双电层电容

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双电层电容 相关的电子技术资料,包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等,共 168 篇文章,持续更新中。

心电信号调理电路设计

<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">心电(Electrocardiograph)作为人体重要的生理及病理指标之一,具有重要的医学研究价值。针对其信号微弱、频率低、阻抗高、随机性强及易受干扰

SIMATIC逻辑堆栈指令

9.16 SIMATIC 逻辑堆栈指令<BR>栈装载与 (ALD)<BR>ALD 指令对堆栈中的第一层和第二层的值进行逻辑与操作结<BR>果放入栈顶执行完 ALD 指令后堆栈深度减 1<BR>操作数 无<BR>栈装载或 (OLD)<BR>OLD 指令对堆栈中的第一层和第二层的值进行逻辑或操作<BR>结果放入栈顶执行完 OLD 指令后堆栈深度减 1<BR>操作数 无<BR>逻辑推入栈<BR>LPS

一种改进的线性图像插值算法

<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">针对传统的双线性插值法在对图像进行插值后会不可避免的产生边缘模糊的问题,提出了一种改进的线性插值法,该算法首先把待插值点分为三类,然后分别选取合适的已知

斩波稳定(自稳零)精密运算放大器

要想获得最低的失调和漂移性能,斩波稳定(自稳零)放大器可能是唯一的解决方案。最好的双极性放大器的失调电压为25 V,漂移为0.1 V/&ordm;C。斩波放大器尽管存在一些不利影响,但可提供低于5 V的失调电压,而且不会出现明显的失调漂移,<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/829019-130R2163GG08.jpg"

铝电解电容器:详细介绍原理,应用,使用技巧

<P class=diarycontent style="MARGIN: 0cm 0cm 0pt; LAYOUT-GRID-MODE: char; LINE-HEIGHT: 12pt; mso-pagination: none"><FONT size=3>铝电解电容器:详细介绍原理,应用,使用技巧<p></p></FONT></P> <P class=MsoNormal style="MARGIN

大动态范围AGC系统的构建与仿真

针对科研实践中需要采集大动态范围模拟信号的问题,构建基于可变增益放大器8369的数字AGC系统。采用基于双斜率滤波技<BR>术的设计,给出AGC控制算法的实现流程,利用Matlab仿真引入算例证明算法的可行性,并讨论算法中关键参数取值对控制精度的影响。<BR>实际系统达到50dB动态范围的设计目标。

模电的学习重点

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数电知识整理

很全的数电知识

电容应用详解

电容在电路中的应用

运算放大器是模拟系统的主要构件

<div> 运算放大器是模拟系统的主要构件。它们可以提供增益、缓冲、滤波、混频和多种运算功能。在系统结构图中,运算放大器用三角形表示,有五个接点:正极电源、负极电源、正极输入、负极输入和输出,如图1(所有图片均在本文章最后)所示。电源脚用来为器件加电。它们可以连接 +/- 5V 电源,或在特殊考虑的情况下,连接 +10V 电源并接地。输入与输出之间的关系直截了当:Vout = A (Vin+ -

模电全集

模电ppt教学和学学习的宝典

时钟分相技术应用

<p> 摘要: 介绍了时钟分相技术并讨论了时钟分相技术在高速数字电路设计中的作用。<br /> 关键词: 时钟分相技术; 应用<br /> 中图分类号: TN 79  文献标识码:A   文章编号: 025820934 (2000) 0620437203<br /> 时钟是高速数字电路设计的关键技术之一, 系统时钟的性能好坏, 直接影响了整个电路的<br /> 性能。尤其现代电子系统对性

模拟电子技术试卷

模电试卷

模电答案

模电答案

晶体管代换手册下载

<P>为使本书成为国内目前<BR>  最新、最全、最适用的晶体管<BR>  代换手册,编者根据国内外<BR>  出版的最新资料,在1992年<BR>  最新增订版的基础上,又增<BR>  加了数千种日本晶体管和数<BR>  千种欧州晶体管型号及其代<BR>  换的国内外型号,并且,还介<BR>  绍了美国1985年以前生产<BR>  的3N型场效应管及其代换<BR>  型号。<BR>  本手册介绍

MOS管驱动基础和时间功耗计算

MOS关模型 <P>Cgs:由源极和沟道区域重叠的电极形成的,其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd:是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠,第二是耗尽区电容(非线性)。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。Cds:也是非线性的电容,它是体二极管的结电容,也是和电压相关的。这些电容都是由Spec上面的Crss,Ciss和Coss决定的。由于Cgd同时在输入和输

电容三点式正弦波振荡电路 multisim 仿真

电容三点式正弦波振荡电路 multisim 仿真

小型化电容加载腔体滤波器设计

<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px;">利用电容加载传输线缩短理论,重新设计腔体滤波器的内部结构,利用T型梳状结构实现加载电容,减小腔体尺寸。仿真设计并实际加工出一个中心频率为2.4GHz的带通

第16讲 反馈的概念及判断

模电

放大器及数据转换器选择指南

德州仪器(TI)通过多种不同的处理工艺提供<BR>了宽范围的运算放大器产品,其类型包括<BR>了高精度、微功耗、低电压、高电压、高<BR>速以及轨至轨。TI还开发了业界最大的低<BR>功耗及低电压运算放大器产品选集,其设<BR>计特性可满足宽范围的多种应用。为使您<BR>的选择流程更为轻松,我们提供了一个交<BR>互式的在线运算放大器参数搜索引擎——<BR>amplifier.ti.com/sea