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从热传导方程出发，考虑Nottingham效应和焦耳热情况下，采用自洽求解了圆锥形场发射体的尖端表面温度；定量讨论了温度与给定的圆锥形场发射体的结构参量与物理参量的关系。结果表明：Nottingham
用RF磁控溅射的方法在Si（100）基底上沉积了纳米氮化硼薄膜，然后分别用氢、氧等离子体对薄膜表面进行了处理，用红外光谱、原子力显微镜、光电子能谱以及场发射试验对薄膜进行了研究，结果表明氢等离子
从射频器件半导体的属性和模型入手的一本经典书籍，即使不做射频 芯片设计，从事射频电路设计的工程师如果能从半导体器件和模型深入研究一下半导体的属性，对于自己深入理解放大器也是大有好处的。
碳纳米管场致发射显示器因其特有的性质和优良的性能赢得了普遍关注。碳纳米管场致发射显示器的驱动电路设计与制作是碳纳米管场致发射显示器研究的一个重要部分。碳纳米管场致发射显示器制造技术日益成熟，尺寸逐渐增长，过去试验用的非专用驱动系统体积庞大、...
碳纳米管薄膜是一种能应用于场发射平面显示器等器件中的新型冷阴极材料。该文用Ni作为催化剂，采用催化热解法在硅片上制备了多壁碳纳米管薄膜场发射阴极，反应气体为乙炔、氢气和氮气。用SEM和TEM分析