双电层电容
共 168 篇文章
双电层电容 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 168 篇文章，持续更新中。
第12讲 互补输出级
模电
基于新型CCCII电流模式二阶带通滤波器设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">针对传统第二代电流传输器（CCII）电压跟随不理想的问题，提出了新型第二代电流传输器（CCCII）并通过采用新型第二代电流传输器（CCCII）构成二阶电
第22讲 有源滤波电路
模电
LDO线性稳压器动态频率补偿电路设计
摘要：对LDO线性稳压器关键技术进行了分析，重点分析了LDO稳压器的稳定性问题，在此基础上提出了一种新型的动态频率补偿电路，利用MOS管的开关电阻、寄生电容等构成的电阻电容网络，通过采样负载电流而改变MOS开关管的工作点或工作状态，即改变开关电阻、寄生电容的值，从而实现动态的频率补偿。与传统方法相比，该电路大大提高了系统的瞬态响应性能。<br />
关键词：LDo；稳定性；ESR；动态频率补偿
分层隔离技术文档
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利用序列光耦合器建立双隔离栅会存在一些问题，因为数据完整性很差，而且没有一种紧凑和廉价的方式为两个隔离栅之间的接口提供电源。随着iCoupler®等高性能数字隔离器以及isoPower®器件集成电源的问世，通过分层隔离器建立高压隔离栅现在已经成为一种可行解决方案。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img
LM393中文资料
<span style="color: rgb(51, 51, 51); font-family: Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif, 宋体; font-size: 14px; line-height: 25px; text-align: left; background-color: rgb(247, 253, 255); ">LM393是双电压比较器集
3GHz射频信号源模块GR6710
产品概要： 3GHz射频信号源模块GR6710是软件程控的虚拟仪器模块，可以通过测控软件产生9kHz到3GHz的射频信号源和AM/FM/CW调制输出，具有CPCI、PXI、SPI、RS232、RS485和自定义IO接口。 产品描述： 3GHz射频信号源模块GR6710是软件程控的虚拟仪器模块，可以通过测控软件产生9kHz到3GHz的射频信号源和AM/FM/CW调制输出，还可以通过IQ选件实现其它任
高等模拟集成电路
近年来，随着集成电路工艺技术的进步，电子系统的构成发生了两个重要的变化： 一个是数字信号处理和数字电路成为系统的核心，一个是整个电子系统可以集成在一个芯片上（称为片上系统)。这些变化改变了模拟电路在电子系统中的作用，并且影响着模拟集成电路的发展。 数字电路不仅具有远远超过模拟电路的集成规模，而且具有可编程、灵活、易于附加功能、设计周期短、对噪声和制造工艺误差的抗扰性强等优点，因而大多数复杂系统以数
任意波发生器的研究与设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">在任意波形发生器设计中，DDS技术具有成本低、功耗小、分辨率高和切换时间快等优点，但波形形状任意可编辑性较差；软件无线电技术可产生任意复杂波形，但切换时
双极运算放大器的辐射效应和退火特性
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本文介绍了O P207 双极运算放大器的60CoC射线、不同能量电子和质子的辐照试验以及60CoC和电子辐射损伤在室温和100℃高温条件下的退火效应, 揭示了双极运算放大器电参数对不同射线的辐照响应规律; 研究了不同辐射源对双极运算放大器的不同辐射损伤机理; 并对质子辐照损伤程度与能量的依赖关系以及质子辐照损伤同60CoC和电子辐照损伤的差异进了探讨. 结果表明, 界面态的产生是6
电容器专题讲座
电容器专题讲座(一，常用电容器分类）(二，电容器的电气特性）(三，陶瓷电容器）(四，铝电解电容器）(五，固体钽电容器）
整流滤波电容的设计与选用方法研究
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">整流滤波电路是直流稳压电源设备中常用电路，其中滤波电容的设计选取，直接影响到纹波电压的大小，关系到输出直流电压的质量。本文通过在设定条件下，依据整流滤波
intersil公司的旁路电容的使用与选择资料
旁路电容的使用与选择，intersil公司的旁路电容的使用与选择资料。
CoolMos的原理、结构及制造
对于常规VDMOS器件结构， Rdson与BV存在矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson增大。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。<br />
但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区
基于555芯片的电容测试仪的设计
本文介绍了使用两块555芯片和一块324芯片设计一个电容测试仪的实际电路，实现了将电容容值通过数字电压表的直流档直接读出来的功能。并在文后给出了实验数据。
实际应用条件下Power+MOSFET开关特性研究
摘要：从功率MOSFET内部结构和极间电容的电压依赖关系出发，对功率MOSFET的开关现象及其原因进行了较<BR>深入分析。从实际应用的角度，对功率MOSFET开关过程的功率损耗和所需驱动功率进行了研究，提出了有关参数的计算<BR>方法，并对多种因素对开关特性的影响效果进行了实验研究，所得出的结论对于功率MOSFET的正确运用和设计合理的<BR>MoSFET驱动电路具有指导意义．
大学物理实验RC电路时间常数的Multisim仿真测试
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">基于探索大学物理电学实验仿真技术的目的，采用Multisim10仿真软件对RC电路时间常数参数进行了仿真实验测试。从RC电路电容充、放电时电容电压uC的表达式出发，分析了uC与时间常数之间的关系，给出了几种Multis
电容值的读取方法
常见电容值的读取方法