📚 场效晶体管技术资料

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📚 场效晶体管全部资料 (978个)

低噪声放大器是接收机中最重要的模块之一，文中采用了低噪声、较高关联增益、PHEMT技术设计的ATF-35176晶体管，设计了一种应用于5.5~6.5 GHz频段的低噪声放大器。为了获得较高的增益，该电...

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提出了一种基于gm /ID方法设计的可变增益放大器。设计基于SMIC90nmCMOS工艺模型，可变增益放大器由一个固定增益级、两个可变增益级和一个增益控制器构成。固定增益级对输入信号预放大，以增加VG...

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利用pHEMT工艺设计了一个2~4 GHz宽带微波单片低噪声放大器电路。本设计中采用了具有低噪声、较高关联增益、pHEMT技术设计的ATF-54143晶体管，电路采用二级级联放大的结构形式，利用微带电...

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一、 尺寸：长63mmX宽48mmX高16mm 二、 主要芯片：FR1205(NMOS) 三、 输入控制电压：直流5V 输出控制电压12V~55V，电流为44A 四、串口下载程序 五、 特点： 1、输...

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基于ADS软件，选取合适的静态直流工作点，采用负载牵引法得到LDMOS晶体管BLF7G22L130的输出和输入阻抗特性，并通过设计和优化得到最佳的共轭匹配网络，设计出高效率功率放大器。ADS设计仿真表...

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介绍了一种横向Ka波段宽带波导-微带探针过渡的设计，基于有限元场分析软件Ansoft HFSS对该类过渡的设计方法进行了研究。最后给出了Ka波段内的优化数据。仿真结果表明，该宽带波导-微带探针过渡在2...

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