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双稳态

在一个动力系统中,双稳态意味着系统有两个稳定平衡状态。这两个稳定态未必在储能上对称。
  • 无源双端全隔离方案的技术要点及应用实效

    无源双端全隔离方案,是在两端通信设备接口与通信线路之间各串入一只新型无源串口隔离器,从而使两端设备接口得到"均等而有效"的保护。通过电路形式、振荡频率、元器件参数及变压器绕组匝数变比的优化创新,解决了新型隔离器串口窃电的微功耗高效率隔离传输、由单电源形成双极性逻辑电平、以及两端隔离器的通用性和自环状态下的电能平均分配等关键问题。2010年以来,大庆油田处于该隔离器保护之下的90台通信设备的接口从未因雷击损坏,并能方便地进行自环测试。

    标签: 无源 双端 方案 隔离

    上传时间: 2014-12-24

    上传用户:Wwill

  • 基于UC3842的单端反激式隔离开关稳压电源的设计

    基于UC3842的单端反激式隔离开关稳压电源的设计

    标签: 3842 UC 单端反激式 隔离开关

    上传时间: 2013-11-14

    上传用户:tuilp1a

  • 常用晶体管稳压电源

    常用晶体管稳压电源

    标签: 常用晶体 稳压电源

    上传时间: 2013-10-14

    上传用户:waitingfy

  • 直流双闭环PWM调速系统的课程设计

    数字式直流电机双闭环调速系统设计

    标签: PWM 直流双闭环 调速系统

    上传时间: 2013-11-06

    上传用户:座山雕牛逼

  • N+缓冲层对PT-IGBT通态压降影响的研究

     N+缓冲层设计对PT-IGBT器件特性的影响至关重要。文中利用Silvaco软件对PT-IGBT的I-V特性进行仿真。提取相同电流密度下,不同N+缓冲层掺杂浓度PT-IGBT的通态压降,得到了通态压降随N+缓冲层掺杂浓度变化的曲线,该仿真结果与理论分析一致。对于PT-IGBT结构,N+缓冲层浓度及厚度存在最优值,只要合理的选取可以有效地降低通态压降。

    标签: PT-IGBT 缓冲层

    上传时间: 2013-11-12

    上传用户:thesk123

  • 单输入双输出降压型DCDC电源设计

    主要讲解单输入双输出降压型DC_DC电源设计

    标签: DCDC 输入 电源设计 输出

    上传时间: 2013-11-09

    上传用户:flg0001

  • 直流可调稳压电源的设计与Proteus仿真应用

    直流可调稳压电源的设计与Proteus仿真应用

    标签: Proteus 直流 可调稳压电源 仿真

    上传时间: 2013-12-27

    上传用户:ruan2570406

  • 基于bq24161+TPS2419的双电池供电方案设计分析

    随着便携式终端产品处理能力的不断提升以及功能的不断丰富,终端产品的功耗也越来越大,因此待机时间就成为产品的关键性能指标之一。由于便携式终端设备受到体积的限制,不能简单地通过不断增加单节锂电池容量来延长待机时间,因此主电池+备电池的双电池供电方案不啻成为延长待机时间的优选方案。本文介绍了基于充电管理芯片bq24161 以及ORing 控制芯片TPS2419 的双电池供电方案的设计,文中分析了双电池供电方案的设计要求,给出了设计框图以及原理图,在此基础上分析了充电管理电路、ORing 电路的具体设计方法,并且详细分析了各部分电路的工作原理。基于所设计的电路,对其供电可靠性等性能指标进行了测试。测试内容包括在静态负载电流以及动态负载电流条件下,备电插入、拔出过程中对系统供电可靠性的测试。测试结果表明:该方案能够在备电插入、拔出过程中保证系统供电的可靠性,并且能够对充电管理电路进行灵活管理,是一个适合于多种终端设备的双电池供电解决方案。

    标签: 24161 2419 TPS bq

    上传时间: 2014-12-24

    上传用户:u789u789u789

  • 常用稳压二级管技术参数合成版

    常用稳压二级管技术参数

    标签: 常用稳压 二级 合成 技术参数

    上传时间: 2013-10-23

    上传用户:sammi

  • 一种无片外电容LDO的瞬态增强电路设计

    利用RC高通电路的思想,针对LDO提出了一种新的瞬态增强电路结构。该电路设计有效地加快了LDO的瞬态响应速度,而且瞬态增强电路工作的过程中,系统的功耗并没有增加。此LDO芯片设计采用SMIC公司的0.18 μm CMOS混合信号工艺。仿真结果表明:整个LDO是静态电流为3.2 μA;相位裕度保持在90.19°以上;在电源电压为1.8 V,输出电压为1.3 V的情况下,当负载电流在10 ns内由100 mA降到50 mA时,其建立时间由原来的和28 μs减少到8 μs;而在负载电流为100 mA的条件下,电源电压在10 ns内,由1.8 V跳变到2.3 V时,输出电压的建立时间由47 μs降低为15 μs。

    标签: LDO 无片外电容 瞬态 电路设计

    上传时间: 2013-12-20

    上传用户:niumeng16