场效应晶
共 64 篇文章
场效应晶 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 64 篇文章，持续更新中。
功率场效应晶体管(MOSFET)原理
功率场效应晶体管(MOSFET)原理对初学功率场效应晶体管很有用
氟离子敏场效应管的研制
阐述了一种氟离子敏场效应晶体管(FISFET) 型传感器的结构和工作原理。它是在pH2ISFET传感器的基础上用PVC 方法把离子敏场效应晶体管和氟化物敏感膜相结合,制成氟离子敏场效应晶体管。该传感器
基于ISFET 的克咳敏传感器的研究
本文报道了一种测定克咳敏的新方法,用硅钨酸作为电活性物质,将离子敏感场效应晶体管与药物敏感膜相结合,制成药物敏感场效应晶体管传感器,测定克咳敏的线性范围为5. 0 ×10 - 2～5. 0 ×10 -
场效应管基础知识
Field Effect Transistor的缩写,即为场效应晶体管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导
服务器的冗余电源技术
冗余电源是高可用系统中关键的部分。在最简单的解决方案中，两只电源可以利用二极管来通过或门输出以驱动负载。这样，这两只电源既可以共同工作，也可以一只工作，一只备用。场效应晶体管(FET) ORing 控
VMOS功率场效应晶体管及其应用-225页-3.2M.pdf
专辑类-器件数据手册专辑-120册-2.15G VMOS功率场效应晶体管及其应用-225页-3.2M.pdf
Motorola-集成电路应用技术丛书-TMOS功率场效应晶体管原理及应用-292页-9.9M.rar
tyw 专辑类----单片机专辑 Motorola-集成电路应用技术丛书-TMOS功率场效应晶体管原理及应用-292页-9.9M.rar
VMOS功率场效应晶体管及其应用-225页-3.2M.pdf
专辑类-实用电子技术专辑-385册-3.609G VMOS功率场效应晶体管及其应用-225页-3.2M.pdf
Tmos功率场效应晶体管原理和应用-292页-9.9M.pdf
专辑类-器件数据手册专辑-120册-2.15G Tmos功率场效应晶体管原理和应用-292页-9.9M.pdf
Motorola-集成电路应用技术丛书-TMOS功率场效应晶体管原理及应用-292页-9.9M.pdf
专辑类-单片机专辑-258册-4.20G Motorola-集成电路应用技术丛书-TMOS功率场效应晶体管原理及应用-292页-9.9M.pdf
模拟电路版图的艺术中文第二版-555页-73.8M.pdf
作者Alan Hastings具有渊博的集成电路版图设计知识和丰富的实践经验。本书以实用和权威性的观点全面论述了模拟集成电路版图设计中所涉及的各种问题及目前的最新研究成果。书中介绍了半导体器件物理与工艺、失效机理等内容；基于模拟集成电路设计所采用的3种基本工艺：标准双极工艺、CMOS硅栅工艺和BiCMOS工艺，重点探讨了无源器件的设计与匹配性问题，二极管设计，双极型晶体管和场效应晶体管的设计与应用
开关电源电流检测技术研究.rar
在功率电路中，电压的检测相对于电流的检测要简单和容易得多。电压的检测可以很方便地进行而不会对电路性能产生明显影响；而对电流的检测却要复杂得多，电流的检测必须引入测量电流的检测器，检测器的引入将影响电路的性能。根据具体的电路，选择合适的电流检测方案，并进行正确的电路设计，是功率电路设计成败的关键之一。 在开关电源设计中，电流检测技术起着至关重要的作用，是开关电源设计成功与否的关键因素。本文首先详细分
场效应晶体管逆变式氩弧焊机的研制
为了满足市场需要，研制了+,%-#’" 直流脉冲氩弧焊机，并对该焊机的电路组成及工作原理进行了介绍，对./0 脉宽调制技术做了较详细的分析。实践表明，该焊机满足设计要求，具有体积小、质量轻、高效节能等
TE 用于汽车HVAC和冷却风扇系统的回流热保护（RTP）器件
在苛刻的汽车工作环境中，功率场效应晶体管（powerFET）常常会
暴露于极端温度变化和热机应力之下。间歇短路、冷操作环境、高电
弧放电或带噪声电路短路、感应负载及多重短路在经过一段时间后会
造成装置疲损，使装置在开路、短路或阻性模式下出现故障。
……
单片射频微波集成电路技术与设计
本书介绍单片射频微波集成电路技术与设计方法。在详细地介绍了单片射频微波集成电路的制造工艺、可用的无源和有源器件结构与模型、设计与仿真方法、测试技术、应用与发展趋势的基础上，全面阐述了各种单元基础电路与集成系统的设计方法及新技术。全书共12章。前4章介绍了单片射频微波集成电路使用的硅和化学元素周期表中的第III族至第IV族化合物半导体工艺技术与特点、集总式和分布式无源器件、双极型和场效应晶体管、电路
集成电路器件电子学
内容提要:
本书系统介绍了集成电路器件电子学，其内容可分为两部分：第一部分是学习半导体器件必须的知识，包括半导体物理和工艺的基本知识，以及金属-半导体接触和pn结理论；第二部分系统深入地阐述了双极晶体管和MOS场效应晶体管的工作原理和特性。书中每章后有大量的习题，供读者加深理解所学的知识。 本书可作为高等学校微电子专业本科生和研究生相应课程的教科书或参考书，也可供在相关领域工作的专业技术人员参考
基于氮化镓的图腾柱无桥PFC
得益于氮化镓材料的诸多特性，氮化镓场效应晶体管(GaN-FET)的性能要比目前最好的商用硅MOSFET更高。 该PPT以连续导电模式（CCM）的图腾柱无桥PFC为例，介绍了GaN-FET的特性和应用。
MOSFET开关损耗分析
为了有效解决金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）在通信设备直流-48 V缓启动应用电路中出现的开关损耗失效问题，通过对MOSFET 栅极电荷、极间电容的阐述和导通过程的解剖，定位了MOSFET 开关损耗的来源，进而为缓启动电路设计优化，减少MOSFET的开关损耗提供了技术依据。
场效应晶体管的分类及使用
电子专业单片机相关知识学习教材资料——场效应晶体管的分类及使用
微电子电路(扫描第五版）
<p>本书是电子和计算机工程专业的教材，全书分为上下两册：上册主要内容包括：运算放大器，二极管，场效应晶体管，双极型晶体管，单极集成放大器，差分和多极放大器，返馈放大器，运算放大器和数据变换电路；下册主要内容包括：数字CMOS逻辑电路，寄存器和高级数字电路，滤波和调谐放大器，信号发生器和波形整型电路，输出级和功率放大器。在下载的内容中提供了链接地址。<br/></p>