变温磷吸杂对多晶硅性能的影响
用微波光电导衰减仪(μ2PCD) 研究了不同温度和时间的恒温和变温磷吸杂处理对铸造多晶硅片电学性能的影响。实验发现: 变温吸杂明显优于恒温吸杂,特别是对原生高质量多晶硅; 其优化的变温磷吸杂工艺为10
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