单晶体管
共 51 篇文章
单晶体管 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 51 篇文章，持续更新中。
ADI的一款轨到轨运放
单电源供电，低噪声，轨到轨输入、输出，低功耗运放。
模拟cmos集成电路设计
拉扎维经典著作，陈贵灿等翻译。介绍了mos工艺短沟道效应\ 单级和差动放大频响反馈/震荡/封装工艺等
高频三极管
更高效率的选用高频晶体管，在高频设计时如何选择看后一目了然，不但可以节约时间，还有设计方法中管子型号的推荐！
AD7292 DAC禁用功能时序
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AD7292是一款单芯片解决方案，集外部器件的通用模拟信号监控和控制所需的全部功能于一体。
带有增益提高技术的高速CMOS运算放大器设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">设计了一种用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS运算放大器。主运放采用带开关电容共模反馈的折叠式共源共栅结构，利用增益提高和三支路电流基准技术实现一个可用于12~14 bit精度，100 MS/s采样频率的高速流
555电路综合应用
我们知道，555电路在应用和工作方式上一般可归纳为3类。每类工作方式又有很多个不同的电路。 在实际应用中，除了单一品种的电路外，还可组合出很多不同电路，如：多个单稳、多个双稳、单稳和无稳，双稳和无稳的组合等。这样一来，电路变的更加复杂。为了便于我们分析和识别电路，更好的理解555电路，这里我们这里按555电路的结构特点进行分类和归纳，把555电路分为3大类、8种、共18个单元电路。每个电路除画出它
一种基于LBT的分布式图像压缩算法
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">无线多媒体传感器网络（WMSNs）中传感器节点采集的数据量非常大，在传输前需对大数据量的多媒体信息进行压缩处理，但是单节点能源受限，存储、处理能力相对较
2~4 GHz波段低噪声放大器的仿真设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px;">利用pHEMT工艺设计了一个2~4 GHz宽带微波单片低噪声放大器电路。本设计中采用了具有低噪声、较高关联增益、pHEMT技术设计的ATF-54143晶体
用于UHF RFID阅读器的无电感巴伦LNA设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">设计了一款用于UHF RFID射频前端接收机的高线性度LNA。该低噪声放大器采用噪声消除技术，具有单端输入差分输出的功能，能够同时实现输出平衡，噪声消除
MT-011 找出那些难以琢磨、稍纵即逝的ADC闪码和亚稳状态
数字通信系统设计关注的一个主要问题是误码率(BER)。ADC噪声对系统BER的影响可以分析得出，但前提是该噪声须为高斯噪声。遗憾的是，ADC可能存在非高斯误码，简单分析根本无法预测其对BER的贡献。在数字示波器等仪表应用中，误码率也可能造成问题，尤其是当器件工作于“单发”模式时，或者当器件尝试捕获偶尔出现的瞬变脉冲时。误码可能被误解为瞬变脉冲，从而导致错误的结果。本指南介绍
晶体管代换手册下载
<P>为使本书成为国内目前<BR> 最新、最全、最适用的晶体管<BR> 代换手册，编者根据国内外<BR> 出版的最新资料，在1992年<BR> 最新增订版的基础上，又增<BR> 加了数千种日本晶体管和数<BR> 千种欧州晶体管型号及其代<BR> 换的国内外型号，并且，还介<BR> 绍了美国1985年以前生产<BR> 的3N型场效应管及其代换<BR> 型号。<BR> 本手册介绍
放大器及数据转换器选择指南
德州仪器(TI)通过多种不同的处理工艺提供<BR>了宽范围的运算放大器产品，其类型包括<BR>了高精度、微功耗、低电压、高电压、高<BR>速以及轨至轨。TI还开发了业界最大的低<BR>功耗及低电压运算放大器产品选集，其设<BR>计特性可满足宽范围的多种应用。为使您<BR>的选择流程更为轻松，我们提供了一个交<BR>互式的在线运算放大器参数搜索引擎——<BR>amplifier.ti.com/sea
在单端应用中采用差分I/O放大器
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Recent advances in low voltage silicon germaniumand BiCMOS processes have allowed the design andproduction of very high speed amplifi ers. Because theprocesses are low voltage,
晶体管及其放大电路
晶体管及其放大电路
扩展电容数字转换器AD7745_AD7746的容性输入范围
本电路提供一种扩展AD7745/AD7746容性输入范围的方法。同时，还说明如何充分利用片内CapDAC，使范围扩展系数最小，从而优化电路，实现最佳性能。AD7745具有一个电容输入通道，AD7746则有两个通道。每个通道均可配置为单端输入或差分输入方式。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/31-130201155GC96.jp
单端10-bit SAR ADC IP核的设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 20.909090042114258px; ">本设计通过采用分割电容阵列对DAC进行优化，在减小了D/A转换开关消耗的能量、提高速度的基础上，实现了一款采样速度为1
基于ADS高效率微波功率放大器设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">基于ADS软件，选取合适的静态直流工作点，采用负载牵引法得到LDMOS晶体管BLF7G22L130的输出和输入阻抗特性，并通过设计和优化得到最佳的共轭匹
单电源运算放大器的偏置与去耦电路设计
单电源运算放大器
基于ADS的C波段的低噪声放大器仿真设计
<span id="LbZY">低噪声放大器是接收机中最重要的模块之一，文中采用了低噪声、较高关联增益、PHEMT技术设计的ATF-35176晶体管，设计了一种应用于5.5~6.5 GHz频段的低噪声放大器。为了获得较高的增益，该电路采用三级级联放大结构形式，并通过ADS软件对电路的增益、噪声系数、驻波比、稳定系数等特性进行了研究设计，最终得到LNA在该频段内增益大于32.8 dB，噪声小于1.5
LM393中文资料
<span style="color: rgb(51, 51, 51); font-family: Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif, 宋体; font-size: 14px; line-height: 25px; text-align: left; background-color: rgb(247, 253, 255); ">LM393是双电压比较器集