半導體的產品很多，應用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內部的晶片，圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當引發過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED，也就是發光二極體，其內部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時，晶片會發光而使LED發亮，如圖六所示。 半導體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節中將簡介這兩段的製造程序。
上传时间： 2013-11-04
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温度传感器的市场规模、相关代表公司、以及对应的工艺技术制程
标签： 温度传感器
上传时间： 2020-09-19
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一． eMMC的概述eMMC (Embedded MultiMedia Card) 为MMC协会所订立的内嵌式存储器标准规格，主要是针对手机产品为主。eMMC的一个明显优势是在封装中集成了一个控制器， 它提供标准接口并管理闪存， 使得手机厂商就能专注于产品开发的其它部分，并缩短向市场推出产品的时间。这些特点对于希望通过缩小光刻尺寸和降低成本的NAND供应商来说，具有同样的重要性。二． eMMC的优点eMMC目前是最当红的移动设备本地存储解决方案，目的在于简化手机存储器的设计，由于NAND Flash 芯片的不同厂牌包括三星、KingMax、东芝(Toshiba) 或海力士(Hynix) 、美光(Micron) 等，入时，都需要根据每家公司的产品和技术特性来重新设计，过去并没有哪个技术能够通用所有厂牌的NAND Flash 芯片。而每次NAND Flash 制程技术改朝换代，包括70 纳米演进至50 纳米，再演进至40 纳米或30 纳米制程技术，手机客户也都要重新设计， 但半导体产品每1 年制程技术都会推陈出新， 存储器问题也拖累手机新机种推出的速度，因此像eMMC这种把所有存储器和管理NAND Flash 的控制芯片都包在1 颗MCP上的概念，逐渐风行起来。eMMC的设计概念，就是为了简化手机内存储器的使用，将NAND Flash 芯片和控制芯片设计成1 颗MCP芯片，手机客户只需要采购eMMC芯片，放进新手机中，不需处理其它繁复的NAND Flash 兼容性和管理问题，最大优点是缩短新产品的上市周期和研发成本，加速产品的推陈出新速度。闪存Flash 的制程和技术变化很快，特别是TLC 技术和制程下降到20nm阶段后，对Flash 的管理是个巨大挑战，使用eMMC产品，主芯片厂商和客户就无需关注Flash 内部的制成和产品变化，只要通过eMMC的标准接口来管理闪存就可以了。这样可以大大的降低产品开发的难度和加快产品上市时间。eMMC可以很好的解决对MLC 和TLC 的管理， ECC 除错机制(Error Correcting Code) 、区块管理(BlockManagement)、平均抹写储存区块技术 (Wear Leveling) 、区块管理（ Command Managemen）t，低功耗管理等。eMMC核心优点在于生产厂商可节省许多管理NAND Flash 芯片的时间，不必关心NAND Flash 芯片的制程技术演变和产品更新换代，也不必考虑到底是采用哪家的NAND Flash 闪存芯片，如此， eMMC可以加速产品上市的时间，保证产品的稳定性和一致性。
标签： emmc
上传时间： 2022-06-20
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随着半导体工艺的飞速发展和芯片设计水平的不断进步，ARM微处理器的性能得到大幅度地提高，同时其芯片的价格也在不断下降，嵌入式系统以其独有的优势，己经广泛地渗透到科学研究和日常生活的各个方面。 本文以ARM7 LPC2132处理器为核心，结合盖革一弥勒计数管对Time-To-Count辐射测量方法进行研究。ARM结构是基于精简指令集计算机(RISC)原理而设计的，其指令集和相关的译码机制比复杂指令集计算机要简单得多，使用一个小的、廉价的ARM微处理器就可实现很高的指令吞吐量和实时的中断响应。基于ARM7TDMI-S核的LPC2132微处理器，其工作频率可达到60MHz，这对于Time-To-Count技术是非常有利的，而且利用LPC2132芯片的定时/计数器引脚捕获功能，可以直接读取TC中的计数值，也就是说不再需要调用中断函数读取TC值，从而大大降低了计数前杂质时间。本文是在我师兄吕军的《Time-To-Count测量方法初步研究》基础上，使用了高速的ARM芯片，对基于MCS-51的Time-To-Count辐射测量系统进行了改进，进一步论证了采用高速ARM处理器芯片可以极大的提高G-M计数器的测量范围与测量精度。 首先，讨论了传统的盖革-弥勒计数管探测射线强度的方法，并指出传统的脉冲测量方法的不足。然后讨论了什么是Time-To-Count测量方法，对Time-To-Count测量方法的理论基础进行分析。指出Time-To-Count方法与传统的脉冲计数方法的区别，以及采用Time-To-Count方法进行辐射测量的可行性。 接着，详细论述基于ARM7 LPC2132处理器的Time-To-Count辐射测量仪的原理、功能、特点以及辐射测量仪的各部分接口电路设计及相关程序的编制。 最后得出结论，通过高速32位ARM处理器的使用，Time-To-Count辐射测量仪的精度和量程均得到很大的提高，对于Y射线总量测量，使用了ARM处理器的Time-To-Count辐射测量仪的量程约为20 u R/h到1R/h，数据线性程度也比以前的Time-To-CotJnt辐射测量仪要好。所以在使用Time-To-Count方法进行的辐射测量时，如何减少杂质时间以及如何提高计数前时间的测量精度，是决定Time-To-Count辐射测量仪性能的关键因素。实验用三只相同型号的J33G-M计数管分别作为探测元件，在100U R/h到lR/h的辐射场中进行试验.每个测量点测量5次取平均，得出随着照射量率的增大，辐射强度R的测量值偏小且与辐射真实值之间的误差也随之增大。如果将测量误差限定在10％的范围内，则此仪器的量程范围为20 u R/h至1R/h，量程跨度近六个数量级。而用J33型G-M计数管作常规的脉冲测量，量程范围约为50 u R/h到5000 u R/h，充分体现了运用Time-To-Count方法测量辐射强度的优越性，也从另一个角度反应了随着计数前时间的逐渐减小，杂质时间在其中的比重越来越大，对测量结果的影响也就越来越严重，尽可能的减小杂质时间在Time-To-Count方法辐射测量特别是测量高强度辐射中是关键的。笔者用示波器测出此辐射仪器的杂质时间约为6.5 u S，所以在计算定时器值的时候减去这个杂质时间，可以增加计数前时间的精确度。通过实验得出，在标定仪器的K值时，应该在照射量率较低的条件下行，而测得的计数前时间是否精确则需要在照射量率较高的条件下通过仪器标定来检验。这是因为在照射量率较低时，计数前时间较大，杂质时间对测量结果的影响不明显，数据线斜率较稳定，适宜于确定标定系数K值，而在照射量率较高时，计数前时间很小，杂质时间对测量结果的影响较大，可以明显的在数据线上反映出来，从而可以很好的反应出仪器的性能与量程。实验证明了Time-To-Count测量方法中最为关键的环节就是如何对计数前时间进行精确测量。经过对大量实验数据的分析，得到计数前时间中的杂质时间可分为硬件杂质时间和软件杂质时间，并以软件杂质时间为主，通过对程序进行合理优化，软件杂质时间可以通过程序的改进而减少，甚至可以用数学补偿的方法来抵消，从而可以得到比较精确的计数前时间，以此得到较精确的辐射强度值。对于本辐射仪，用户可以选择不同的工作模式来进行测量，当辐射场较弱时，通常采用规定次数测量的方式，在辐射场较强时，应该选用定时测量的方式。因为，当辐射场较弱时，如果用规定次数测量的方式，会浪费很多时间来采集足够的脉冲信号。当辐射场较强时，由于辐射粒子很多，产生脉冲的频率就很高，规定次数的测量会加大测量误差，当选用定时测量的方式时，由于时间的相对加长，所以记录的粒子数就相对的增加，从而提高仪器的测量精度。通过调研国内外先进核辐射测量仪器的发展现状，了解到了目前最新的核辐射总量测量技术一Time-To-Count理论及其应用情况。论证了该新技术的理论原理，根据此原理，结合高速处理器ARM7 LPC2132，对以G-计数管为探测元件的Time-To-Count辐射测量仪进行设计。论文以实验的方法论证了Time-To-Count原理测量核辐射方法的科学性，该辐射仪的量程和精度均优于以前以脉冲计数为基础理论的MCS-51核辐射测量仪。该辐射仪具有量程宽、精度高、易操作、用户界面友好等优点。用户可以定期的对仪器的标定，来减小由于电子元件的老化对低仪器性能参数造成的影响，通过Time-To-Count测量方法的使用，可以极大拓宽G-M计数管的量程。就仪器中使用的J33型G-M计数管而言，G-M计数管厂家参考线性测量范围约为50 u R/h到5000 u R/h，而用了Time-To-Count测量方法后，结合高速微处理器ARM7 LPC2132，此核辐射测量仪的量程为20 u R/h至1R/h。在允许的误差范围内，核辐射仪的量程比以前基于MCS-51的辐射仪提高了近200倍，而且精度也比传统的脉冲计数方法要高，测量结果的线性程度也比传统的方法要好。G-M计数管的使用寿命被大大延长。 综上所述，本文取得了如下成果：对国内外Time-To-Count方法的研究现状进行分析，指出了Time-To-Count测量方法的基本原理，并对Time-T0-Count方法理论进行了分析，推导出了计数前时间和两个相邻辐射粒子时间间隔之间的关系，从数学的角度论证了Time-To-Count方法的科学性。详细说明了基于ARM 7 LPC2132的Time-To-Count辐射测量仪的硬件设计、软件编程的过程，通过高速微处理芯片LPC2132的使用，成功完成了对基于MCS-51单片机的Time-To-Count测量仪的改进。改进后的辐射仪器具有量程宽、精度高、易操作、用户界面友好等特点。本论文根据实验结果总结出了Time-To-Count技术中的几点关键因素，如：处理器的频率、计数前时间、杂质时间、采样次数和测量时间等，重点分析了杂质时间的组成以及引入杂质时间的主要因素等，对国内核辐射测量仪的研究具有一定的指导意义。
标签： TimeToCount ARM 辐射测量仪
上传时间： 2013-06-24
上传用户：pinksun9
CAM350 为PCB 设计和PCB 生产提供了相应的工具（CAM350 for PCB Designers 和CAM350 for CAM Engineers），很容易地把PCB设计和PCB生产融合起来。CAM350 v8.7的目标是在PCB设计和PCB制造之间架起一座桥梁随着如今电子产品的朝着小体积、高速度、低价格的趋势发展，导致了设计越来越复杂，这就要求精确地把设计数据转换到PCB生产加工中去。CAM350为您提供了从PCB设计到生产制程的完整流程，从PCB设计数据到成功的PCB生产的转化将变得高效和简化。基于PCB制造过程，CAM350为PCB设计和PCB生产提供了相应的工具（CAM350 for PCB Designers和CAM350 for CAM Engineers），很容易地把PCB设计和PCB生产融合起来。平滑流畅地转换完整的工程设计意图到PCB生产中提高PCB设计的可生产性，成就成功的电子产品为PCB设计和制造双方提供有价值的桥梁作用CAM350是一款独特、功能强大、健全的电子工业应用软件。DOWNSTREAM开发了最初的基于PCB设计平台的CAM350，到基于整个生产过程的CAM350并且持续下去。CAM350功能强大，应用广泛，一直以来它的信誉和性能都是无与伦比的。 CAM350PCB设计的可制造性分析和优化工具今天的PCB 设计和制造人员始终处于一种强大的压力之下，他们需要面对业界不断缩短将产品推向市场的时间、品质和成本开销的问题。在48 小时，甚至在24 小时内完成工作更是很平常的事，而产品的复杂程度却在日益增加，产品的生命周期也越来越短，因此，设计人员和制造人员之间协同有效工作的压力也随之越来越大！随着电子设备的越来越小、越来越复杂，使得致力于电子产品开发每一个人员都需要解决批量生产的问题。如果到了完成制造之后发现设计失败了，则你将错过推向市场的大好时间。所有的责任并不在于制造加工人员，而是这个项目的全体人员。多年的实践已经证明了，你需要清楚地了解到有关制造加工方面的需求是什么，有什么方面的限制，在PCB设计阶段或之后的处理过程是什么。为了在制造加工阶段能够协同工作，你需要在设计和制造之间建立一个有机的联系桥梁。你应该始终保持清醒的头脑，记住从一开始，你的设计就应该是容易制造并能够取得成功的。CAM350 在设计领域是一个物有所值的制造分析工具。CAM350 能够满足你在制造加工方面的需求，如果你是一个设计人员，你能够建立你的设计，将任务完成后提交给产品开发过程中的下一步工序。现在采用CAM350，你能够处理面向制造方面的一些问题，进行一些简单地处理，但是对于PCB设计来说是非常有效的，这就被成为"可制造性(Manufacturable)"。可制造性设计(Designing for Fabrication)使用DFF Audit，你能够确保你的设计中不会包含任何制造规则方面的冲突(Manufacturing Rule Violations)。DFF Audit 将执行超过80 种裸板分析检查，包括制造、丝印、电源和地、信号层、钻孔、阻焊等等。建立一种全新的具有艺术特征的Latium 结构，运行DFF Audit 仅仅需要几分钟的时间，并具有很高的精度。在提交PCB去加工制造之间，就能够定位、标识并立刻修改所有的冲突，而不是在PCB板制造加工之后。DFF Audit 将自动地检查酸角(acid traps)、阻焊条(soldermask slivers)、铜条(copper slivers)、残缺热焊盘(starved thermals)、焊锡搭桥(soldermask coverage)等等。它将能够确保阻焊数据的产生是根据一定安全间距，确保没有潜在的焊锡搭桥的条件、解决酸角(Acid Traps)的问题，避免在任何制造车间的CAM部门产生加工瓶颈。
上传时间： 2013-11-23
上传用户：四只眼
随着高频微波在日常生活上的广泛应用，例如行动电话、无线个人计算机、无线网络等，高频电路的技术也日新月异。良好的高频电路设计的实现与改善，则建立在于精确的组件模型的基础上。被动组件如电感、滤波器等的电路模型与电路制作的材料、制程有紧密的关系，而建立这些组件等效电路模型的方法称为参数萃取。 早期的电感制作以金属绕线为主要的材料与技术，而近年来，由于高频与高速电路的应用日益广泛，加上电路设计趋向轻薄短小，电感制作的材质与技术也不断的进步。例如射频机体电路（RFIC）运用硅材质，微波集成电路则广泛的运用砷化镓（GaAs）技术；此外，在低成本的无线通讯射频应用上，如混合（Hybrid）集成电路则运用有机多芯片模块（MCMs）结合传统的玻璃基板制程，以及低温共烧陶瓷（LTCC）技术，制作印刷式平面电感等，以提升组件的质量与效能，并减少体积与成本。 本章的重点包涵探讨电感的原理与专有名词，以及以常见的电感结构，并分析影响电感效能的主要因素与其电路模型，最后将以电感的模拟设计为例，说明电感参数的萃取。
上传时间： 2013-11-20
上传用户：yuanxiaoqiang
特长 3相无刷电机控制用预驱动IC。采用高耐压CMOS制程位置检出可与3个霍尔元件或霍尔IC连接120度通电驱动ＰＷＭ控制方式（上侧驱动）功率限制回路内藏电流限制回路内藏升压动作时的初期充电控制可能。回转数为3脉冲／360度。
上传时间： 2013-10-26
上传用户：koulian
TLC5510 是美国德州仪器公司生产的８位闪速结构模数转换器，采用CMOS 工艺制造，采样速率高达20MSPS。广泛用于数字ＴＶ、医学图像、视频会议、高速数据转换以及ＱＡＭ解调器等方面。本文介绍了TLC5510 的性能指标、引脚功能、内部结构和操作时序，给出了TLC5510 与MCS-51 单片微机的接口应用电路设计、软件设计及参考电压的配置方法。
上传时间： 2013-11-13
上传用户：wangzhen1990
家电制造业的竞争日益激烈，市场调整压力越来越大，原始设备制造商们（OEM）为了面对这一挑战，必须在满足电磁兼容性的条件下，不断降低产品的成本。由于强调成本控制，为防止由电源和信号线的瞬变所产生的电器故障而实施必要的瞬态免疫保护，对于家电设计者来说变得更具挑战性。由于传统的电源设计和电磁干扰（EMI）控制措施为节约成本让路，家电设计者必须开发出新的技术来满足不断调整的电磁兼容（EMC）需求。本应用笔记探讨了瞬态电气干扰对嵌入式微控制器（MCU）的影响，并提供了切实可行的硬件和软件设计技术，这些技术可以为电快速瞬变（EFT）、静电放电（ESD）以及其它电源线或信号线的短时瞬变提供低成本的保护措施。虽然这种探讨是主要针对家电制造商，但是也适用于消费电子、工业以及汽车电子方面的应用。 低成本的基于MCU 的嵌入式应用特别容易受到ESD 和EFT 影响降低性能。即使是运行在较低时钟频率下的微控制器，通常对快速上升时间瞬变也很敏感。这种敏感性归咎于所使用的工艺技术。如今针对低成本8/16位的MCU的半导体工艺技术所实现的晶体管栅极长度在0.65 μm～0.25 μm范围内。此范围内的栅极长度能产生和响应上升时间在次纳秒范围内（或超过300 MHz 的等同带宽）的信号。因此， MCU 能够响应进入其引脚的ESD 或EFT 信号。除上述工艺技术之外， MCU 在ESD 或EFT 事件中的性能还会受到IC 设计及其封装、印刷电路板（PCB）的设计、MCU 上运行的软件、系统设计以及ESD 或EFT 波形特征的影响。各因素的相对影响（强调对最大影响的贡献）如图1 所示。
上传时间： 2013-11-09
上传用户：Jerry_Chow
系统start-up 定时器• 为了让振荡器能够稳定起振所需要的延时时间。• 其时间为1024 个振荡器振荡周期。制程和温度漂移• 因RC 振荡器的频率与内建振荡电容值有关，而此电容值与制程参数有关，所以不同的MCU 会表现出不一致性。在固定电压和温度下，振荡频率漂移范围约±25%。• 对于同一颗MCU(与制程漂移无关)，其振荡频率会对工作电压和工作温度产生漂移。其对工作电压和工作温度所产生的漂移，可参考HOLTEK 网站上提供的相关资料。EMI/EMS(EMC)注意事项• ROSC 位置应尽量接近OSC1 引脚，其至OSC1 的连线应最短。• CS 可以提高振荡器的抗干扰能力，其与MCU OSC1 和GND 的连线应最短。• RPU 在确定系统频率之后，量产时建议不要接，因为其fSYS/4 频率输出会干扰到OSC1
上传时间： 2014-01-20
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