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压缩比

  • 高增益K波段MMIC低噪声放大器

      基于0.25gm PHEMT工艺,给出了两个高增益K 波段低噪声放大器.放大器设计中采用了三级级联增加栅宽的电路结构,通过前级源极反馈电感的恰当选取获得较高的增益和较低的噪声;采用直流偏置上加阻容网络,用来消除低频增益和振荡;三级电路通过电阻共用一组正负电源,使用方便,且电路性能较好,输入输出驻波比小于2.0;功率增益达24dB;噪声系数小于3.5dB.两个放大器都有较高的动态范围和较小的面积,放大器ldB压缩点输出功率大于15dBm;芯片尺寸为1mm×2mm×0.1mm.该放大器可以应用在24GHz汽车雷达前端和26.5GHz本地多点通信系统中.

    标签: MMIC 增益 低噪声放大器 波段

    上传时间: 2014-12-23

    上传用户:masochism

  • 高共模抑制比仪用放大电路方案

    本文针对传统仪用放大电路的特点,介绍了一种高共模抑制比仪用放大电路,引入共模负反馈,大大提高了通用仪表放大器的共模抑制能力。

    标签: 共模抑制比 仪用放大 电路 方案

    上传时间: 2013-11-10

    上传用户:lingfei

  • 中望cad 2010简体中文版下载

    中望CAD2010体验版正式发布。作为中望公司的最新年度力作,在继承以往版本优势的基础上,中望CAD2010融入了以“安全漏洞抓取、内存池优化、位图和矢量图混合处理”等多项可以极大提高软件稳定性和效率的中望正在申请全球专利的独创技术,新增了众多实用的新功能,在整体性能上实现了巨大的飞跃,主要体现在以下几方面: 大图纸处理能力的提升 文字所见即所得、消隐打印等新功能 二次开发接口更加成熟 一、大图纸处理能力的提升 中望CAD2010版采用了更先进的内存管理以及压缩技术,采用了一些新的优化算法,使得中望CAD常用命令执行效率和资源占用情况得到进一步的提高,特别是在低内存配置下大图纸的处理能力,大大减少了图纸内存资源占用量,提升了大图纸处理速度。主要体现在: 大图纸内存占用量显著下降,平均下降约30%,地形图类图纸则平均下降50%; 实体缩放和平移,zoom\pan\redraw更加顺畅; 保存速度更快、数据更安全,保存速度平均有40%的提升。 二、新增功能 1、文字所见即所得 文字编辑器有多处改进,文字编辑时显示的样式为最后在图面上的样式,达到了所见即所得的效果。文字编辑器新加入段落设置,可进行制表位、缩进、段落对齐方式、段落间距和段落行距等项目的调整。另外,在文字编辑器内可直接改变文字倾斜、高度、宽度等特征。 2、消隐打印 中望CAD2010版本支持二维和三维对象的消隐打印,在打印对象时消除隐藏线,不考虑其在屏幕上的显示方式。此次消隐打印功能主要体现在以下两个方面: (一)、平台相关命令和功能的调整 视口的“属性”:增加“着色打印”选项(“线框”和“消隐”两种着色打印项) 选择视口后,右键菜单支持“着色打印”项( “线框”和“隐藏”两种模式) 命令mview增加了“着色打印”功能项,可以方便用户设置视口的“着色打印属性”(线框和消隐两种模式) 打印”对话框调整:在布局空间,激活“打印”对话框,以前的“消隐打印”选项显示为“隐藏图纸空间对象”。 页面设置管理器启动的“打印设置”对话框调整:图纸空间中,通过页面设置管理器激活的“打印设置”对话框,以前的“消隐打印”选项显示为“隐藏图纸空间对象” (二)、消隐打印使用方法的调整 模型空间: 可通过“打印”或“页面设置管理器”打开的“打印设置”对话框中的“消隐打印”选项来控制模型空间的对象是否消隐打印,同时包含消隐打印预览,若勾选“消隐打印”按钮,模型空间的对象将被消隐打印出来。 布局空间: 若要在布局空间消隐打印对象,分为两种情况:     1) 布局空间视口外的对象是否消隐,直接取决于“打印设置”对话框中“隐藏图纸空间对象”按钮是否被勾选;     2)布局空间视口中的对象是否消隐,取决于视口本身的属性,即“着色打印”特性选项,必须确保该选项为“消隐”才可消隐打印或预览 3、图层状态管理器 可以创建多个命名图层状态,以保存图层的状态列表,用户可以通过选择图层状态来表现图纸的不同显示效果。这种图层状态可以输出供其它图纸使用,也可以输入其它保存的图层状态设置。 4、文字定点缩放 能够依据文字位置的特征点,如中心,左下等,作为基准点,对多行文字或单行文字进行缩放,同时不改变基准点位置。 5、Splinedit新功能 全面支持样条曲线的编辑,主要体现在SPLINEDIT命令行提示中,如下: 拟合数据(F)/闭合样条(C)/移动(M) 顶点(V)/精度(R)/反向(E)/撤消(U)/<退出(X)>: 拟合数据: 增加(A)/闭合(C)/删除数据(D)/移动(M)/清理(P)/切线(T)/<退出(X)>: 增加、删除数据:通过增加、删除样条曲线的拟合点来控制样条曲线的拟合程度。 移动:通过移动指定的拟合点控制样条曲线的拟合数据 闭合/打开:控制样条曲线是否闭合。 清理:清除样条曲线的拟合数据,从而使命令提示信息变为不包含拟合数据的情形。 切线:修改样条曲线的起点和端点切向。 闭合样条:将打开的样条曲线闭合。若选择的样条曲线为闭合的,该选项为“打开”,将闭合的样条曲线打开。 移动:可用来移动样条曲线的控制点到新的位置。 精度:可通过添加控制点、提高阶数或权值的方式更为精密的控制样条曲线的定义。 反向:调整样条曲线的方向为反向。 6、捕捉和栅格功能增强 7、支持文件搜索路径 关于激活注册:打开CAD界面,找到左上面的“帮助”,激活产品-复制申请码-再打开你解压到CAD包找到keygen.exe(也就是注册机,有的在是“Key”文件里,如果没有可以到网上下载),输入申请码--点击确定,就中间那个键--得到数据 应该是五组-复制再回到上面激活码页面,粘贴激活码确定就ok !复制(粘贴)的时候用 ctrl +c(v),用鼠标右键没用! 如果打开安装CAD就得注册才能运行的,那方法也跟上边的差不多! 其实你在网上一般是找不到激活码的,因为各个申请码不一样,所以别人的激活码到你那基本上没用,只能用相应的方法得到激活码,这方法也就要你自己去试了,我原来也不会装CAD,但现在一般3分钟就装好了,只要知道怎么说了就快了,一般软件都是一样的装法,不会装可以到网上找资料!有时求人不如求已,自己算比在网上等着别人给你算快多了

    标签: 2010 cad 简体中文

    上传时间: 2013-11-18

    上传用户:段璇琮*

  • 基于单片机的电流比任意可调并联电源设计与实现

    开关电源并联系统中往往存在两个并联电源性能参数不同甚至差异较大的情况,因此不能采用传统的并联均流方案来平均分摊电流,这就需要按各个电源模块的输出能力分担输出功率。基于这种灵活性的需要,本设计在采用主从设置法设计并联均流开关电源的基础上新增加了单片机控制模块,实现了分流比可任意调节、各模块电流可实时监控的半智能化并联开关电源系统。实测结果表明,该并联开关电源系统分流比设置误差小于0.5%,具有总过流和单路过流保护功能。

    标签: 单片机 电流 并联 电源设计

    上传时间: 2014-12-24

    上传用户:guojin_0704

  • 光伏电池的自适应占空比扰动MPPT算法研究

    环境温度、光照强度和负载等因素对光伏电池的输出特性影响很大,为了提高光伏电池的工作效率,需要准确快速地跟踪光伏电池的最大功率点。在分析了光伏电池的输出特性的基础上,建立了光伏电池的仿真模型;针对传统爬山法的不足,采用了自适应占空比扰动法对最大功率点进行了跟踪控制。给出了上述两种算法的工作原理及设计过程。仿真结果表明:自适应占空比扰动算法跟踪迅速,减少了系统在最大功率点附近的振荡现象,提高了系统的跟踪速度和精度。

    标签: MPPT 光伏电池 算法研究

    上传时间: 2013-12-04

    上传用户:bakdesec

  • 一种高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源设计

    介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上,通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法,大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明:在-40~100 ℃的温度范围内,输出电压摆动仅为1.7 mV,在低频时达到100 dB以上的电源抑制比(PSRR),整个电路功耗仅仅只有30 μA。可以很好地应用在低功耗高电源抑制比的LDO芯片设计中。

    标签: CMOS 高电源抑制 带隙基准 电压源

    上传时间: 2013-10-27

    上传用户:thesk123

  • 基于占空比模糊控制的光伏发电系统MPPT技术

    为了有效地利用太阳能,有必要对光伏发电系统进行最大功率点跟踪(MPPT)控制研究。文中以两级式光伏并网发电系统为研究对象,建立了任意外界环境下的光伏阵列数学模型。由于光伏阵列的非线性输出特性,将模糊控制思想引入最大功率点跟踪,提出占空比模糊控制的扰动观察法的MPPT控制策略,并通过计算机进行仿真验证。与传统的占空比扰动观察法相比较,该方法能够更加快速、准确地跟踪上太阳能电池的最大功率点。

    标签: MPPT 模糊控制 光伏发电系统

    上传时间: 2014-01-07

    上传用户:ls530720646

  • 高电源抑制比带隙基准电路设计

    介绍一种高电源抑制比带隙基准电路的设计与验证

    标签: 高电源抑制 带隙基准 电路设计

    上传时间: 2013-10-08

    上传用户:642778338

  • 一种高电源抑制比全工艺角低温漂CMOS基准电压源

    基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺,设计了一种高电源抑制比,同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压,通过电压放大器放大得到稳定的电压,以提供给带隙核心电路作为供电电源,从而提高了电源抑制比。另外,将电路中的关键电阻设置为可调电阻,从而可以改变正温度电压的系数,以适应不同工艺下负温度系数的变化,最终得到在全工艺角下低温漂的基准电压。Cadence virtuoso仿真表明:在27 ℃下,10 Hz时电源抑制比(PSRR)-109 dB,10 kHz时(PSRR)达到-64 dB;在4 V电源电压下,在-40~80 ℃范围内的不同工艺角下,温度系数均可达到5.6×10-6 V/℃以下。

    标签: CMOS 高电源抑制 工艺 基准电压源

    上传时间: 2014-12-03

    上传用户:88mao

  • 开关电源占空比学习实例及全图

    开关电源占空比学习实例及全图

    标签: 开关电源

    上传时间: 2013-10-08

    上传用户:wtrl