Motorola-集成电路应用技术丛书-TMOS功率场效应晶体管原理及应用-292页-9.9M.pdf
专辑类-单片机专辑-258册-4.20G Motorola-集成电路应用技术丛书-TMOS功率场效应晶体管原理及应用-292页-9.9M.pdf...
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阐述了一种氟离子敏场效应晶体管(FISFET) 型传感器的结构和工作原理。它是在pH2ISFET传感器的基础上用PVC 方法把离子敏场效应晶体管和氟化物敏感膜相结合,制成氟离子敏场效应晶体管。该传感器...
本文报道了一种测定克咳敏的新方法,用硅钨酸作为电活性物质,将离子敏感场效应晶体管与药物敏感膜相结合,制成药物敏感场效应晶体管传感器,测定克咳敏的线性范围为5. 0 ×10 - 2~5. 0 ×10 -...
得益于氮化镓材料的诸多特性,氮化镓场效应晶体管(GaN-FET)的性能要比目前最好的商用硅MOSFET更高。 该PPT以连续导电模式(CCM)的图腾柱无桥PFC为例,介绍了GaN-FET的特性和应用。...