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反渗透技术

  • 两种双管反激型DC/DC变换器的研究和比较.pdf

    实用电子技术专辑 385册 3.609G两种双管反激型DC/DC变换器的研究和比较.pdf

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    上传时间: 2014-05-05

    上传用户:时代将军

  • 地球物理反演

    地球物理反演问题,该文件运用了深度加权函数,截断奇异值分解等技术

    标签: 地球 物理

    上传时间: 2021-09-25

    上传用户:唐海

  • CD40系列CD45系列集成芯片DATASHEET数据手册170个芯片技术手册资料合集: 4000

    CD40系列CD45系列集成芯片DATASHEET数据手册170个芯片技术手册资料合集:4000 CMOS 3输入双或非门1反相器.pdf4001 CMOS 四2输入或非门.pdf4002 CMOS 双4输入或非门.pdf4006 CMOS 18级静态移位寄存器.pdf4007 CMOS 双互补对加反相器.pdf4008 CMOS 4位二进制并行进位全加器.pdf4009 CMOS 六缓冲器-转换器(反相).pdf4010 CMOS 六缓冲器-转换器(同相).pdf40100 CMOS 32位双向静态移位寄存器.pdf40101 CMOS 9位奇偶发生器-校验器.pdf40102 CMOS 8位BCD可预置同步减法计数器.pdf40103 CMOS 8位二进制可预置同步减法计数器.pdf40104 CMOS 4位三态输出双向通用移位寄存器.pdf40105 CMOS 先进先出寄存器.pdf40106 CMOS 六施密特触发器.pdf40107 CMOS 2输入双与非缓冲-驱动器.pdf40108 CMOS 4×4多端寄存.pdf40109 CMOS 四三态输出低到高电平移位器.pdf4011 CMOS 四2输入与非门.pdf40110 CMOS 十进制加减计数-译码-锁存-驱动.pdf40117 CMOS 10线—4线BCD优先编码器.pdf4012 CMOS 双4输入与非门.pdf4013 CMOS 带置位-复位的双D触发器.pdf4014 CMOS 8级同步并入串入-串出移位寄存器.pdf40147 CMOS 10线—4线BCD优先编码器.pdf4015 CMOS 双4位串入-并出移位寄存器.pdf4016 CMOS 四双向开关.pdf40160 CMOS 非同步复位可预置BCD计数器.pdf40161 CMOS 非同步复位可预置二进制计数器.pdf40162 CMOS 同步复位可预置BCD计数器.pdf40163 CMOS 同步复位可预置二进制计数器.pdf4017 CMOS 十进制计数器-分频器.pdf40174 CMOS 六D触发器.pdf40175 CMOS 四D触发器.pdf4018 CMOS 可预置 1分N 计数器.pdf40181 CMOS 4位算术逻辑单元.pdf40182 CMOS 超前进位发生器.pdf4019 CMOS 四与或选译门.pdf40192 CMOS 可预制四位BCD计数器.pdf40193 CMOS 可预制四位二进制计数器.pdf40194 CMOS 4位双向并行存取通用移位寄存器.pdf4020 CMOS 14级二进制串行计数-分频器.pdf40208 CMOS 4×4多端寄存器.pdf4021 CMOS 异步8位并入同步串入-串出寄存器.pdf4022 CMOS 八进制计数器-分频器.pdf4023 CMOS 三3输入与非门.pdf4024 CMOS 7级二进制计数器.pdf4025 CMOS 三3输入或非门.pdf40257 CMOS 四2线-1线数据选择器-多路传输.pdf4026 CMOS 7段显示十进制计数-分频器.pdf4027 CMOS 带置位复位双J-K主从触发器.pdf4028 CMOS BCD- 十进制译码器.pdf4029 CMOS 可预制加-减(十-二进制)计数器.pdf4030 CMOS 四异或门.pdf4031 CMOS 64级静态移位寄存器.pdf4032 CMOS 3位正逻辑串行加法器.pdf4033 CMOS 十进制计数器-消隐7段显示.pdf4034 CMOS 8位双向并、串入-并出寄存器.pdf4035 CMOS 4位并入-并出移位寄存器.pdf4038 CMOS 3位串行负逻辑加法器.pdf4040 CMOS 12级二进制计数-分频器.pdf4041 CMOS 四原码-补码缓冲器.pdf4042 CMOS 四时钟控制 D 锁存器.pdf4043 CMOS 四三态或非 R-S 锁存器.pdf4044 CMOS 四三态与非 R-S 锁存器.pdf4045 CMOS 21位计数器.pdf4046 CMOS PLL 锁相环电路.pdf4047 CMOS 单稳态、无稳态多谐振荡器.pdf4048 CMOS 8输入端多功能可扩展三态门.pdf4049 CMOS 六反相缓冲器-转换器.pdf4050 CMOS 六同相缓冲器-转换器.pdf4051 CMOS 8选1双向模拟开关.pdf4051,2,3.pdf4052 CMOS 双4选1双向模拟开关.pdf4053 CMOS 三2选1双向模拟开关.pdf4054 C

    标签: cd40 cd45 datasheet

    上传时间: 2021-11-09

    上传用户:kent

  • 准谐振反激式电源设计之探讨.pdf

    低成本和高可靠性是离线电源设计中两个最重要的目标。准谐振(Quasi resonant) 设计为设计人员提供了可行的方法,以实现这两个目标。准谐振技术降低了MOSFET 的开关损耗,从而提高可靠性。此外,更软的开关改善了电源的EMI 特性,允许设计人员减少使用滤波器的数目,因而降低成本。本文将描述准谐振架构背后的理论及其实施,并说明这类反激式电源的使用价值。

    标签: 电源

    上传时间: 2021-11-23

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  • 多源数据融合的三维实景建模与可视化技术研究及应用

    战场环境是影响战争胜负走向的关键因素,其中地形是战场环境的主要构成。随着军事技术的变革、精确打击和精确斩首武器的运用,传统二维地图的局限性已经无法满足军事训练和军事指挥方面的需求。而对于当前的三维战场地形,快速进行地形模型构建、地形模型精细化以及海量数据可视化呈现的要求显得越来越高。因此,本文为构建真实的三维战场地理环境及可视化进行了深入研究。本文选用倾斜摄影技术与 Cesium可视化库进行真实三维地形的建立及可视化平台的搭建,以西安工业大学未央校区做为典型应用实例进行城市作战可视化开发。首先,本文介绍了三维实景建模与可视化相关理论;论述了在Web端进行可视化开发的优势;提出了倾斜摄影测量技术对三维战场地形构建时存在的问题及解决办法。其次,本文制定了战场环境多源数据采集方案以及基于 Smart3D多源数据融合建模流程。制作了三维战场地形数据并进行了模型质量分析,包括模型的纹理精度、几何精度和地理坐标精度。确保生成的地形数据满足逼真的可视化视觉效果及地形对地面人员装备的各种干涉作用的真实性最后,本文在前三章的基础上采用BS三层架构的方式,通过 Cesium、HTLM,JavaScript等语言进行战场环境可视化平台的搭建,实现了城市化作战的三维战场环境构建。同时本文基于 Cesium完成了模型单体化和模型驱动等功能本课题对三维战场地形环境构建与可视化研究具有重要意义。本文提出的战场环境构建方法可以运用到各种战场环境的构建,包括山地丘陵的作战地形环境构建、城市反恐作战等。通过可视化平台的加载可以直观、真实了解战场环境。通过模型驱动完成战场中各种演示效果。关键词:多源数据融合;倾斜摄影测量:三维建模;Cesium:三维战场环境可视化:CZML

    标签: 数据融合

    上传时间: 2022-03-17

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  • 基于LLC谐振电路的高效率ACDC变换技术研究阻抗特性

    随着电力电子技术的飞速发展,高频开关电源由于其诸多优点已经广泛深入到国防、工业、民用等各个领域,与人们的工作、生活密切相关,由此引发的电网谐波污染也越来越受到人们的重视,对其性能,体积,效率,功率密度等的要求也越来越高。因此,研究具有高功率因数、高效率的ACDC变换技术,对于抑制谐波污染、节钓能源及实现绿色电能变换具有重要意义通过分析目前功率因数校正PFC)技术与直流变换(DcDC)技术的研究现状,采用了具有两级结构的AcDc变换技术,对PFC控制技术,直流变换软开关实现等内容进行了研究。前级PFC部分采用先进的单周期控制技术,通过对其应用原理、稳定性与优势性能的研究,实璄了主电路及控电路的参数设计与优化,简化了PFC控制电路结构、根据控制电路特点与系統环路稳性要求,完成了电流环路与整个控制环路设计,确保了系统稳定性,提高了系统动态响应。通过建立电路闭环仿真模型,验证了单周期控制抑制输入电压与负载扰动的优势性能及连续功率因数校正的优点,优化了电路参数后级直流变换主电路采用LLC谐振拓扑,通过变频控制使直流变换环节具有轼开关特性。分析了不同开关频率范围内电路工作原理,并建立了基波等效电路,采用基波分析法对VLc需城电路的电反增益性,输入阻抗持性进行了研究,确定了电路软开关工作范图。以基波分析结果为基础进行了合理的电路参数优化设计,保证了直流变换环节在全输入电压范围、全负载范围内能实现桥臂开关管零电压开通zVS},较大范围内边整流二极管零电流关断区CS),并将谐振电路中的电压电流应力降到最小,极大的提高了系统效率同时,为了提高系统功率密度,选择了优化的磁性元器件结构,实现了谐振感性元件与变压器的磁性器件集成,大大减小了变换电路的体积在理论研究与参数设计的基础上,搭建了实验样机,分别对PFC部分和DcDC部分进行了实验验证与结果分析。经实验验证ACDc变换电路功率因数在0.988以上,直瓿变换电路能实现全范图软开关,实现了高效率AcDC变换。关键词:ACDC变换:功率因数校正:;高效率;LLC谐振电路:单周期控制

    标签: llc 谐振电路

    上传时间: 2022-03-24

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  • 永磁无刷直流电机技术的基础资料

    永磁元;自n交流电机被认为是21 世纪最有发展前途和广泛应用前景的电子控能电貌。本书着重对永磁无踊3支流电机与控制技术的定要问题进行较深入的研究分析和介绍,包指无刷3主流电动机与永磁同步电动机的结构和性能比较;元刷直流电机数学模搜;计及绕组电感的特性与参数计算方法;分数糟集中绕组和多相绕组;不肉相数绕组连接和导通方式的分析与比较:气隙磁通密度的计算:反电动势波形和反电动势计算z 霍尔传感器位置分布~规律分析和确定方法:无剿宽流电机设计要素前选择;±蔡尺寸基本关系式考虑电感影响的修正;应粘性思尼系数确定电机主要尺寸的方法;整数槽和分数槽绕组元崩豆豆流传Z板的电枢反应:转短波动及其抑制方法;齿槽转矩及其削弱方法:宠剿直流电机基本控制技术E 元传感器控制技术;低成本正弦波控鹅技术:总相元麟直流电机与控制等。2秘书同时综合介绍国内外元;到直流电机与控制技术最新进展动态和研究成泉。每章后附有相关参考文献,便于读者跟踪和进一步深入研究。本书遵循理论研究与实用技术相结合的编写原则,可供即将从事或正在从事与元刷直流电机有关的研究开发、设计、生产、控制和应用的科技人员、管理人员,以及大专院校教师、学生和研究生参考。

    标签: 永磁无刷直流电机

    上传时间: 2022-04-10

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  • PFC技术详解

    PFC基础知识-PF的定义1功率因数(Power Factor)的定义是指输入有功功率(p)和视在功率(S)的比值;线性电路功率因数可用Cos表示,为正弦电流与正弦电压的相位差;但是由于整流电路中二极管的非线性,导致输入电流为严重的非正弦波形,用cosp已不能表示整流电路的功率因数;常规直接整流电路的滤波电容使输出电压平滑,但却使输入电流变为尖脉冲,并产生高次谐波分量。输入电流波形变,导致功率因数下降,污染电网,甚至造成电子设备损坏。引入功率因数校正是必要的利用功率因数校正技术可A/全跟踪交流输入电压波形,流输入电流波形完使输入电流波形皇纯正弦波,并且与输入电压波形相位,,此时整流器的货载可等效为纯电阻。根据常用功率因数校正方法可分为有源功率因数校正(APFC)技术与无源功率因数校正(PPFC)技术。它置于桥式整流器与滤波用电解电容器之间,实际上是一种DC-DC变换器。无源功率因数校正是利用电感和电容组成滤波器,对输入电容进行移相和整形。有源功率因数校正(APFC:Active Power Factor Correction),在负载即电力电子装置本身的整流器和滤波电容之间增加一个功率变换电路,将整流器的输入电流校正成为与电网电压同相位的正弦波,消除了谐波和无功电流,因而将电网功率因数提高到近似为1.APFC电路常用拓扑:升压式(Boost)降压式(Buck)升/降压式(Buck/Boost)反激式(Fly back)APFC电路形式:单极式 双极式单相PFC 三相PFCBoost变换电路是有源功率因数校正器主回路拓扑的极好选择。优点:输入电流连续,因而产生低的传导噪声和最好的输入电流波形;缺点:需要比输入峰值电压还要高的输出电压。

    标签: pfc

    上传时间: 2022-05-28

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  • 电力电子变换器PWM策略与电流控制技术PDF电子书

     本书中,系统地介绍了现代电力电子变换装置及其PWM控制策略,具有内容系统全面、范例丰富详尽、原理深入浅出、理论与实际紧密结合等特点。第1~9章主要关注脉宽调制技术;第10~16章主要关注电流控制技术。其中,第1章和第2章讲述两种基本的PWM控制策略;第3章介绍PWM控制中的三相逆变器的过调制问题;第4~6章是对不同PWM控制方法的详细介绍;第7章介绍了PWM控制中的电磁干扰问题;第8章和第9章讲述了多重与多相功率变换器的PWM控制策略;第10~15章分别以同步电机和直流电源为例详细介绍了各种不同的电流控制方法;第16章介绍了多电平变换器的电流控制方法。  译者序  引言  第1章用于两电平三相电压型逆变器的载波脉宽调制1  11引言1  12参考电压va ref、vb ref、vc ref3  13参考电压Pa ref、Pb ref、Pc ref6  14va、vb、vc与Pa、Pb、Pc之间的联系8  15PWM信号的产生8  151反锯齿波8  152传统锯齿形载波11  153三角形载波12  154说明16  

    标签: 电力电子变换器 pwm 电流控制

    上传时间: 2022-06-23

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  • 3V10A低压大电流反激式同步整流开关电源的研究与设计

    近年来,随着电子技术的快速发展,使得低电压、大电流电路为未来主要发展趋势。低电压、大电流工作有利于提高工作电路的整体功率,但同时也给电路设计带来了新的问题。传统的变换器中常采用普通二极管或肖特基二极管整流方式,在低压、大电流输出的电路中,应用传统二极管整流的电路,其整流的损耗比较大,工作效率比较低。一般普通二极管的压降为1.0-1.3V,即便应用压降较低的肖特基二极管(SBD),产生压降一般也要有0.5V左右,从而使整流的损耗增加,电源的工作效率降低,己经不能满足现代开关电源高性能的需求。因此,应用同步整流(SR)技术可达到此要求,即应用功率MOS管代替传统的二极管整流。由于功率MOS管具有导通电阻很低、开关时间较短、输入阻抗很高的特点,很大程度的减少了开关功率MOS管整流时的损耗,使得工作效率有一个显著提高,因此功率MOS管以成为低压大电流功率变换器首选的整流器件。要想得到经济、高效的变换器,同步整流技术与反激变换器电路结合将会是一个很好的选择。反激变换器拓扑电路的优点是电路结构简单、输入与输出电气隔离、输入、输出工作电压范围较宽,可以实现多路的输出,因而在高电压、低电流的场合应用广泛,特别是在5~200W电源中一般采用反激变换器。

    标签: 开关电源

    上传时间: 2022-06-25

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