能实现VCO 功能的电路很多,常用的有分立器件构成的振荡器和集成压控振荡器。如串联谐振电容三点式电路、压控晶体振荡器,积分-施密特电路、射级耦合多谐振荡器、变容二极管调谐LC 振荡器和数字门电路等几种。它们之间各有优缺点,下面做简要分析,并选择最合适的方案。
上传时间: 2013-11-06
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BucK变换器在开关转换瞬间.由于线路上存在感抗,会在主功率管和二极管上产生电压尖峰,使之承受较大的电压应力和电流冲击,从而导致器件热损坏及电击穿 因此,为避免此现象,有必要对电压尖峰的原因进行分析研究,找出有效的解决办法。
上传时间: 2013-10-15
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讯号路径设计讲座(9)针对高速应用的电流回授运算放大器电流回授运算放大器架构已成为各类应用的主要解决方案。该放大器架构具有很多优势,并且几乎可实施于任何需要运算放大器的应用当中。电流回授放大器没有基本的增益频宽产品的局限,随着讯号振幅的增加,而频宽损耗依然很小就证明了这一点。由于大讯号具有极小的失真,所以在很高的频率情况下这些放大器都具有极佳的线性度。电流回授放大器在很宽的增益范围内的频宽损耗很低,而电压回授放大器的频宽损耗却随着增益的增加而增加。准确地说就是电流回授放大器没有增益频宽产品的限制。当然,电流回授放大器也不是无限快的。变动率受制于晶体管本身的速度限制(而非内部偏置(压)电流)。这可以在给定的偏压电流下实现更大的变动率,而无需使用正回授和其它可能影响稳定性的转换增强技术。那么,我们如何来建立这样一个奇妙的电路呢?电流回授运算放大器具有一个与差动对相对的输入缓冲器。输入缓冲器通常是一个射极追随器或类似的器件。非反向输入是高阻抗的,而缓冲器的输出(即放大器的反向输入)是低阻抗的。相反,电压回授放大器的2个输入均是高阻抗的。电流回授运算放大器输出的是电压,而且与透过称为互阻抗Z(s)的复变函数流出或流入运算放大器的反向输入端的电流有关。在直流电情况下,互阻抗很高(与电压回授放大器类似),并且随着频率的增加而单极滚降。
上传时间: 2013-10-19
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德州仪器(TI)通过多种不同的处理工艺提供了宽范围的运算放大器产品,其类型包括了高精度、微功耗、低电压、高电压、高速以及轨至轨。TI还开发了业界最大的低功耗及低电压运算放大器产品选集,其设计特性可满足宽范围的多种应用。为使您的选择流程更为轻松,我们提供了一个交互式的在线运算放大器参数搜索引擎——amplifier.ti.com/search,可供您链接至各种不同规格的运算放大器。设计考虑因素为某项应用选择最佳的运算放大器所要考虑的因素涉及到多个相关联的需求。为此,设计人员必须经常权衡彼此矛盾的尺寸、成本、性能等指标因素。即使是资历最老的工程师也可能会为此而苦恼,但您大可不必如此。紧记以下的几点,您将会发现选择范围将很快的缩小至可掌控的少数几个。电源电压(VS)——选择表中包括了低电压(最小值低于2.7V)及宽电压范围(最小值高于5V)的部分。其余运放的选择类型(例如精密),可通过快速查验供电范围栏来适当选择。当采用单电源供电时,应用可能需要具有轨至轨(rail-to-rail)性能,并考虑精度相关的参数。精度——主要与输入偏移电压(VOS)相关,并分别考虑随温度漂移、电源抑制比(PSRR)以及共模抑制比(CMRR)的变化。精密(precision)一般用于描述具有低输入偏置电压及低输入偏置电压温度漂移的运算放大器。微小信号需要高精度的运算放大器,例如热电偶及其它低电平的传感器。高增益或多级电路则有可能需求低偏置电压。
上传时间: 2013-11-25
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模电
上传时间: 2013-11-05
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AD内电层与内电层分割教程。
上传时间: 2013-10-27
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IPC介电常数测试方法
上传时间: 2013-10-09
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内电层与内电层分割
上传时间: 2013-11-12
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文章针对基板材料的介电常数与介电损耗的关系加以论述,并对它们与外部环境的关系做出相应的阐述,使得在PCB的制造中对各种基板材料进行合理正确的评估和使用。
上传时间: 2013-11-04
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“地”通常被定义为一个等位点,用来作为两个或更多系统的参考电平。信号地的较好定义是一个低阻抗的路径,信号电流经此路径返回其源。我们主要关心的是电流,而不是电压。在电路中具有有限阻抗的两点之间存在电压差,电流就产生了。在接地结构中的电流路径决定了电路之间的电磁耦合。因为闭环回路的存在,电流在闭环中流动,所以产生了磁场。闭环区域的大小决定着磁场的辐射频率,电流的大小决定着噪声的幅度。在实施接地方法时存在两类基本方法:单点接地技术和多点接地技术。在每套方案中,又可能采用混合式的方法。针对某一个特殊的应用,如何选择最好的信号接地方法取决于设计方案。只要设计者依据电流流量和返回路径的概念,就可以以同时采用几种不同的方法综合加以考虑
上传时间: 2013-11-15
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