功率MOSFET雪崩击穿问题分析
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To reduce the ON-resistance for a given voltage range. Since the ON-resistance for highvoltage...
开通过程[ t0 ~ t4 ]: -- 在 t0 前,MOSFET 工作于截止状态,t0 时,MOSFET 被驱动开通; -- [t0-t1]区间,MOSFET 的GS 电压经Vgg 对Cgs 充电而上升,在t1 时刻,到达维持电压Vth,MOSFET 开始导电; ...
文章中包含了MOS管开通和关断的详细过程,MOS管各参数之间的联系,损耗计算及驱动电路设计,非常利于MOS管学习的启蒙....
本内容提供了功率MOSFET与高压集成电路的知识概括。众所周知,由于采用了绝缘栅,功率MOSFET器件只需很小的驱动功率,且开关速度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态电阻(RDS(on))和正温度系数较高。...