InSb多晶薄膜霍尔传感器的性能研究.pdf
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介绍一种用锑化铟—铟( InSb2In) 共晶体薄膜磁敏电阻(MR) 制成的齿轮转速传感器( GVS) ,它由磁敏电阻器和信号处理电路两部分构成。磁敏电阻器的噪声约为95μV , 磁敏电阻器与齿轮的距
薄膜电阻器提供不渗透硫的解决方案. 只有内部端接不包含银或铜质材料的片状电阻器,或者那些内部端接由硫无法渗透的中间层加以保护的片状电阻器,才能够完全不受硫污染的影响。市场上存在具有竞争力的基于厚膜的解决方案,它们有一定防硫效果,但仍不能完全...
给出了一种适用于工程常见的二阶控制对象的推理控制算法,并成功地应用于金属化薄膜电容器全自动卷绕机中作为快速张力伺服控制.采用8098单片机控制的该推理控制系统具有收剑、无稳态误差以及动态性能好的特点.
软磁材料中存在巨磁阻抗(giant magneto2impedance ,GMI) 效应以及与之相同来源的应力阻抗(stress2impedance ,SI) 效应,利用这两种效应可以制成具有高灵敏度
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许多高性能微传感器和微执行器的实现都离不开高灵敏度的薄膜。使用微机械加工方法制备的薄膜一般有着不可忽视的残余应力。残余应力极大地降低了膜的机械灵敏度。文中提出的纹膜结构, 可在不改变工艺条件的前提下,