📚 场效应管技术资料

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场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型:结型场效应管(junctionFET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管(metal-oxidesemiconductorFET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

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对电压测量电路的基本要求是其应具有高输入阻抗,文章设计了几种实用的电压测量电路,即场效应管差分式电路、高阻型集成运放构成的电路、高稳定度与高增益集成运放构成的电路。这些电压测量电路具有很高的输入阻抗,因而可有效地减小测量误差,提高准确度。 ...

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常用元件汇总,包括:1N系列二极管、74系列、4000与4500、变容二极管参数、常用二极管、常用芯片、场效应管性能、光电器件、横流二极管、快恢复二极管、三极管等...

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