Protel DXP电路原理图设计指南
·基本信息·出版社：中国铁道出版社·页码：300 页·出版日期：2004年·ISBN：7113056679·条形码：9787113056674·包装版本：1版·装帧：平装·开本：16·中文：中文---...
包装工艺技术资料
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🔌 电路图：1
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实用磁路设计
·内容简介本书讲述磁路设计的基本原理、设计方法，列举了设计实例。介绍了相关的磁性材料、磁路系统测量方法和设备。在第2版中又补充了磁路研究和设计的新进展，如Bl标准、磁路散热、磁流体等。还介绍了一些磁路...
高级ASIC芯片综合
·【内容简介】本书第2版描述了使用Synopsys工具进行ASIC芯片综合、物理综合、形式验证和静态时序分析的最新概念和技术，同时针对VDSM(超深亚微米)工艺的完整ASIC设计流程的设计方法进行了深...
<<TMS320C2000系列 DSPs原理及应用>>
·作者：张卫宁 编著 丛书名： 出版社：国防工业出版社 ISBN：9787118027167 出版时间：2002-4-1 版次：1 印次： 页数：280 字数：416000 纸张：胶版纸 包装：平装 ...
LED 发光二极管原理
将LED 从工艺，测试等方面做简单介绍。...
计PLD/FPGA时通常采用几种时钟类型
无沦是用离散逻辑、可编程逻辑，还是用全定制硅器件实现的任何数字设计，为了成功地操\r\n作，可靠的时钟是非常关键的。设计不良的时钟在极限的温度、电压或制造工艺的偏差情况下将\r\n导致错误的行为，并且...
高增益低功耗恒跨导轨到轨CMOS运放设计
基于CSMC的0.5 μmCMOS工艺，设计了一个高增益、低功耗、恒跨导轨到轨CMOS运算放大器，采用最大电流选择电路作为输入级，AB类结构作为输出级。通过cadence仿真，其输入输出均能达到...
一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计
提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化，结果表明，在...
一种带振幅调节的晶体振荡器
设计了一种带振幅控制的晶体振荡器，用于32 768 Hz的实时时钟。振幅调节环采用源接地振荡器形式来得到高的频率稳定性和低的功耗。使用MOS管电阻有效的减小了版图面积。电路在0.35 μm、5 ...
一种基于gm_ID方法设计的可变增益放大器
提出了一种基于gm /ID方法设计的可变增益放大器。设计基于SMIC90nmCMOS工艺模型，可变增益放大器由一个固定增益级、两个可变增益级和一个增益控制器构成。固定增益级对输入信号预放大，以增加VG...