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一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件,创制于1957年,由于它特性类似 双向可控硅 于真空闸流管,所以国际上通称为硅晶体闸流管,简称可控硅T。又由于可控硅最初应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件,简称为可控硅SCR。 在性能上,可控硅不仅具有单向导电性,而...

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