双IGBT
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双向可控硅
双向可控硅的使用方法 双向可控硅是在普通可控硅的基础上发展而成的,它不仅能代替两只反极性并联的可控硅,而且仅需一个触发电路,是比较理想的交流开关器件。其英文名称TRIAC即三端双向交流开关之意。
2024-02-02
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采用FPGA的多路高压IGBT驱动触发器研制
为有效控制固态功率调制设备,提高系统的可调性和稳定性,介绍了一种基于现场可编程门阵列( FPGA)和微控制器(MCU) 的多路高压IGBT 驱动触发器的设计方法和实现电路。该触发器可选择内或外触发信号,可遥控或本控,能产生多路频率、宽度和延...
2013-10-22
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采用FPGA的多路高压IGBT驱动触发器研制
为有效控制固态功率调制设备,提高系统的可调性和稳定性,介绍了一种基于现场可编程门阵列( FPGA)和微控制器(MCU) 的多路高压IGBT 驱动触发器的设计方法和实现电路。该触发器可选择内或外触发信号,可遥控或本控,能产生多路频率、宽度和延...
2013-10-17
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N+缓冲层对PT-IGBT通态压降影响的研究
N+缓冲层设计对PT-IGBT器件特性的影响至关重要。文中利用Silvaco软件对PT-IGBT的I-V特性进行仿真。提取相同电流密度下,不同N+缓冲层掺杂浓度PT-IGBT的通态压降,得到了通态压降随N+缓冲层掺杂浓度变化的曲...
2013-11-12
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