交流电压,电流转换器 特点: 精确度0.25%满刻度(RMS) 多种输入,输出选择 输入与输出绝缘耐压2仟伏特/1分钟 冲击电压测试5仟伏特(1.2x50us) (IEC255-4,ANSI C37.90a/1974) 突波电压测试2.5仟伏特(0.25ms/1MHz) (IEC255-4) 尺寸小,稳定性高 2:主要规格 精确度:0.25%F.S.(RMS) (23 ±5℃) 输入负载: <0.2VA(voltage) <0.2VA(current) 最大过载能力: Current related input:3 x rated continuous 10 x rated 30 sec. ,25 x rated 3sec. 50 x rated 1sec. Voltage related input:maximum 2x rated continuous 输出反应时间: <250ms (0~90%) 输出负载能力: <10mA for voltage mode <10V for current mode 输出涟波: <0.1% F.S. 归零调整范围: 0~±5% F.S. 最大值调整范围: 0~±10% F.S. 温度系数: 100ppm/℃ (0~50℃) 隔离特性: Input/Output/Power/Case 绝缘抗阻: >100Mohm with 500V DC 绝缘耐压能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 行动测试: ANSI C37.90a/1974,DIN-IEC 255-4 impulse voltage 5KV (1.2 x 50us) 突波测试: 2.5KV-0.25ms/1MHz 使用环境条件: -20~60℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放环境条件: -30~70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE认证: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上传时间: 2013-11-09
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介绍了一种新型线性自动跟踪工频陷波器的电路结构。该陷波器应用于电子束曝光机束流测量电路中,用来抑制工频干扰对测量精度的影响。基于对自动跟踪陷波器的基本工作原理分析,陷波器采用了频率/电压转换器与压控带阻滤波器相结合的设计方案,成功地解决了工频频偏对常规工频陷波器滤波性能的严重影响问题。提出了提高抑制工频干扰能力的设计要点和电路调试方法。通过性能指标的测试和长期实际运行应用,证明陷波器满足了电子束测量中对工频干扰进行强抑制的要求,提高了电子束曝光机的制版质量。
上传时间: 2013-11-13
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德州仪器(TI)通过多种不同的处理工艺提供了宽范围的运算放大器产品,其类型包括了高精度、微功耗、低电压、高电压、高速以及轨至轨。TI还开发了业界最大的低功耗及低电压运算放大器产品选集,其设计特性可满足宽范围的多种应用。为使您的选择流程更为轻松,我们提供了一个交互式的在线运算放大器参数搜索引擎——amplifier.ti.com/search,可供您链接至各种不同规格的运算放大器。设计考虑因素为某项应用选择最佳的运算放大器所要考虑的因素涉及到多个相关联的需求。为此,设计人员必须经常权衡彼此矛盾的尺寸、成本、性能等指标因素。即使是资历最老的工程师也可能会为此而苦恼,但您大可不必如此。紧记以下的几点,您将会发现选择范围将很快的缩小至可掌控的少数几个。电源电压(VS)——选择表中包括了低电压(最小值低于2.7V)及宽电压范围(最小值高于5V)的部分。其余运放的选择类型(例如精密),可通过快速查验供电范围栏来适当选择。当采用单电源供电时,应用可能需要具有轨至轨(rail-to-rail)性能,并考虑精度相关的参数。精度——主要与输入偏移电压(VOS)相关,并分别考虑随温度漂移、电源抑制比(PSRR)以及共模抑制比(CMRR)的变化。精密(precision)一般用于描述具有低输入偏置电压及低输入偏置电压温度漂移的运算放大器。微小信号需要高精度的运算放大器,例如热电偶及其它低电平的传感器。高增益或多级电路则有可能需求低偏置电压。
上传时间: 2013-11-25
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SCR三相调压触发电路已有不少设计与应用,文中提出了一种简化的基于STM32的调压触发电路设计方案,并完成了系统的软硬件设计。该设计主要采用了光电隔离并利用三相电源自身的相间换流特性,只用三组触发信号就可以达到控制六只晶闸管导通角的作用。软件部分采用了STM32芯片多个高性能定时器及周边AD接口,完成了高精度触发信号发生、PID控制调压等功能。通过实验表明该系统简便可靠,达到了设计要求。
上传时间: 2013-10-21
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在异步电机三相逆变中,当电机低速运行时,因输出电压较低,由死区时间和信号传播延迟造成的电压损失会使输出电流发生明显的畸变。为改善逆变器输出电流波形,需要进行电压补偿。常用的电压补偿方法有电压反馈补偿、电流反馈补偿、死区解耦补偿、自适应死区补偿等,最常用且容易实现的方法就是电流反馈补偿。电流反馈补偿需要知道电流采样通道及开关器件延迟、开关器件压降、死区时间等参数,为避免直接查阅芯片资料造成的参数误差,本文提出了一种逆变器电压补偿参数离线辨识方法,并研究了该方法在电压补偿中的应用。
上传时间: 2013-10-30
上传用户:wangdean1101
变频器是利用电力半导体器件的通断作用将工频电源变换为另一频率的电能控制装置。主要由整流(交流变直流)、滤波、再次整流(直流变交流)、制动单元、驱动单元、检测单元微处理单元等组成的。 目前,通用型变频器绝大多数是交—直—交型变频器,通常尤以电压器变 频器为通用,其主回路图(见图1.1),它是变频器的核心电路,由整流回路(交—直交换),直流滤波电路(能耗电路)及逆变电路(直—交变换)组成,当然 还包括有限流电路、制动电路、控制电路等组成部分。 1)整流电路 如图所示,通用变频器的整流电路是由三相桥 式整流桥组成。它的功能是将工频电源进行整流,经中间直流环节平波后为逆变电路和控制电路提供所需的直流电源。三相交流电源一般需经过吸收电容和压敏电阻 网络引入整流桥的输入端。网络的作用,是吸收交流电网的高频谐波信号和浪涌过电压,从而避免由此而损坏变频器。当电源电压为三相380V时,整流器件的最 大反向电压一般为1200—1600V,最大整流电流为变频器额定电流的两倍。 2)滤波电路 逆变器的负载属感性负载的异步电动机,无论异步电 动机处于电动或发电状态,在直流滤波电路和异步电动机之间,总会有无功功率的交换,这种无功能量要靠直流中间电路的储能元件来缓冲。同时,三相整流桥输出 的电压和电流属直流脉冲电压和电流。为了减小直流电压和电流的波动,直流滤波电路起到对整流电路的输出进行滤波的作用。通用变频器直流滤波电 路的大容量铝电解电容,通常是由若干个电容器串联和并联构成电容器组,以得到所需的耐压值和容量。另外,因为电解电容器容量有较大的离散性,这将使它们随 的电压不相等。因此,电容器要各并联一个阻值等相的匀压电阻,消除离散性的影响,因而电容的寿命则会严重制约变频器的寿命。 3)逆变电路 逆变电路的作用是在控制电路的作用下,将直流电路输出的直流电源转换成频率和电压都可以任意调节的交流电源。逆变电路的输出就是变频器的输出,所以逆变电路是变频器的核心电路之一,起着非常重要的作用。最常见的逆变电路结构形式是利用六个功率开关器件(GTR、IGBT、GTO等)组成的三相桥式逆变电路,有规律的控制逆变器中功率开关器件的导通与关断,可以得到任意频率的三相交流输出。通常的中小容量的变频器主回路器件一般采用集成模块或智能模块。智能模块的内部高度集成了整流模块、逆变模块、各种传感器、保护电路及驱动电路。如三菱公司 生产的IPMPM50RSA120,富士公司生产的7MBP50RA060,西门子公司生产的BSM50GD120等,内部集成了整流模块、功率因数校正 电路、IGBT逆变模块及各种检测保护功能。模块的典型开关频率为20KHz,保护功能为欠电压、过电压和过热故障时输出故障信号灯。逆变电路中都设置有续流电路。续流电路的功能是当频率下降时,异步电 动机的同步转速也随之下降。为异步电动机的再生电能反馈至直流电路提供通道。在逆变过程中,寄生电感释放能量提供通道。另外,当位于同一桥臂上的两个开 关,同时处于开通状态时将会出现短路现象,并烧毁换流器件。所以在实际的通用变频器中还设有缓冲电路等各种相应的辅助电路,以保证电路的正常工作和在发生 意外情况时,对换流器件进行保护 。
上传时间: 2013-10-18
上传用户:子虚乌有
交流瓦特/瓦特小时,乏尔/乏尔小时转换器 特点: 精确度0.25%满刻度 多种输入,输出选择 输入与输出绝缘耐压2仟伏特/1分钟 冲击电压测试5仟伏特(1.2x50us) 突波电压测试2.5仟伏特(0.25ms/1MHz) (IEC255-4) 尺寸小,稳定性高 主要规格: 精确度: 0.25% F.S. (23 ±5℃) 输入负载: <0.2VA (Voltage) <0.2VA (Current) 最大过载能力: Current related input:3 x rated continuous 10 x rated 30 sec. ,25 x rated 3sec. 50 x rated 1sec. Voltage related input:maximum 2 x rated continuous 输出反应速度: < 250ms(0~90%) 输出负载能力: < 10mA for voltage mode < 10V for current mode 输出之涟波 : < 0.1% F.S. 脉波输出型态: Photocouple of open collector (max.30V/40mA) 归零调整范围: 0~±5% F.S. 最大值调整范围: 0~±10% F.S. 温度系数: 100ppm/℃ (0~50℃) 隔离特性: Input/Output/Power/Case 绝缘阻抗: >100Mohm with 500V DC 绝缘耐压能力: 2KVac/1 min. (input/output/power/case) 突波测试: ANSI C37.90a/1974,DIN-IEC 255-4 impulse voltage 5KV(1.2x50us) 使用环境条件: -20~60℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放环境条件: -30~70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE认证: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上传时间: 2013-11-11
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6 GEMS压力变送器3000系列-超高压变送器 GEMS压力变送器3000的行业应用: 船舶、工程机械 产品特点: ■工作压力可高达10,000PSI ■高精度-在整个应用过程中,精度在±0.15%之内 ■高稳定性-长期漂移≤0.05%FS/6年 ■高的抗震动性能-采用了薄膜溅射式设计,取消了易破的连接线 GEMS压力变送器3000的性能参数 精度 0.15%FS 重复性 0.03%FS 长期稳定性 0.06%F.S/年 压力范围 0-500、1000、2000、3000、5000、6000、7500、10,000psi 耐压 2xF.S,15,000PSI,Max. 破裂压力 7xFS 4xFS,对于10,000psi 疲劳寿命 108次满量程循环 零点公差 0.5%F.S 量程公差 0.5%F.S,响应时间0.5毫秒 温度影响 温漂 1.5%FS(-20℃到80℃) 2%FS(-40℃到100℃) 2.7%FS(-55℃到120℃) GEMS压力变送器3000的环境参数 振动 正弦曲线,峰值70g,5~5000HZ(根据MIL-STD810,514.2方法程序I) EMC 30V/m(100V/m Survivability) 电压输出 电路 见PDF文件(3线) 激励 高于满程电压1.5VDC,最大到35VDC@6mA 最小环路电阻 (FS输出/2)Kohms 供电灵敏度 0.01%FS/Volt 电流输出 电路 2线 环路供电电压 24VDC(7-35VDC) 输出 4-20mA 最大环路电阻 (Vs-7)x50Ω 供电灵敏度 0.01%FS/V 比率输出 输出 0.5v到4.5v(3线)@5VDC供电 输出激励电压 5VDC(4.75V-7VDC) GEMS压力变送器3000的物理参数 壳体 IP65代码G(NEMA4);IP67代码F(NEMA6) 接液部件 17-4和15-5不锈钢 电气连接 见订货指南 压力连接 1/4″NPT或G1/4 重量(约) 110g(电缆重量另加:75g/m) 机械震动 1000g/MIL-STD810,方法516.2,程序Ⅳ 加速度 在任意方向施加100g的稳定加速度时1bar(15psi)量程变送器的输出会波动0.032%FS/g,量程增大到400bar(6000psi)时输出波动会按对数递减至0.0007%FS/g. 认证等级 CE
上传时间: 2013-10-09
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这是 输出电压电流均可调的高效DC电源:本作品是基于开关电源基本拓扑之一的正激拓扑设计而成的输出小电压,大电流DC-DC开关稳压电源,通过电压反馈环节对主电路的输出进行稳压,本 文所设计的开关电源输入为DC41-57开关频率为75kHz,实现输出电压0-30V可调,恒流限制0-3A可调。单管正激变换器具有外围电路简单,效率高,抗过载能力强,输入与输出隔离等优点,适合低压、中小功率的电能变换,恒压过程采用OP07作为比较器,改变基准电压,从而实现输出电压可调,原副边用光耦隔离,恒流部分也采用比较器,但是电流采样采的是负压,这样只调节电位器就可改变OP07输入端的电压大小,从而调节恒流限制。
标签: 2012 输出可调 直流稳压电源 大学生电子设计竞赛
上传时间: 2013-10-12
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单开关(或称单晶体管)正激转换器是一种最基本类型的基于变压器的隔离降压转换器,广泛用于需要大降压比的应用。这种转换器的优点包括只需单颗接地参考晶体管,及非脉冲输出电流减小输出电容的均方根纹波电流含量等。但这种转换器的功率能力小于半桥或全桥拓扑结构,且变压器需要磁芯复位,使这种转换器的最大占空比限制在约50%。此外,金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)开关的漏电压变化达输入电压的两倍或更多,使这种拓扑结构较难于用在较高输入电压的应用。
上传时间: 2013-12-22
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