反物质驱动
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反物质驱动 技术文档 19 份
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功率MOSFET驱动保护电路方案
分析了对功率MOSFET器件的设计要求;设计了基于EXB841驱动模块的功率MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单,实用性强,响应速度快等特点。在电涡流测功机励磁线圈驱动电路中的实际应用证明,该电路驱动能力及保护功能效果良好。 ...
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MOS管驱动基础和时间功耗计算
MOS关模型 Cgs:由源极和沟道区域重叠的电极形成的,其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd:是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠,第二是耗尽区电容(非线性)。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。...
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高频功率MOSFET驱动电路及并联特性研究
本文主要研究高频功率MOSFET的驱动电路和在动态开关模式下的并联均流特性。首先简要介绍功率MOSFET的基本工作原理及静态及动态特性,然后根据功率MOSFET对驱动电路的要求,对驱动电路进行了参数计算并且选择应用了实用可靠的驱动电路。此外...