📚 器件结构技术资料

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。P89LPC933/934/935采用了高性能的处理器结构,指令执行时间只需2到4个时钟周期。6倍于标准80C51器件。P89LPC933/934/935集成了许多系统级的功能,这样可大大减少元件的...

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为了系统深入地研究MoS2的电子能带结构和光电性质,基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方 法,计算和分析了材料MoS2的电子结构及其光学性质,给出了MoS2 的能带结构、光吸收谱、电子态密度、能 ...

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本书介绍了功率半导体器件的原理、 结构、 特性和可靠性技术, 器件部分涵盖了当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件, 包括二极管、 晶闸管、 MOSFET、 IGBT和功率集成器件等。 此外,...

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本论文提出一种600V平面栅FS-IGBT器件的设计与制造方法,并通过和国内某知名代工线合作,完成了器件制备和测试。600V面FS-IGBT的研制工作展开论述。1、首先对IGBT原理及FS层的原理进行...

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本文主要是基于氮化锌(GaN)器件射频功率放大电路的设计,在s波段频率范围内,应用CREE公司的氮化稼(GaN)高电子迁移速率品体管(CGH40010和CGH40045)进行的宽带功率放大电路设计.主...

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