本文以实现数字化的移动巡检为目标，提出了嵌入式技术+GIS+GPS所组成的便携式电力巡检仪的解决方案。便携式电力巡检仪采用了目前最新的嵌入式技术，完全根据电力巡检工作需要的功能进行最底层的硬件平台、嵌入式操作系统和应用软件的专项设计和开发。 便携式电力巡检仪的硬件平台采用主流的ARM微处理器、GPS接收器和其他硬件资源，完全根据功能需求量身定做，不会造成硬件上的浪费，在实现需求功能的同时大大降低了成本。 经过认真的比较和实验，将Windows CE．net作为便携式电力巡检仪的操作系统，它最大的优点就是人机界面操作以及应用软件开发都比较简单。在Platform Builder的平台上研究并实现了中文版操作系统的定制，成功的将其移植到自主设计研究的硬件平台上。 便携式电力巡检仪的应用软件采用了eMbedded Visual C++和eSuperMap共同开发。根据线路巡检工作的数据记录项需求，确定了系统地属性数据逻辑结构和空间数据分层体系，实现了嵌入式空间数据和属性数据的集成。应用软件具备对数据地图的放大、缩小等基本操作，能够对接收到的数据进行解析，实现GPS的数据采集和定位工作。能够为用户计算最短和最快路径以及提供导航等服务，基本满足移动巡检的各项需要。 基于ARM的便携式电力巡检仪，采用嵌入式+GIS+GPS的电力巡检系统设计方案，研究和开发了从硬件平台到应用软件的一系列内容，对提高电力巡检工作的质量具有极大的促进作用和较高的实用价值。
上传时间： 2013-06-14
上传用户：清风冷雨
扩频通信是现代通信系统中的一种重要的通信方式，具有较强的抗干扰、抗多径性能以及频谱利用率高、多址通信等诸多优点，得到了广泛的应用。FPGA以其功能强大，开发过程投资少、周期短，可反复修改，保密性能好，开发工具智能化等特点成为当今硬件设计的重要方式。本文研究了直接序列扩频系统，重点研究了扩频部分和解扩部分，对扩频码的性能、匹配滤波器以及频差相差的估计和修正等关键技术进行了详细的分析和说明。在此基础上，运用VHDL语言进行了FPGA部分的功能实现，给出了一些相关的仿真及测试结果。最后对该系统还需进一步研究的问题进行了简要的介绍，对调试过程中的出现的一些问题进行了简单的分析和小结。
上传时间： 2013-05-26
上传用户：四只眼
确保产品之制造性, R&D在设计阶段必须遵循Layout相关规范, 以利制造单位能顺利生产, 确保产品良率, 降低因设计而重工之浪费. “PCB Layout Rule” Rev1.60 (发文字号： MT-8-2-0029)发文后, 尚有订定不足之处, 经补充修正成“PCB Layout Rule” Rev1.70. PCB Layout Rule Rev1.70, 规范内容如附件所示, 其中分为: (1) ”PCB LAYOUT 基本规范”:为R&D Layout时必须遵守的事项, 否则SMT,DIP,裁板时无法生产. (2) “锡偷LAYOUT RULE建议规范”: 加适合的锡偷可降低短路及锡球. (3) “PCB LAYOUT 建议规范”:为制造单位为提高量产良率,建议R&D在design阶段即加入PCB Layout. (4) ”零件选用建议规范”: Connector零件在未来应用逐渐广泛, 又是SMT生产时是偏移及置件不良的主因,故制造希望R&D及采购在购买异形零件时能顾虑制造的需求, 提高自动置件的比例. (5) “零件包装建议规范”:,零件taping包装时, taping的公差尺寸规范,以降低抛料率.
上传时间： 2013-04-24
上传用户：vendy
该文档扼要地介绍了PS/2鼠标的技术规范，主要是软件协议和指令。
上传时间： 2013-04-24
上传用户：安首宏A
第二部分：DRAM 内存模块的设计技术..............................................................143第一章 SDR 和DDR 内存的比较..........................................................................143第二章 内存模块的叠层设计.............................................................................145第三章 内存模块的时序要求.............................................................................1493.1 无缓冲（Unbuffered）内存模块的时序分析.......................................1493.2 带寄存器（Registered）的内存模块时序分析...................................154第四章 内存模块信号设计.................................................................................1594.1 时钟信号的设计.......................................................................................1594.2 CS 及CKE 信号的设计..............................................................................1624.3 地址和控制线的设计...............................................................................1634.4 数据信号线的设计...................................................................................1664.5 电源，参考电压Vref 及去耦电容.........................................................169第五章 内存模块的功耗计算.............................................................................172第六章 实际设计案例分析.................................................................................178 目前比较流行的内存模块主要是这三种：SDR，DDR，RAMBUS。其中，RAMBUS内存采用阻抗受控制的串行连接技术,在这里我们将不做进一步探讨，本文所总结的内存设计技术就是针对SDRAM 而言(包括SDR 和DDR)。现在我们来简单地比较一下SDR 和DDR，它们都被称为同步动态内存，其核心技术是一样的。只是DDR 在某些功能上进行了改进，所以DDR 有时也被称为SDRAM II。DDR 的全称是Double Data Rate，也就是双倍的数据传输率，但是其时钟频率没有增加，只是在时钟的上升和下降沿都可以用来进行数据的读写操作。对于SDR 来说,市面上常见的模块主要有PC100/PC133/PC166,而相应的DDR内存则为DDR200(PC1600)/DDR266(PC2100)/DDR333(PC2700)。
上传时间： 2014-01-13
上传用户：euroford
（GZDW）高频开关直流电源柜采用国内最新的有源三相功率因数校正技术，最大限度地提高了电力电源的功率因数，减少了对电网的污染，降低了电网损耗。交流输入三级分区防雷保护。智能直流绝缘监测系统及时监测母线对地绝缘故障，自动接地选线。高频开关直流电源柜具有高智能化、高可靠性、安全性好、易操作等优点。具备“遥测、遥控、遥信、遥调”功能，通过MODEM和通信网可实现对电源系统的远程监控，实现无人值守。
上传时间： 2014-12-24
上传用户：zhyiroy
大家知道，气体放电灯（日光灯﹑高压钠灯﹑高压汞灯，金属卤化物灯等）传统上采用电感式镇流器（Ballast）和灯管串接起来，接入电网电压，另外单独采用启辉器或触发器，以产生必要的高压（超前顶峰式镇流器无需触发器）使灯点亮。当灯点亮后，利用电感镇流器自身的阻抗来控制或限制灯管电流，使灯管稳定工作。这种电感镇流器，一般是采用硅钢片堆栈起来作铁心，缠绕漆包线制作成。工作频率一般是50 Hz/60Hz。这种镇流器相对体积大﹑笨重，且功耗大、效率低。 为了克服电感镇流器的缺点，人们设法提高灯的工作频率。这是因为，工作频率提高一倍，镇流器的体积就缩小到原来的0.707。现在流行起来的电子节能灯，其电子镇流器都是通过AC/DC/AC变换，把市电50 Hz/60 Hz 交流电压，先变成直流电压，再通过逆变器变成几十kHz 的交流电压，从而用铁氧体磁芯取代了硅钢片，实现了电子镇流器的轻量化，产生了一体化电子节能灯，并使其功耗降低，光效提高。 但是，对于高强度气体放电（High Intensity Discharge缩写HID）灯（高压钠灯，高压汞灯，金属卤化物灯等），特别是金属卤化物灯（金卤灯）其工作频率升高（一般升高到800 Hz 以上），灯电弧容易产生声共振现象。其表现为灯电弧发生扭曲，有时呈月芽形，有时摆动不稳定，使灯光闪烁，严重时会引起电弧管损坏发生爆裂。 于是，人们想出了许多办法，也产生了许多专利技术。这些办法或者用来防止声共振的发生，或者用来减弱、抑制声共振的发生。这些办法一般都采用了最新的电子技术、集成电路和控制技术，技术难度大，造价高。
上传时间： 2014-03-24
上传用户：jelenecheung
LVDS和TTL板的接口定义及连接原理图： TTL板与LVDS 相同 一、接口定义： １、 LCD MODULE与驱动板之间的信号线接口定义如下：VDS接口又称RS-644总线接口，是20世纪90年代才出现的一种数据传输和接口技术。LVDS即低电压差分信号，这种技术的核心是采用极低的电压摆幅高速差动传输数据，可以实现点对点或一点对多点的连接，具有低功耗、低误码率、低串扰和低辐射等特点，其传输介质可以是铜质的PCB连线，也可以是平衡电缆。LVDS在对信号完整性、低抖动及共模特性要求较高的系统中得到了越来越广泛的应用。目前，流行的LVDS技术规范有两个标准：一个是TIA/EIA（电讯工业联盟/电子工业联盟）的ANSI/TIA/EIA－644标准，另一个是IEEE 1596.3标准。
上传时间： 2013-10-14
上传用户：wangchong
第二部分：DRAM 内存模块的设计技术..............................................................143第一章 SDR 和DDR 内存的比较..........................................................................143第二章 内存模块的叠层设计.............................................................................145第三章 内存模块的时序要求.............................................................................1493.1 无缓冲（Unbuffered）内存模块的时序分析.......................................1493.2 带寄存器（Registered）的内存模块时序分析...................................154第四章 内存模块信号设计.................................................................................1594.1 时钟信号的设计.......................................................................................1594.2 CS 及CKE 信号的设计..............................................................................1624.3 地址和控制线的设计...............................................................................1634.4 数据信号线的设计...................................................................................1664.5 电源，参考电压Vref 及去耦电容.........................................................169第五章 内存模块的功耗计算.............................................................................172第六章 实际设计案例分析.................................................................................178 目前比较流行的内存模块主要是这三种：SDR，DDR，RAMBUS。其中，RAMBUS内存采用阻抗受控制的串行连接技术,在这里我们将不做进一步探讨，本文所总结的内存设计技术就是针对SDRAM 而言(包括SDR 和DDR)。现在我们来简单地比较一下SDR 和DDR，它们都被称为同步动态内存，其核心技术是一样的。只是DDR 在某些功能上进行了改进，所以DDR 有时也被称为SDRAM II。DDR 的全称是Double Data Rate，也就是双倍的数据传输率，但是其时钟频率没有增加，只是在时钟的上升和下降沿都可以用来进行数据的读写操作。对于SDR 来说,市面上常见的模块主要有PC100/PC133/PC166,而相应的DDR内存则为DDR200(PC1600)/DDR266(PC2100)/DDR333(PC2700)。
上传时间： 2013-10-18
上传用户：宋桃子
减少最新的冷冻技术，适应时代的发展
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上传时间： 2013-10-17
上传用户：浩子GG
