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Cree公司生产的SiC MOSFET器件,型号C2M00802012D,在应用器件前需要进行双脉冲实验,实验中用到的主电路原理图(包括PCB文件),驱动和测试原理介绍提供在附件中。其中PCB文件是Gerber文件格式,可以直接交厂制作,不...

2015-12-01 6 双缓冲区

自七十年代中期以来,模数转换器(ADC)的结构与集成工艺有了较大进展,性能得到较大改善,其中包括:高转换速率、高分辨率、低失真以及开关电容输入结构、单电源工作等。从而使设计人员在为特定的ADC

2023-12-09 4 双缓冲区