multisim设计12V-5V开关电源电路及设计分析(含仿真)总体设计方案：2.1.1:PWM调制脉宽调制技术是通过对逆变电路开关的通断控制来实现对模拟电路的控制的。脉宽调制技术的输出波形是一系列大小相等的脉冲，用于替代所需要的波形，以正弦波为例，也就是使这一系列脉冲的等值电压为正弦波，并且输出脉冲尽量平滑且具有较少的低次谐波。根据不同的需求，可以对各脉冲的宽度进行相应的调整，以改变输出电压或输出频率等值，进而达到对模拟电路的控制。2.1.2:PFM调制当输出直流电压超过额定值时，反馈控制电路在保证调整管的导通时间不变的情况下，自动的改变调整管的开关频率，从而改变电压的占空比，使输出直流电压稳定在允许范围内，这种方案称为脉冲频率调制整，简称PFM型开关电源，其反馈电路为脉冲频率调整电路。2.2：PFM调制下的两种方案：2.2.1：自激式自激式变压器开关电源，是指当变压器的初级线圈正在被直流脉冲激励时，变压器的次级线圈正好有功率输出。如图是自激式变压器开关电源的简单工作原理图，其中V1为输入电压，S1A是控制开关，T1是开关变压器，L1是储能滤波电感，C1是储能滤波电容，D2续流二极管，D3削反峰二极管，R1负载电阻。
上传时间： 2022-02-25
上传用户：qdxqdxqdxqdx
此设计为30W 小型化壁式Type C PD 充电器，使用TI UCC28780 搭配Navitas NV6252来实现小型化需求，UCC28780是一款高频有源箝位反激式控制器(ACF)，工作频率可达1MHz，可操作在零电压开关（ZVS）且能在宽电压工作范围内实现，具有先进的自动调谐技术，自适应死区时间优化和可变开关频率控制律。使用自适应多模控制可根据输入和输出条件改变操作，可在降低可听噪声的同时实现高效率。NV6252为Navitas推出的一款非对称半桥GanFet适用于ACF架构，内含Gate drive可降低在高频操作时带来的杂讯影响，与Si MOSFET相比具有的优势，包括超低输入和输出电容，零反向恢复，降低开关损耗多。 这些优势可实现密集且高效的拓扑结构。
上传时间： 2022-06-01
上传用户：
学习开关电源的实用计算公式
标签： 开关电源
上传时间： 2022-06-20
上传用户：qingfengchizhu
张飞硬件电子工程师第十部开关电源原理图，可陪视频使用
标签： 反激式开关电源
上传时间： 2022-07-03
上传用户：
MOSFET栅极应用电路分析汇总.pdf 理解功率-理解功率MOSFET管的电流.pdf 何种应用条件要考虑MOSFET雪崩能量.doc 66KB2019-10-08 11:34 反激式电源中MOSFET的钳位电路.pdf 1.3M2019-10-08 11:34 (核心)MOSFET栅极应用电路分析汇总.pdf 762KB2019-10-08 11:34 MOS管驱动电阻怎么选择.doc 254KB2019-10-08 11:34 采用电压箝位控制实现串联IGBT的动态均压.pdf 868KB2019-10-08 11:34 MOSFET驱动器与MOSFET栅极电荷匹配设计.pdf 理解MOSFET的每个特性参数的分析.pdf 读懂并理解MOSFET的Datasheet.pdf 2M2019-10-08 11:34 功率MOSFET并联驱动特性分析.pdf 592KB2019-10-08 11:34 功率MOSFET的高温特性及其安全工作区分析.pdf 118KB2019-10-08 11:34 MOS管驱动电阻怎么选择.pdf 1009KB2019-10-08 11:34 并联MOSFET的雪崩特性分析.doc 229KB2019-10-08 11:34 MOSFET并联技术 -2019-10-08 11:34 IGBT -2019-10-08 11:34 MOSFET驱动电阻功耗讨论-综合电源技术-世纪电源网社区.pdf 3.8M2019-10-08 11:34 MOS管与三极管的区别作用特性参数.pdf 2.3M2019-10-08 11:34 MOSFET驱动方式详解.pdf 592KB2019-10-08 11:34 (核心)MOSFET开关详细过程.pdf 1.3M2019-10-08 11:34 关于MOSFET驱动电阻值的计算.doc 80KB2019-10-08 11:34 理解功率MOSFET的电流.pdf 1.8M2019-10-08 11:34 IR系列MOS驱动ic中文应用手册.pdf 5.5M2019-10-08 11:34 功率MOSFET和IGBT.pdf 1.5M2019-10-08 11:34 如何确定MOSFET的驱动电阻.pdf 977KB2019-10-08 11:34 张兴柱之MOSFET分析.pdf 1.6M2019-10-08 11:34 MOSFET驱动电路设计参考.pdf 369KB2019-10-08 11:34 MOSFET的雪崩能量与器件的热性能.doc 264KB2019-10-08 11:34 mos管的最大持续电流是如何确定.pdf 929KB2019-10-08 11:34 (核心)功率MOSFET的特性.pdf 3.8M2019-10-08 11:34 MOSFET选型手册(ALPHA&OMEGA).pdf …………
上传时间： 2013-07-01
上传用户：eeworm
一种反激同步整流DC TO DC变换器设计
上传时间： 2013-05-18
上传用户：eeworm
两种双管反激型DC／DC变换器的研究和比较
上传时间： 2013-04-15
上传用户：eeworm
专辑类-实用电子技术专辑-385册-3.609G 两种双管反激型DC-DC变换器的研究和比较.pdf
上传时间： 2013-05-28
上传用户：Yukiseop
反激式转换器在笔记本适配器市场很普及，这种转换器工作在电流模式控制，使其非常适合于低成本且坚固的结构。这类转换器的典型应用如图1所示。其中的控制器采用了NCP1271，这一器件工作在固定频率电流模式控制，包含众多的实用特性，如基于定时器的短路保护、提供利于抑制电磁干扰(EMI)信号的频率调制技术，以及工作在软工作模式的跳周期功能，以满足没有可听噪声时的待机能耗要求。这些转换器通常用于低电源输入时工作在连续导电模式(CCM)以降低导电损耗，而在高电源输入时自然转换到非连续导电模式(DCM)工作。在本文的案例中，假定硬件设计已经完成，这表示已经选择好变压器初级电感Lp、变压器匝数比N及剩余元件。TL431单独考虑，等待选择补偿元件。
上传时间： 2013-06-03
上传用户：cjl42111
对反激变压器漏感的一些认识_漏感与气隙的大小关系不大。耦合系数随着气隙的增大而下降。气隙增大会引起效率降低是因为Ipk的增大，漏感能量增大。气隙增大会引起绕组损耗增大是因为气隙扩散损耗的增大。
上传时间： 2014-12-23
上传用户：84425894
