半导体纳米氧化物气敏传感器的制备及应用
论述了金属氧化物SnO 2 的气敏机理, 并对通过掺杂金属、金属离子、金属氧化物以及形成复合型、多组分氧化物等方法制备SnO 2 薄膜气敏传感器的最新研究成果进行了简要介绍。关键词 传感器 气
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资料->【B】电子技术->【B6】品质管理->【1】标准规范(国标、行标、安规、规范)->【行标】->SJ->SJ 20025-1992 金属氧化物半导体气敏元件总规范.pdf
美国国家半导体公司(National Semiconductor NS)的放大器选择目录
氛及其子体的能谱测量中常用到钝化离子注人硅探测器或金硅面垒探测器。本文介绍了一种用于这两类硅半导体探测器的电荷灵敏放大器的实例,它由电荷灵敏级和电压放大级构成。给出了它的设计思想和调试过程。介绍了测试手段并测试了它的技术指...
集成温度传感器实质上是一种半导体集成电路,它是利用晶体管的b-e 结压降的不饱和 值VBE与热力学温度T 和通过发射极电流I 的下述关系实现对温度的检测: