双系统启动菜单修复工具
上传时间： 2013-10-23
上传用户：ztj182002
2013双面板制版流程
上传时间： 2014-03-01
上传用户：丶灬夏天
定制简单LED的IP核的设计源代码
上传时间： 2013-10-19
上传用户：gyq
基于FPGA的GPIB接口IP核的研究与设计
上传时间： 2013-10-19
上传用户：wudu0932
ISE新建工程及使用IP核步骤详解
上传时间： 2015-01-01
上传用户：liuxinyu2016
ISE_IP核创建教程及DDR3_ip核使用注意事项
上传时间： 2015-01-01
上传用户：wangyi39
NiosII软核处理器是Altera公司开发，基于FPGA操作平台使用的一款高速处理器，为了适应高速运动图像采集，提出了一种基于NiosII软核处理的步进电机接口设计，使用verilog HDL语言完成该接口设计，最后通过QuartusII软件，给出了实验仿真结果。
上传时间： 2015-01-02
上传用户：妄想演绎师
以Altera公司的Quartus Ⅱ 7.2作为开发工具，研究了基于FPGA的DDS IP核设计，并给出基于Signal Tap II嵌入式逻辑分析仪的仿真测试结果。将设计的DDS IP核封装成为SOPC Builder自定义的组件，结合32位嵌入式CPU软核Nios II，构成可编程片上系统（SOPC），利用极少的硬件资源实现了可重构信号源。该系统基本功能都在FPGA芯片内完成，利用 SOPC技术，在一片 FPGA 芯片上实现了整个信号源的硬件开发平台，达到既简化电路设计、又提高系统稳定性和可靠性的目的。
上传时间： 2013-12-22
上传用户：forzalife
基于Actel FPGA 的双端口RAM 设计双端口RAM 芯片主要应用于高速率、高可靠性、对实时性要求高的场合，如实现DSP与PCI 总线芯片之间的数据交换接口电路等。但普通双端口RAM 最大的缺点是在两个CPU发生竞争时，有一方CPU 必须等待，因而降低了访问效率。IDT 公司推出的专用双端口RAM 芯片解决了普通双端口RAM 内部竞争问题，并融合了中断、旗语、主从功能。它具有存取速度快、功耗低、可完全异步操作、接口电路简单等优点，但缺点也非常明显，那就是价格太昂贵。为解决IDT 专用双端口RAM 芯片的价格过高问题，广州致远电子有限公司推出了一种全新的基于Actel FPGA 的双端口RAM 的解决方案。该方案采用Actel FPGA 实现，不仅具有IDT 专用双端口RAM 芯片的所有性能特点，更是在价格上得到了很大改善，以A3P060双端口RAM 为例，在相同容量（2K 字节）下，其价格仅为IDT 专用芯片的六分之一。
上传时间： 2013-10-19
上传用户：18165383642
第二部分：DRAM 内存模块的设计技术..............................................................143第一章 SDR 和DDR 内存的比较..........................................................................143第二章 内存模块的叠层设计.............................................................................145第三章 内存模块的时序要求.............................................................................1493.1 无缓冲（Unbuffered）内存模块的时序分析.......................................1493.2 带寄存器（Registered）的内存模块时序分析...................................154第四章 内存模块信号设计.................................................................................1594.1 时钟信号的设计.......................................................................................1594.2 CS 及CKE 信号的设计..............................................................................1624.3 地址和控制线的设计...............................................................................1634.4 数据信号线的设计...................................................................................1664.5 电源，参考电压Vref 及去耦电容.........................................................169第五章 内存模块的功耗计算.............................................................................172第六章 实际设计案例分析.................................................................................178 目前比较流行的内存模块主要是这三种：SDR，DDR，RAMBUS。其中，RAMBUS内存采用阻抗受控制的串行连接技术,在这里我们将不做进一步探讨，本文所总结的内存设计技术就是针对SDRAM 而言(包括SDR 和DDR)。现在我们来简单地比较一下SDR 和DDR，它们都被称为同步动态内存，其核心技术是一样的。只是DDR 在某些功能上进行了改进，所以DDR 有时也被称为SDRAM II。DDR 的全称是Double Data Rate，也就是双倍的数据传输率，但是其时钟频率没有增加，只是在时钟的上升和下降沿都可以用来进行数据的读写操作。对于SDR 来说,市面上常见的模块主要有PC100/PC133/PC166,而相应的DDR内存则为DDR200(PC1600)/DDR266(PC2100)/DDR333(PC2700)。
上传时间： 2013-10-18
上传用户：宋桃子
