近年来，节能环保理念的深入人心，对半导体IC 设计和应用也提出了更高的要求。2008 年11 月，五大手机制造商诺基亚、三星、索尼爱立信、摩托罗拉和LG 电子联合发布了手机充电器的五星级标准。新的分级制度将以零到五颗星的标志图案来区分待机能耗。例如，待机功耗小于或等于30mW 的手机充电器属于最高星级，在其标签上印有五颗星。相反，如果待机功耗≤500 mW，则充电器标签上将无任何星级标记。为适应手机充电器的技术革新和发展，新进半导体制造有限公司（简称BCD 半导体）于近期推出一种新的电源控制芯片AP3768,并基于AP3768 开发出全面满足能源之星外部电源2.0 标准和五星级标准的充电器方案。
上传时间： 2014-01-06
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PICmicro中档单片机系列参考手册:请注意以下有关Microchip 器件代码保护功能的要点：• Microchip的产品均达到Microchip 数据手册中所述的技术指标。• Microchip确信：在正常使用的情况下， Microchip 系列产品是当今市场上同类产品中最安全的产品之一。• 目前，仍存在着恶意、甚至是非法破坏代码保护功能的行为。就我们所知，所有这些行为都不是以Microchip 数据手册中规定的操作规范来使用Microchip 产品的。这样做的人极可能侵犯了知识产权。• Microchip愿与那些注重代码完整性的客户合作。• Microchip或任何其它半导体厂商均无法保证其代码的安全性。代码保护并不意味着我们保证产品是“牢不可破”的。代码保护功能处于持续发展中。Microchip 承诺将不断改进产品的代码保护功能。任何试图破坏Microchip 代码保护功能的行为均可视为违反了《数字器件千年版权法案（Digital Millennium Copyright Act）》。如果这种行为导致他人在未经授权的情况下，能访问您的软件或其它受版权保护的成果，您有权依据该法案提起诉讼，从而制止这种行为的。 Microchip 公司是The Embedded Control Solutions Company® （嵌入式控制系统解决方案公司），其产品主要满足嵌入式控制市场的需求。我们是以下产品的领先供应商：• 8 位通用单片机(PICmicro® 单片机)• 专用和标准的非易失性存储器件• 安防器件 (KEELOQ®)• 专用标准产品欲获得您所感兴趣的产品列表，请申请一份Microchip 产品线目录。以往，8 位单片机的用户只选择传统的MCU 类型，即ROM 器件，用于生产。Microchip 率先改变了这种传统观念，向人们展示了OTP （一次性编程）器件比ROM 器件在其寿命周期内具有更低的产品成本。Microchip 具备EPROM技术优势，从而使EPROM成为PICmicro 单片机程序存储器的不二选择。Microchip 尽可能地缩小了EPROM 和ROM 存储器技术之间的成本差距，并使顾客从中受益。其他MCU 供应商无法作到这一点，这从他们的 EPROM 和 ROM 版本之间的价格差异便可以看出。Microchip 的8 位单片机市场份额的增长证明了PICmicro® 单片机能够满足大多数人的需要。这也使PICmicro 单片机架构成为了当今通用市场上应用最广泛的三大体系之一。Microchip 的低成本OTP 解决方案所带来的效益是这一增长的助推剂。用户能够从以下各方面受益：• 快速的产品上市时间• 允许生产过程中对产品进行代码修改• 无需掩膜产品所需的一次性工程费用(NRE)• 能够轻松为产品进行连续编号• 无需额外增加硬件即可存储校准数据• 可最大限度地增加PICmicro® 单片机的库存• 由于在开发和生产中使用同一器件，从而降低了风险Microchip 的8 位 PICmicro 单片机具备很好的性价比，可成为任何传统的8 位应用和某些4 位应用( 低档系列)、专用逻辑的替代品以及低端DSP 应用( 高档系列) 的选择。这些特点及其良好的性价比使PICmicro 单片机在大多数应用场合极具吸引力。
上传时间： 2014-03-03
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我公司生产的 USBkey 产品所使用的MCU 电路，自2007 年9 月初USBkey 产品开始量产化后，我们对其部分产品做了电老化试验，发现该款电路早期失效问题达不到我们要求，上电以后一段时间内失效率为千分之一点五左右。为此，我们从去年10 月到今年2 月对所生产的产品（已发出的除外）全部进行了电老化筛选，通过这项工作发现了一些规律性的东西，对提高电子产品的安全可靠性有一定指导意义。2 试验条件的设定造成电路早期失效的原因很多，从 IC 设计到半导体生产工艺、电路封装、焊接装配等生产工序和生产设备、生产材料、生产环境及人为的因素都有可能是成因，作为电路的使用方不可能都顾及到，也不可控。通过分析，我们认为还是着眼于该款电路在完成半导体生产工艺后，在后部加工中所产生的早期失效问题更有针对性。，因此决定从电路的后部加工工序即封装、COS 软件以及产品SMT 加工工艺等方面入手，安排几种比对试验并取得试验数据，以期找出失效原因。
上传时间： 2014-12-28
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本文档着重介绍如何使用Philips 半导体的收发器PCA82C250[1]和PCA82C251[2]实现物理媒体连接子层物理信令子层和数据链路层之间的连接是通过集成的协议控制器实现的这些产品有像Philips 的PCx82C200 SJA1000 等而媒体相关接口负责连接传输媒体譬如将总线节点连接到总线的连接器像Philips 的TJA1050[3]或PCA82C250[4]等收发器
上传时间： 2013-10-19
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用NTC热敏电阻做温度采集:本应用例实现NTC热敏电阻器对温度的测量。热敏电阻器把温度的变化转换为电阻阻值的变化，再应用相应的测量电路把阻值的变化转换为电压的变化；SPMC75F2413A内建8路ADC可以把模拟的电压值转换为数字信号，对数值信号进行处理可以得到相应的温度值。1.2 热敏电阻器热敏电阻有电阻值随温度升高而升高的正温度系数（Positive Temperature Coefficient简称PTC）热敏电阻和电阻值随温度升高而降低的负温度系数（Negative Temperature Coefficient简称NTC）热敏电阻。NTC热敏电阻器，是一种以过渡金属氧化物为主要原材料，采用电子陶瓷工艺制成的热敏半导体陶瓷组件。这种组件的电阻值随温度升高而降低，利用这一特性可制成测温、温度补偿和控温组件，又可以制成功率型组件，抑制电路的浪涌电流。
上传时间： 2013-11-16
上传用户：sssnaxie
设置复位标志位便于区分不同原因引发的复位，作为一种新技术被越来越多的新型单片机所采纳。例如Philips公司的P87LPC700和 P89LPC900系列、Freescale公司（原Motorola半导体部）的MC68HC05系列和MC68HC08系列、Sunplus公司的 SPMC65系列、Microchip公司的PIC系列等，内部都设计了专门用于记录各种复位标志的状态寄存器。MC68HC08系列有一个复位状态寄存器，负责记录6种复位标志位：上电复位、引脚复位、看门狗复位、非法指令复位、非法地址复位和欠压复位。SPMC65系列有一个系统控制寄存器，负责记录5种复位标志位：上电复位、外部复位、看门狗复位、非法地址复位和欠压复位。51兼容的P89LPC900系列有一个复位源寄存器，负责记录6种复位标志位：欠压复位、上电复位、外部复位、看门狗复位、软件复位和UART收到间隔字符复位（主要作为进入ISP监控程序的途径之一）。就连初学者很常用的 AT89S51/52和P89C52X2，也在其电源控制寄存器PCON中增设了一个上电标志位POF。1、 复位标志位的设置方法传统的80C51单片机没有设计复位标志位的记录功能，这应该说是一种遗憾，那么能否通过一定的技术手段来弥补这个缺憾呢？这里给广大80C51单片机用户提供一种启示和引导。实现复位标志位的记录肯定需要一定的硬件电路支持，而这种电路的设计不存在固定模式。笔者利用一片MAX813L设计了一种支撑电路，如图1所示，仅供读者参考。
上传时间： 2013-10-21
上传用户：lhw888
家电制造业的竞争日益激烈，市场调整压力越来越大，原始设备制造商们（OEM）为了面对这一挑战，必须在满足电磁兼容性的条件下，不断降低产品的成本。由于强调成本控制，为防止由电源和信号线的瞬变所产生的电器故障而实施必要的瞬态免疫保护，对于家电设计者来说变得更具挑战性。由于传统的电源设计和电磁干扰（EMI）控制措施为节约成本让路，家电设计者必须开发出新的技术来满足不断调整的电磁兼容（EMC）需求。本应用笔记探讨了瞬态电气干扰对嵌入式微控制器（MCU）的影响，并提供了切实可行的硬件和软件设计技术，这些技术可以为电快速瞬变（EFT）、静电放电（ESD）以及其它电源线或信号线的短时瞬变提供低成本的保护措施。虽然这种探讨是主要针对家电制造商，但是也适用于消费电子、工业以及汽车电子方面的应用。 低成本的基于MCU 的嵌入式应用特别容易受到ESD 和EFT 影响降低性能。即使是运行在较低时钟频率下的微控制器，通常对快速上升时间瞬变也很敏感。这种敏感性归咎于所使用的工艺技术。如今针对低成本8/16位的MCU的半导体工艺技术所实现的晶体管栅极长度在0.65 μm～0.25 μm范围内。此范围内的栅极长度能产生和响应上升时间在次纳秒范围内（或超过300 MHz 的等同带宽）的信号。因此， MCU 能够响应进入其引脚的ESD 或EFT 信号。除上述工艺技术之外， MCU 在ESD 或EFT 事件中的性能还会受到IC 设计及其封装、印刷电路板（PCB）的设计、MCU 上运行的软件、系统设计以及ESD 或EFT 波形特征的影响。各因素的相对影响（强调对最大影响的贡献）如图1 所示。
上传时间： 2013-11-09
上传用户：Jerry_Chow
1. 使用单片机内部复位电路的可靠性设计LPC932 单片机只能工作在3V 供电电压下其外围器件既可以选用3V 接口器件也可以选用5V 接口器件当用户决定使用内部复位时为了保证单片机上电复位100 可靠必须在复位引脚接一上拉电阻如5 10K 如果单片机使用3V 电源电压外围器件使用5V 电源电压准确的复位电路设计方法如图1 所示如果单片机使用3V 电源电压外围器件使用3V 电源电压准确的复位电路设计方法如图2 所示 2. 使用单片机外部复位电路的可靠性设计LPC932 单片机只能工作在3V 供电电压下其外围器件既可以选用3V 接口器件也可以选用5V 接口器件当用户决定使用外部复位电源监控器件时为了保证单片机上电复位100 可靠一定要注意根据外围器件的供电电源方式选择复位电源监控器件如果单片机使用3V 电源电压外围器件使用5V 电源电压准确的复位电路设计方法如图3 所示请选择PHILIPS 半导体公司生产的MAX809L 等合适的电源监控器件如果单片机使用3V 电源电压外围器件使用3V 电源电压准确的复位电路设计方法如图4 所示请选择PHILIPS 半导体公司生产的MAX809R 等合适的电源监控器件.
上传时间： 2014-03-24
上传用户：aix008
6.1 存储器概述1、存储器定义 在微机系统中凡能存储程序和数据的部件统称为存储器。2、存储器分类 微机系统中的存储器分为内存和外存两类。3、内存储器的组成 微机系统中的存储器由半导体存储器芯片组成。 单片机内部有存储器，当单片机内部的存储器不够用时，可以外扩存储器。外扩的存储器就是由半导体存储器芯片组成的。 当用半导体存储器芯片组成内存时必须满足个要求：①每个存储单元一定要有8个位。②存储单元的个数满足系统要求。注意：内存的容量是指它所含存储单元的个数（每个存储单元一定要有8个位，可以存储8位二进制信息）。6.2 半导体存储器由于集成工艺水平的限制，一个半导体存储器芯片上所集成的单元个数和每个单元的位数有限，用它构成内存时必须满足：内存容量和一个存储单元有8个位的要求，因此内存常常由多个半导体存储器芯片构成。 半导体存储器芯片的存储容量是指其上所含的基本存储电路的个数，用单元个数×位数表示。掌握：① 已知内存容量和半导体存储器芯片的容量，求用半导体存储器芯片构成内存时需要的芯片个数。② 内存的容量=末地址—首地址+1 半导体存储器芯片分成ROM和RAM两类。6.2.1 ROM芯片6.2.2 RAM芯片6.3 MCS-51单片机存储器扩展 在微机系统中存储器是必不可少。MCS51系列单片机内部的存储器不够用时需要外扩半导体存储器芯片，外扩的半导体存储器芯片与MCS51系列单片机通过三总线交换信息。二者连接时必须考虑如下问题：1．二者地址线、数据线、控制线的连接。2．工作速度的匹配。CPU在取指令和存储器读或写操作时，是有固定时序的，用户要根据这些来确定对存储器存取速度的要求，或在存储器已经确定的情况下，考虑是否需要Tw周期，以及如何实现。3．片选信号的产生。目前生产的存储器芯片，单片的容量仍然是有限的，通常总是要由许多片才能组成一个存储器，这里就有一个如何产生片选信号的问题。4．CPU的驱动能力 。在设计CPU芯片时，一般考虑其输出线的直流负载能力，为带一个TTL负载。现在的存储器一般都为MOS电路，直流负载很小，主要的负载是电容负载，故在小型系统中，CPU是可以直接与存储器相连的，而较大的系统中，若CPU的负载能力不能满足要求，可以（就要考虑CPU能否带得动，需要时就要加上缓冲器，）由缓冲器的输出再带负载。6.3.1 ROM芯片的扩展6.3.2 RAM芯片的扩展
标签： 存储器接口
上传时间： 2013-11-22
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计算机应用中，有时需处理的信息不是数字量，而是一些随时间连续变化的模拟量，甚至是一些非电量，如温度、压力、速度等。模拟量的存储处理困难。首先将非电的模拟信号变成与之对应的模拟电信号，这要通过各种传感器来完成。计算机可处理的信息均是数字量（电脉冲信号）1和0，必须把要处理的模拟电量转换成数字化的电信号，这需要模拟(Analog)与数字(Digital)转换电路。数字到模拟转换:(Digital to Analog Convert, D/A) D/A转换电路是模拟电路加上电子开关。D/A转换电路的核心是一个运算放大器。运算放大器的特性:(Operation Amplifier) K->无穷大， V和->0 传递函数：V0 = -Vi * R0/Ri Ii->0, I和=If梯形R-2R电阻网络D/A转换器Ki受一个8位二进制代码控制 某位为1，对应开关K倒向右边； 某位为0，对应开关K倒向左边。Ki不论倒向哪边，均为接地VA-VH 的电位为： VREF，1/2VREF，..1/128VREFVO= -VREF *（1/2K7+1/4K6+…+1/256K0）V0= -（0-255/256）VREF 8位D/A转换器DAC0830系列器件国家半导体公司（NS)产品，0830、0831、0832。R-2R梯形电阻网络D/A转换器，双缓冲结构。单电源、低功耗、电流建立时间1uS。与微计算机接口方便。8位D/A转换器DAC0830系列器件ILE： 输入锁存允许； WR1#： 加载IN REG； WR2#: 加载DAC REG； XFER#: IN REG传到DAC REG； Iout1,Iout2: 外接OA输入； Rfb: 反馈电阻接OA输出； VREF： 参考电源，控制输出电压变化范围。
标签： AD转换
上传时间： 2013-10-16
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