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器件手册

  • EP4CE10 cyclone4 FPGA开发板PDF原理图+ALTIUM原理图库PCB封装库+器件

    EP4CE10 cyclone4 FPGA开发板PDF原理图+ALTIUM原理图库PCB封装库+器件技术手册资料74HC595.pdfAD9280.pdfAD9708.pdfAP3216C.pdfdht11-v1_3说明书(详细版).pdfDS18B20.pdfDVI V1.0.pdfHDMI Specification 13a.pdfHS0038B.pdfLAN8720A.pdfm24c64-r.pdfM25P16  datasheet.pdfMAX3232CSE.PDFmax3483-max3491.pdfPart1_Physical_Layer_Simplified_Specification_Ver7.10.pdfPCF8563.pdfPCF8591.pdfThumbs.dbug_altddio.pdfVESA VGA时序标准.pdfw25q16_datasheet.pdfw9825g6kh_a04.pdfwm8978.pdfxapp495_S6TMDS_Video_Interface.pdf硬件PCB封装库列表:32153225AP3216CBUZZERC0603CAP100CON_2PINCON_RA_HDMI_19P_0P5_SMCR1220D1206DB9-FDB15_VGA_S_FDIP-2X4-2P54DIP-2X10_2P54DIP-2X20_2P54DO214EAR_JACKEC6P3F0805FBGA256FJ3661FPC-40S-0P5SVHDR102JACK-2_5MM_BJTAG_5X2_2P54_RL1040L2520LED0603MIC_6X2_2PH-1X2-2P0QFN24QFN32R0603R0805RJ45RM065-V1SIP3-2P54SIP4-2P54SIP6-2P54SMCSOD323SOD523SOIC8-208SOIC8ESOIC16SOIC16W_1R27_10R3X10R33SOP8SOT23SOT23_S6SOT23-6SW4_PB_ESW_SM_P177SWITCH_DDSZT4R2-6R2_BOTSMTT4R2-6R2_TOPSMTTFCARDTSOP54TSOT-23-5TSSOP16TYPE-C-31-M-12WF_PADXTAL_SMDXTAL-DIP

    标签: ep4ce10 cyclone4 fpga 开发板

    上传时间: 2021-12-04

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  • EP4CE10F17C8 mini FPGA开发板PDF原理图+原理图库PCB封装库+技术手册资

    EP4CE10F17C8 mini FPGA开发板PDF原理图+原理图库PCB封装库+器件技术手册资料"74HC595.pdfAD9280.pdfAD9708.pdfAP3216C.pdfdht11-v1_3说明书(详细版).pdfDS18B20.pdfDVI V1.0.pdfHDMI Specification 13a.pdfHS0038B.pdfLAN8720A.pdfm24c64-r.pdfM25P16  datasheet.pdfMAX3232CSE.PDFmax3483-max3491.pdfPart1_Physical_Layer_Simplified_Specification_Ver7.10.pdfPCF8563.pdfPCF8591.pdfThumbs.dbug_altddio.pdfVESA VGA时序标准.pdfw25q16_datasheet.pdfw9825g6kh_a04.pdfwm8978.pdfxapp495_S6TMDS_Video_Interface.pdfpcb封装库:Component Count : 37Component Name-----------------------------------------------32153225AP3216CBUZZERC0603CAP100CR1220D1206DO214EC6P3F0805FBGA256FJ3661HDR102L2520LED0603R0603R0805SIP3-2P54SIP4-2P54SIP6-2P54SOD323SOD523SOIC8-208SOIC16SOP8SOT23SOT23_S6SOT23-6SW_3_2X4_2TFCARDTSOP54TSOT-23-5TSSOP16WF_PADXTAL_SMDXTAL-DIP

    标签: fpga 开发板 pcb 封装

    上传时间: 2021-12-04

    上传用户:d1997wayne

  • EG8025数据手册V1_2_20191212

    EG8025数据手册,详细介绍了芯片的相关资料,便于使用此器件

    标签: eg8025

    上传时间: 2021-12-28

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  • 华为硬件工程师手册 159页 1M 超清书签版

    华为硬件工程师手册 159页 1M 超清书签版第一节 硬件开发过程简介 §1.1.1 硬件开发的基本过程 产品硬件项目的开发,首先是要明确硬件总体需求情况,如 CPU 处理能力、 存储容量及速度,I/O 端口的分配、接口要求、电平要求、特殊电路(厚膜等) 要求等等。其次,根据需求分析制定硬件总体方案,寻求关键器件及电咱的技术 资料、技术途径、技术支持,要比较充分地考虑技术可能性、可靠性以及成本控 制,并对开发调试工具提出明确的要求。关键器件索取样品。第三、总体方案确 定后,作硬件和单板软件的详细设计,包括绘制硬件原理图、单板软件功能框图 及编码、PCB 布线,同时完成开发物料清单、新器件编码申请、物料申领。第 四,领回 PCB 板及物料后由焊工焊好 1~2 块单板,作单板调试,对原理设计中 的各功能进行调测,必要时修改原理图并作记录。第五,软硬件系统联调,一般 的单板需硬件人员、单板软件人员的配合,特殊的单板(如主机板)需比较大型 软件的开发,参与联调的软件人员更多。一般地,经过单板调试后在原理及 PCB 布线方面有些调整,需第二次投板。第六,内部验收及转中试,硬件项目完成开 发过程。 §1.1.2 硬件开发的规范化 上节硬件开发的基本过程应遵循硬件开发流程规范文件执行,不仅如此,硬 件开发涉及到技术的应用、器件的选择等,必须遵照相应的规范化措施才能达到 质量保障的要求。这主要表现在,技术的采用要经过总体组的评审,器件和厂家 的选择要参照物料认证部的相关文件,开发过程完成相应的规定文档,另外,常 用的硬件电路(如 ID.WDT)要采用通用的标准设计。 第二节 硬件工程师职责与基本技能 §1.2.1 硬件工程师职责 一个技术领先、运行可靠的硬件平台是公司产品质量的基础,硬件

    标签: 华为 硬件工程师

    上传时间: 2022-03-13

    上传用户:jiabin

  • 数字电子技术基础实验+标准集成电路数据手册TTL电路 高速CMOS电路接口电路

    数字电子技术基础实验+标准集成电路数据手册--TTL电路 高速CMOS电路接口电路 电子书4本合集电子、通信、计算机、信息与自动控制等专业开设的《数字电子技术 基础》及其实验等专业基础课,旨在加深学生对理论知识的理解,培养学 生分析、设计、组装和调试数字电路的基本技能,掌握科学的实验方法, 为以后其它专业课的学习打下坚实的基础。为此,应加强各种形式的实践 活动。 随着科学技术的发展,尤其是微电子技术和计算机技术的发展,数字电 路的实验手段不断得到更新、完善和发展。除了采用常规的 TTL、COMS 器件 (逻辑门电路,触发器,计数器等)进行实验外,以后将逐步走向使用 PLD (可编程逻辑器件)进行实验、开发。采用 CPLD/FPGA 可编程逻辑器件,借 助计算机辅助设计软件进行数字电路的设计,这种硬件软件化的方法具有设 计容易,修改和调试方便的优点,有效的提高了实验效率。 本书根据教育部启动的“面向 21 世纪高等工程教育教学内容和课程体 系改革计划”的要求,在厂家所提供的资料及设备基础上编写而成,涵盖了 《数字电子技术基础》课程全部实验内容,建立一种综合性、开放性、设计 性和创造性的实验教学模式,可根据专业教学要求选择实验内容。 实验内容的安排遵循由浅入深,由易到难的原则,考虑不同层次需要, 既有测试、验证的内容,也有设计、研究的内容,可以充分发挥学生的主动 性和创造性,进一步提高学生的实验技能和理论分析能力。

    标签: 数字电子 集成电路 ttl cmos 接口

    上传时间: 2022-03-20

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  • STM32F103简介中文数据手册

    本文给出了STM32F103xC、 STM32F103xD和STM32F103xE增强型的订购信息和器件的机械特性。有关闪存存储器的编程、擦除和保护等信息,请参考《 STM32F10xxx闪存编程参考手册》。有关Cortex-M3的信息,请参考《 Cortex-M3技术参考手册》

    标签: stm32f103

    上传时间: 2022-04-17

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  • STM32F101和STM32F103固件库中文使用手册

      本手册介绍了 32 位基于 ARM 微控制器 STM32F101xx 与 STM32F103xx 的固件函数库。该函数库是一个固件函数包,它由程序、数据结构和宏组成,包括了微控制器所有外设的性能特征。该函数库还包括每一个外设的驱动描述和应用实例。通过使用本固件函数库,无需深入掌握细节,用户也可以轻松应用每一个外设。因此,使用本固态函数库可以大大减少用户的程序编写时间,进而降低开发成本。每个外设驱动都由一组函数组成,这组函数覆盖了该外设所有功能。每个器件的开发都由一个通用 API(application programming interface 应用编程界面)驱动, API 对该驱动程序的结构,函数和参数名称都进行了标准化。  所有的驱动源代码都符合“Strict ANSI-C”标准(项目于范例文件符合扩充 ANSI-C 标准)。我们已经把驱动源代码文档化,他们同时兼容 MISRA-C 2004 标准(根据需要,我们可以提供兼容矩阵)。由于整个固态函数库按照“Strict ANSI-C”标准编写,它不受不同开发环境的影响。仅对话启动文件取决于开发环境。该固态函数库通过校验所有库函数的输入值来实现实时错误检测。该动态校验提高了软件的鲁棒性。实时检测适合于用户应用程序的开发和调试。但这会增加了成本,可以在最终应用程序代码中移去,以优化代码大小和执行速度。想要了解更多细节,请参阅 Section 2.5。  因为该固件库是通用的,并且包括了所有外设的功能,所以应用程序代码的大小和执行速度可能不是最优的。对大多数应用程序来说,用户可以直接使用之,对于那些在代码大小和执行速度方面有严格要求的应用程序,该固件库驱动程序可以作为如何设置外设的一份参考资料,根据实际需求对其进行调整。

    标签: stm32f101 stm32f103

    上传时间: 2022-04-17

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  • Vivado设计流程指导手册-含安装流程与仿真

    Vivado设计分为Project Mode和Non-project Mode两种模式,一般简单设计中,我们常用的是Project Mode。在本手册中,我们将以一个简单的实验案例,一步一步的完成Vivado的整个设计流程一、新建工程1、打开Vivado 2013.4开发工具,可通过桌面快捷方式或开始菜单中xilinx DesignTools-Vivado 2013.4下的Vivado 2013.4打开软件,开启后,软件如下所示:2、单击上述界面中Create New Project图标,弹出新建工程向导,点击Next.3、输入工程名称、选择工程存储路径,并勾选Create project subdirectory选项,为工程在指定存储路径下建立独立的文件夹。设置完成后,点击Next注意:工程名称和存储路径中不能出现中文和空格,建议工程名称以字母、数字、下划线来组成。4、选择RTL Project一项,并勾选Do not specifty sources at this time,勾选该选项是为了跳过在新建工程的过程中添加设计源文件。点击Next.IA5、根据使用的FPGA开发平台,选择对应的FPGA目标器件。(在本手册中,以xilinx官方开发板KC705为例,Nexys4开发板请选择Artix-7 XC7A100TCSG324-2的器件,即Family和Subfamily均为Artix-7,封装形式(Package)为cSG324,速度等级(Speed grade)为-1,温度等级(Temp Grade)为C)。点击Next6、确认相关信息与设计所用的的FPGA器件信息是否一致,一致请点击Finish,不一致,请返回上一步修改。二、设计文件输入1、如下图所示,点击Flow Navigator下的Project Manager->Add Sources或中间Sources中的对话框打开设计文件导入添加对话框。2、选择第二项Add or Create Design Sources,用来添加或新建Verilog或VHDL源文件,点击Next

    标签: vivado

    上传时间: 2022-05-28

    上传用户:默默

  • 三菱第五代IGBT应用手册

    三菱电机功率器件在工业、电气化铁道、办公自动化、家电产品等多种领域的电力变换及电动机控制中得到广泛应用。为了真正满足市场对装置噪音低、效率高、体积小、重量轻、精度高、功能强、容量大的要求,三菱电机积极致力于新型器件的研究、开发,为人类的节能和环保不断努力。第5代IGBT和IPM模块均采用三菱电机第5代IGBT硅片CSTBTIM技术,并具有正温度系数特征,与传统的沟槽型构造IGBT相比,降低了集电极一发射极间饱和电压,从而实现了更低损耗。同时改进了封装技术,大大减小了模块内部分布电感。本应用手册的出版,旨在帮助用户了解第5代IGBT和IPM模块的特性和工作原理,更加方便的使用三菱电机的半导体产品。三菱电机谨向所有购买和支持三菱半导体产品的用户表示诚挚的感谢。1.IGBT模块的一般认识1.1 NF系列IGBT模块的特点NF系列IGBT模块主要具有以下两大特点:1,采用第5代IGBT硅片在沟槽型IGBT的基础上增加电荷蓄积层的新结构(CSTBT)改善了关断损耗(Eoff)和集电极-发射极问饱和电压VEisat的折衷。插入式组合元胞(PCM)的使用增强了短路承受能力(SCSOA)并降低了栅极电容,从而降低驱动功率。CSTBT:Carrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistor载流子存储式沟槽硼型双极晶体臂

    标签: igbt

    上传时间: 2022-06-19

    上传用户:shjgzh

  • 873厂器件目录,二极管,稳压管,三极管,稳压器等手册资料

    永光电子有限公司(873厂),二极管,稳压管,三极管,稳压器等手册资料

    标签: 二极管 稳压管 三极管 稳压器

    上传时间: 2022-06-21

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