双电层电容
共 168 篇文章
双电层电容 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 168 篇文章，持续更新中。
声卡虚拟示波器
功能简介 虚仪声卡万用仪是一个功能强大的基于个人电脑的虚拟仪器。它由声卡实时双踪示波器、声卡实时双踪频谱分析仪和声卡双踪信号发生器组成，这三种仪器可同时使用。本仪器内含一个独特设计的专门适用于声卡信号采集的算法，它能连续监视输入信号，只有当输入信号满足触发条件时，才采集一幀数据，即先触发后采集，因而不会错过任何触发事件。这与同类仪器中常用的先采集一长段数据，然后再在其中寻找触发点的方式，即先采集后
数电实验6
数电实验6电路图
电解电容的应用介绍
电解电容的应用
模电第五版高等教育出版社课后答案
模电参考答案
适合过程控制应用的完全可编程通用模拟前端
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本电路针对过程控制应用提供一款完全可编程的通用模拟前端(AFE)，支持2/3/4线RTD配置、带冷结补偿的热电偶输入、单极性和双极性输入电压、4 mA至20 mA输入，串行控制的8通道单刀单掷开关ADG1414用于配置选定的测量模式。
具体应用的电容感应系统设计
在许多消费电子产品及白色家电应用中，新兴的电容感应按钮正作为一个流行的用户界面替代机械开关。然而，电容感应界面设计也会带来挑战，在新产品研发、生产及质量控制等方面都可能会出现问题。例如，不同线路板的电容感应按钮寄生电容(CP )可能不同，环境变化（例如温度及湿度）也可能会改变CP。系统不同噪声也不相同。<br />
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数电Verilog相关课件
数电Verilog相关课件
华为模电讲义（上）
模拟电子技术
基于NSCT域各向异性双变量萎缩图像去噪
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">提出了一种用各向异性双变量拉普拉斯函数模型去模拟NSCT域的系数的图像去噪算法，这种各向异性双边拉普拉斯模型不仅考虑了NSCT系数相邻尺度间的父子关系，
SiCOI MESFET的特性分析
使用ISE-TCAD二维器件仿真软件,对SiCOI MESFET的电学特性进行模拟分析。结果表明,通过调整器件结构参数,例如门极栅长、有源层掺杂浓度、有源区厚度等,对器件转移特性、输出特性有较大影响。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-120222105RbW.jpg" style="width: 404px; h
基于计算全息的菲涅尔双随机相位加密技术
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">基于傅里叶计算全息技术，结合菲涅尔双随机相位加密系统，提出了一种数字图像加密方法。该方法以傅里叶计算全息图记录菲涅尔衍射双随机相位加密图像，傅里叶计算全
VISHAY ESTA功率电容选型指导
VISHAY ESTA功率电容选型指导.<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-120320142409338.jpg" style="width: 227px; height: 181px" />
机翼极限环振荡仿真与计算
<span id="LbZY">机翼极限环振荡（LCO）是典型的非线性气动弹性问题，严重的会造成机翼的结构破坏。为了精确捕捉极限环振荡初始临界点，准确预测极限环的幅值，为机翼的设计提供准确的数据参考，本文综合考虑了气动与结构非线性的影响，提出了一种松耦合气动弹性仿真方法。在子迭代过程中分别采用LUSGS双时间推进和多步推进法交替求解气动和结构动力学方程；一种高效的插值技术应用于耦合界面数据的映射与
采用FemtoCharge技术的高速、高分辨率、低功耗的新一代ADC
先进的系统架构和集成电路设计技术，使得模数转换器 (ADC) 制造商得以开发出更高速率和分辨率，更低功耗的产品。这样，当设计下一代的系统时，ADC设计人员已经简化了很多系统平台的开发。例如，同时提高ADC采样率和分辨率可简化多载波、多标准软件无线电系统的设计。这些软件无线电系统需要具有数字采样非常宽频范围，高动态范围的信号的能力，以同步接收远、近端发射机的多种调制方式的高频信号。同样，先进的雷达系
CoolMOS导通电阻分析及与VDMOS的比较
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为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS
电路分析基础-ppt教程
<P>第一章 基 础 知 识<BR>由电阻、电容、电感等集中参数元件组成的电路称为集中电路。<BR>1.1 电路与电路模型<BR>1.2 电路分析的基本变量<BR>1.3 电阻元件和独立电源元件<BR>1.4 基尔霍夫定律<BR>1.5 受 控 源<BR>1.6 两类约束和KCL，KVL方程
了解ADF7021的AFC环路并为实现最小前同步码长度而进行优化
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无线电通信网络中的远程收发器使用自己的独立时钟源。因此，这些收发器容易产生频率误差。当发射机启动通信链路时，关联的接收机需要在数据包的前同步码阶段校正这些误差，以确保正确的解调<br />
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