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叠层<b>电感</b>

  • CMOS模拟开关工作原理

    开关在电路中起接通信号或断开信号的作用。最常见的可控开关是继电器,当给驱动继电器的驱动电路加高电平或低电平时,继电器就吸合或释放,其触点接通或断开电路。CMOS模拟开关是一种可控开关,它不象继电器那样可以用在大电流、高电压场合,只适于处理幅度不超过其工作电压、电流较小的模拟或数字信号。 一、常用CMOS模拟开关引脚功能和工作原理  1.四双向模拟开关CD4066  CD4066 的引脚功能如图1所示。每个封装内部有4个独立的模拟开关,每个模拟开关有输入、输出、控制三个端子,其中输入端和输出端可互换。当控制端加高电平时,开关导通;当控制端加低电平时开关截止。模拟开关导通时,导通电阻为几十欧姆;模拟开关截止时,呈现很高的阻抗,可以看成为开路。模拟开关可传输数字信号和模拟信号,可传输的模拟信号的上限频率为40MHz。各开关间的串扰很小,典型值为-50dB。

    标签: CMOS 模拟开关 工作原理

    上传时间: 2013-10-27

    上传用户:bibirnovis

  • DRAM内存模块的设计技术

    第二部分:DRAM 内存模块的设计技术..............................................................143第一章 SDR 和DDR 内存的比较..........................................................................143第二章 内存模块的叠层设计.............................................................................145第三章 内存模块的时序要求.............................................................................1493.1 无缓冲(Unbuffered)内存模块的时序分析.......................................1493.2 带寄存器(Registered)的内存模块时序分析...................................154第四章 内存模块信号设计.................................................................................1594.1 时钟信号的设计.......................................................................................1594.2 CS 及CKE 信号的设计..............................................................................1624.3 地址和控制线的设计...............................................................................1634.4 数据信号线的设计...................................................................................1664.5 电源,参考电压Vref 及去耦电容.........................................................169第五章 内存模块的功耗计算.............................................................................172第六章 实际设计案例分析.................................................................................178 目前比较流行的内存模块主要是这三种:SDR,DDR,RAMBUS。其中,RAMBUS内存采用阻抗受控制的串行连接技术,在这里我们将不做进一步探讨,本文所总结的内存设计技术就是针对SDRAM 而言(包括SDR 和DDR)。现在我们来简单地比较一下SDR 和DDR,它们都被称为同步动态内存,其核心技术是一样的。只是DDR 在某些功能上进行了改进,所以DDR 有时也被称为SDRAM II。DDR 的全称是Double Data Rate,也就是双倍的数据传输率,但是其时钟频率没有增加,只是在时钟的上升和下降沿都可以用来进行数据的读写操作。对于SDR 来说,市面上常见的模块主要有PC100/PC133/PC166,而相应的DDR内存则为DDR200(PC1600)/DDR266(PC2100)/DDR333(PC2700)。

    标签: DRAM 内存模块 设计技术

    上传时间: 2014-01-13

    上传用户:euroford

  • 微电脑型数学演算式双输出隔离传送器

    特点(FEATURES) 精确度0.1%满刻度 (Accuracy 0.1%F.S.) 可作各式数学演算式功能如:A+B/A-B/AxB/A/B/A&B(Hi or Lo)/|A| (Math functioA+B/A-B/AxB/A/B/A&B(Hi&Lo)/|A|/etc.....) 16 BIT 类比输出功能(16 bit DAC isolating analog output function) 输入/输出1/输出2绝缘耐压2仟伏特/1分钟(Dielectric strength 2KVac/1min. (input/output1/output2/power)) 宽范围交直流两用电源设计(Wide input range for auxiliary power) 尺寸小,稳定性高(Dimension small and High stability)

    标签: 微电脑 数学演算 输出 隔离传送器

    上传时间: 2013-11-24

    上传用户:541657925

  • CMOS射频功率放大器中的变压器合成技术

    设计了一种可在CMOS射频功率放大器中用于功率合成的宽带变压器。通过对变压器的并联和串联两种功率合成形式进行分析与比较,指出了匝数比、功率单元数目以及寄生电阻对变压器功率合成性能的影响;提出了一种片上变压器的设计方法,即采用多层金属叠层并联以及将功放单元内置于变压器线圈中的方式,解决了在CMOS工艺中设计变压器时面临的寄生电阻过大及有效耦合长度不足等困难。设计的变压器在2~3 GHz频段内的损耗小于1.35 dB,其功率合成效率高达76 以上,适合多模多频段射频前端的应用。

    标签: CMOS 射频功率放大器 变压器 合成技术

    上传时间: 2014-12-24

    上传用户:ewtrwrtwe

  • 40kHZ超声波收发电路原理图大全

      40kHZ超声波发射电路之一,由F1~F3三门振荡器在F3的输出为40kHZ方波,工作频率主要由C1、R1和RP决定,用RP可调电阻来调节频率。 F3的输出激励换能器T40-16的一端和反向器F4,F4输出激励换能器T40-16的另一端,因此,加入F4使激励电压提高了一倍。电容C3、C2平衡F3和F4的输出,使波形稳定。电路中反向器F1~F4用CC4069六反向器中的四个反向器,剩余两个不用(输入端应接地)。电源用9V叠层电池。测量F3输出频率应为40kHZ±2kHZ,否则应调节RP。发射超声波信号大于8m。

    标签: kHZ 40 超声波 收发

    上传时间: 2014-12-24

    上传用户:chongchong1234

  • AVR单片机数码管秒表显示

    #include<iom16v.h> #include<macros.h> #define uint unsigned int #define uchar unsigned char uint a,b,c,d=0; void delay(c) { for for(a=0;a<c;a++) for(b=0;b<12;b++); }; uchar tab[]={ 0xc0,0xf9,0xa4,0xb0,0x99,0x92,0x82,0xf8,0x80,0x90,

    标签: AVR 单片机 数码管

    上传时间: 2013-10-21

    上传用户:13788529953

  • 基于C8051F060单片机控制AD9833实现FSK调制

    引言 在数字信息传输中,基带数字信号通常要经过调制器调制,将频率搬移到适合信息传输的频段上。2FSK就是用数字信号去调制载波的频率(移频键控),由于它具有方法简单、易于实现、抗噪声和抗衰落性能较强等优点,因此在现代数字通信系统的低、中速数据传输中得到了广泛应用。 直接数字频率合成技术(DDS)将先进的数字处理技术与方法引入信号合成领域。DDS器件采用高速数字电路和高速D/A转换技术,具备频率转换时间短、频率分辨率高、频率稳定度高、输出信号频率和相位可快速程控切换等优点,可以实现对信号的全数字式调制。

    标签: C8051F060 9833 FSK AD

    上传时间: 2014-12-27

    上传用户:1427796291

  • 移动式修焊机器人双DSP嵌入式视觉反馈控制系统

    摘 要: 针对三峡水轮机叶片坑内移动式修焊机器人的作业过程测控问题, 研制了一种基于双数字信号处理器的嵌入式视觉反馈控制系统。 采用功能单元模块化设计思想和叠层积木式装配结构, 该系统将基于TM S320DM 642 的图像采集与处理、 基于TM S320L F2812 的运动控制与参数调整、 数字视频输入、 模拟视频输入、 模拟视频输出、 数字视频输出、 电源变换等功能模块集成在170mm×57mm×40mm 的空间尺寸内。该系统可以安装在移动式修复机器人上、 脱离工控机独立工作, 适用于M IG、T IG、CO 2 等多种焊接工艺方法的过程监控、 焊缝跟踪和焊缝成形实时控制。 关键词: 移动式修焊机器人; 双数字信号处理器嵌入式系统; 视觉反馈控制

    标签: DSP 移动 机器人

    上传时间: 2013-10-08

    上传用户:xinhaoshan2016

  • FPGA连接DDR2的问题讨论

    我采用XC4VSX35或XC4VLX25 FPGA来连接DDR2 SODIMM和元件。SODIMM内存条选用MT16HTS51264HY-667(4GB),分立器件选用8片MT47H512M8。设计目标:当客户使用内存条时,8片分立器件不焊接;当使用直接贴片分立内存颗粒时,SODIMM内存条不安装。请问专家:1、在设计中,先用Xilinx MIG工具生成DDR2的Core后,管脚约束文件是否还可更改?若能更改,则必须要满足什么条件下更改?生成的约束文件中,ADDR,data之间是否能调换? 2、对DDR2数据、地址和控制线路的匹配要注意些什么?通过两只100欧的电阻分别连接到1.8V和GND进行匹配 和 通过一只49.9欧的电阻连接到0.9V进行匹配,哪种匹配方式更好? 3、V4中,PCB LayOut时,DDR2线路阻抗单端为50欧,差分为100欧?Hyperlynx仿真时,那些参数必须要达到那些指标DDR2-667才能正常工作? 4、 若使用DDR2-667的SODIMM内存条,能否降速使用?比如降速到DDR2-400或更低频率使用? 5、板卡上有SODIMM的插座,又有8片内存颗粒,则物理上两部分是连在一起的,若实际使用时,只安装内存条或只安装8片内存颗粒,是否会造成信号完成性的影响?若有影响,如何控制? 6、SODIMM内存条(max:4GB)能否和8片分立器件(max:4GB)组合同时使用,构成一个(max:8GB)的DDR2单元?若能,则布线阻抗和FPGA的DCI如何控制?地址和控制线的TOP图应该怎样? 7、DDR2和FPGA(VREF pin)的参考电压0.9V的实际工作电流有多大?工作时候,DDR2芯片是否很烫,一般如何考虑散热? 8、由于多层板叠层的问题,可能顶层和中间层的铜箔不一样后,中间的夹层后度不一样时,也可能造成阻抗的不同。请教DDR2-667的SODIMM在8层板上的推进叠层?

    标签: FPGA DDR2 连接 问题讨论

    上传时间: 2013-10-12

    上传用户:han_zh

  • lpc2292/lpc2294 pdf datasheet

    The LPC2292/2294 microcontrollers are based on a 16/32-bit ARM7TDMI-S CPU with real-time emulation and embedded trace support, together with 256 kB of embedded high-speed flash memory. A 128-bit wide memory interface and a unique accelerator architecture enable 32-bit code execution at the maximum clock rate. For critical code size applications, the alternative 16-bit Thumb mode reduces code by more than 30 pct with minimal performance penalty. With their 144-pin package, low power consumption, various 32-bit timers, 8-channel 10-bit ADC, 2/4 (LPC2294) advanced CAN channels, PWM channels and up to nine external interrupt pins these microcontrollers are particularly suitable for automotive and industrial control applications as well as medical systems and fault-tolerant maintenance buses. The number of available fast GPIOs ranges from 76 (with external memory) through 112 (single-chip). With a wide range of additional serial communications interfaces, they are also suited for communication gateways and protocol converters as well as many other general-purpose applications. Remark: Throughout the data sheet, the term LPC2292/2294 will apply to devices with and without the /00 or /01 suffix. The suffixes /00 and /01 will be used to differentiate from other devices only when necessary.

    标签: lpc datasheet 2292 2294

    上传时间: 2014-12-30

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