例，基于虚拟实验平台进行设计及仿真，得到了振荡器起振及等幅振荡过程的正确结果。使学生能够巩固和运用在《模拟电子技术》中所学的理论知识和实验技能，基本掌握常用模拟电路的一般设计方法，通过动脑动手解决实际问题，提高设计能力和动手能力，拓宽学生知识面，为后续课程、各类电子竞赛，毕业设计乃至毕业后的工作打下良好的基础。
上传时间： 2013-10-16
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电路板级的电磁兼容设计:本应用文档从元件选择、电路设计和印制电路板的布线等几个方面讨论了电路板级的电磁兼容性（EMC）设计。本文从以下几个部分进行论述：第一部分：电磁兼容性的概述第二部分：元件选择和电路设计技术第三部分：印制电路板的布线技术附录A：电磁兼容性的术语附录B：抗干扰的测量标准第一部分 — 电磁干扰和兼容性的概述电磁干扰是现代电路工业面对的一个主要问题。为了克服干扰，电路设计者不得不移走干扰源，或设法保护电路不受干扰。其目的都是为了使电路按照预期的目标来工作——即达到电磁兼容性。通常，仅仅实现板级的电磁兼容性这还不够。虽然电路是在板级工作的，但是它会对系统的其它部分辐射出噪声，从而产生系统级的问题。另外，系统级或是设备级的电磁兼容性必须要满足某种辐射标准，这样才不会影响其他设备或装置的正常工作。许多发达国家对电子设备和仪器有严格的电磁兼容性标准；为了适应这个要求，设计者必须从板级设计开始就考虑抑制电子干扰。
上传时间： 2013-10-12
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电子、电气产品的设计，必须保证在一定的电磁环境中能正常工作，既满足标准规定的抗干扰极限值要求，在受到一定的电磁干扰时，无性能降级或故障；又要满足标准规定的电磁辐射极限值的要求，对电磁环境不构成污染。所以，产品设计之初，就要从分析产品预期的电磁环境、干扰源、耦合途径和敏感部件入手，采用相应的技术措施，抑制干扰源、切断或削弱耦合途径，增强敏感部件的抗干扰能力等。文中详细介绍了一款485通讯隔离产品从辐射超标到顺利通过FCC CLASS B认证，在原理设计、PCB制板等多方面所做的各项改进措施。文中所提到的方法及规则，对产品EMC设计具有很大的参考及指导意义。
上传时间： 2013-10-24
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一、课程性质和任务 1．课程性质 《单片机课程设计》是电气、电子、机电、数控、制冷等大类专业重要的综合性基础性实践教学课程。 2．课程任务 通过《单片机课程设计》，结合已学课程“数字电子技术”、“电机与拖动”等相关教学内容，，使学生具备初步的单片机硬件设计、软件开发能力。
上传时间： 2013-11-01
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安规设计注意事项1. 件选用(1) 在件选用方面,要求掌握:a .安规件有哪些?(见三.安规件介绍)b.安规件要求安规件的要求就是要取得安规机构的认证或是符合相关安规标准;c.安规件额定值任何件均必须依 MANUFACTURE 规定的额定值使用;I 额定电压;II 额定电;III 温额定值;(2). 件的温升限制a. 一般电子件: 依件规格之额定温值,决定其温上限b. 线圈类: 依其绝缘系统耐温决定Class A ΔT≦75℃Class E ΔT≦90℃Class B ΔT≦95℃Class F ΔT≦115℃Class H ΔT≦140℃c. 人造橡胶或PVC 被覆之线材及电源线类:有标示耐温值 T 者ΔT≦(T-25)℃无标示耐温值 T 者ΔT≦50℃d. Bobbin 类: 无一定值,但须做125℃球压测试;e. 端子类: ΔT≦60℃f. 温升限值I. 如果有规定待测物的耐温值(Tmax),则:ΔT≦Tmax-TmraII. 如果有规定待测物的温升限值(ΔTmax),则:ΔT≦ΔTmax+25-Tmra其中 Tmra=制造商所规定的设备允许操作室温或是25℃
上传时间： 2013-10-14
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