变频器是利用电力半导体器件的通断作用将工频电源变换为另一频率的电能控制装置。我们现在使用的变频器主要采用交—直—交方式（VVVF变频或矢量控制变频），先把工频交流电源通过整流器转换成直流电源，然后再把直流电源转换成频率、电压均可控制的交流电源以供给电动机。变频器的电路一般由整流、中间直流环节、逆变和控制4个部分组成。整流部分为三相桥式不可控整流器，逆变部分为IGBT三相桥式逆变器，且输出为PWM波形，中间直流环节为滤波、直流储能和缓冲无功功率。
上传时间： 2013-11-20
上传用户：sevenbestfei
TSC系列可控硅动态无功功率补偿器采用大功率可控硅组成的无触点开关,对多级电容器组进 行快速无过渡投切,克服了传统无功功率补偿器因采用机械触点烧损,对电容冲击大等缺点。对各 种负荷均能起到良好的补偿效果。 TSC-W型补偿器采用的三相独立控制技术解决了三相不平衡冲 击负荷补偿的技术难题,属国内首创,填补了国内空白。
上传时间： 2014-12-24
上传用户：199311
在大功率弧焊电源设计中，IGBT 已成为主流的可控功率开关器件。IGBT 驱动电路作为功率电路和控制电路之间的接口，应具备驱动延迟小、安全隔离、IGBT 过电流／过电压保护准确等功能。针对新型高压大功率IGBT 驱动模块2ED300C17－S 的过电流检测及保护功能进行了研究，提出了与过电流保护功能相关的参数选择原则，并进行了实验验证。
上传时间： 2013-11-05
上传用户：kaje
半导体激光器是一种高功率密度并具有极高量子效率的器件，微小的电流变化将导致光功率输出的极大变化和器件参数（如激射波长、噪声性能、模式跳动）的变化，这些变化直接影响器件的安全工作和应用要求。 本公司设计和生产的半导体激光电源LDD-AAVV-T是连续可调恒流电源，采用了目前国际先进的半导体激光电源方案，选用优质元器件生产。具有输出噪声小、恒流特性好、电流稳定、抗干扰能力强等优点，并具有防过冲、反冲和反浪涌的稳压、恒流双重保护电路，保证激光器的稳定工作和使用寿命。LDD-AAVV型半导体激光电源采用单片机管理和控制，是一种智能化高精度恒流型开关电源，可作为半导体激光打标机的配套电源。针对激光打标设备的特点，电源还可管理水泵、指示光、振镜和Q开关几部分的开关。电源有LCD液晶显示，能提供电源工作的各个参数及其工作状态的显示，具备过压、过流、水温和水压报警功能，实为半导体激光器的理想电源。本电源还可以作为其它高精度恒流源，供设备使用。
上传时间： 2013-11-10
上传用户：lifangyuan12
广州致远电子有限公司近期推出了系列的工业级微功率DC-DC电源模块，能够广泛应用于低频模拟电路，大功率IGBT驱动,纯数字电路,模拟前端隔离电路,RS232/RS485/D422隔离通讯接口，CAN-BUS隔离通讯接口，运算放大器电源和手持便携仪表等多种场合。其全面性与成熟可靠的设计，可以解决用户在电源和模拟前端部分设计中所遇到的较多难题，并可以节省开发时间，使用户的产品更快推出市场.
上传时间： 2013-10-17
上传用户：妄想演绎师
变压器是电磁能量转换器件，根据电磁感应原理制成，主要作用是变换电流电压阻抗，在电源和负载之间进行直流隔离，以最大限度的传送电源能量（功率）。
上传时间： 2013-12-01
上传用户：我们的船长
同步整流技术简单介绍大家都知道，对于开关电源，在次级必然要有一个整流输出的过程。作为整流电路的主要元件，通常用的是整流二极管（利用它的单向导电特性），它可以理解为一种被动式器件：只要有足够的正向电压它就开通，而不需要另外的控制电路。但其导通压降较高，快恢复二极管（FRD）或超快恢复二极管（SRD）可达1.0～1.2V，即使采用低压降的肖特基二极管（SBD），也会产生大约0.6V的压降。这个压降完全是做的无用功，并且整流二极管是一种固定压降的器件，举个例子：如有一个管子压降为0.7V，其整流为12V时它的前端要等效12.7V电压，损耗占0.7/12.7≈5.5%.而当其为3.3V整流时，损耗为0.7/4（3.3+0.7）≈17.5%。可见此类器件在低压大电流的工作环境下其损耗是何等地惊人。这就导致电源效率降低，损耗产生的热能导致整流管进而开关电源的温度上升、机箱温度上升--------有时系统运行不稳定、电脑硬件使用寿命急剧缩短都是拜这个高温所赐。随着电脑硬件技术的飞速发展，如GeForce 8800GTX显卡，其12V峰值电流为16.2A。所以必须制造能提供更大输出电流（如多核F1，四路12V，每路16A；3.3V和5V输出电流各高达24A）的电源转换器。而当前世界的能源紧张问题的凸现，为广大用户提供更高转换效率（如多核R80，完全符合80PLUS标准）的电源转换器就是我们整个开关电源行业的不可回避的社会责任了。如何解决这些问题？寻找更好的整流方式、整流器件。同步整流技术和通态电阻（几毫欧到十几毫欧）极低的专用功率MOSFET就是在这个时刻走上开关电源技术发展的历史舞台了！作为取代整流二极管以降低整流损耗的一种新器件，功率MOSFET属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。因为用功率MOSFET做整流器时，要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，故称之为同步整流。它可以理解为一种主动式器件，必须要在其控制极（栅极）有一定电压才能允许电流通过，这种复杂的控制要求得到的回报就是极小的电流损耗。在实际应用中，一般在通过20-30A电流时才有0.2-0.3V的压降损耗。因为其压降等于电流与通态电阻的乘积，故小电流时，其压降和恒定压降的肖特基不同，电流越小压降越低。这个特性对于改善轻载效率（20%）尤为有效。这在80PLUS产品上已成为一种基本的解决方案了。对于以上提到的两种整流方案，我们可以通过灌溉农田来理解：肖特基整流管可以看成一条建在泥土上没有铺水泥的灌溉用的水道，从源头下来的水源在中途渗漏了很多，十方水可能只有七、八方到了农田里面。而同步整流技术就如同一条镶嵌了光滑瓷砖的引水通道，除了一点点被太阳晒掉的损失外，十方水能有9.5方以上的水真正用于浇灌那些我们日日赖以生存的粮食。我们的多核F1，多核R80，其3.3V整流电路采用了通态电阻仅为0.004欧的功率MOSFET，在通过24A峰值电流时压降仅为20*0.004=0.08V。如一般PC正常工作时的3.3V电流为10A，则其压降损耗仅为10*0.004=0.04V，损耗比例为0.04/4=1%，比之于传统肖特基加磁放大整流技术17.5%的损耗，其技术的进步已不仅仅是一个量的变化，而可以说是有了一个质的飞跃了。也可以说，我们为用户修建了一条严丝合缝的灌溉电脑配件的供电渠道。
标签： 同步整流
上传时间： 2013-10-27
上传用户：杏帘在望
一、变压器Np、Ns、Lp的计算二、如果要计算气隙长度Lg三、开关管Vce、Ic的计算（非连续）五.输出整流二极管Id、Vd的计算Flyback输出滤波电容设计流过输出电容C的纹波电流Ic=I2- Io 其中：I2为次级线圈电流 Ic的有效值可由下式计算：Icrms=[Ton/3T(I2p^2-I2pIo+Io^2 )+(Toff/T)* Io^2]^1/2 其中I2p=2io/(1- δmax) 此为输入电压最低、输出功率最大时状态。
上传时间： 2013-11-22
上传用户：aesuser
摘要:介绍基于线性电源的高压放大器的实现,他具有宽范围的电压输出、波形质量好的特点,降低了对器件耐压的要求,可用于实现压电陶瓷驱动器、高电压扫描电源以及高压功率源等应用。关键词:高压放大器;线性电源;扫描电源;功率源
上传时间： 2013-11-14
上传用户：wsq921779565
当今电子系统如高端处理器及记忆体，对电源的需求是趋向更低电压、更高电流的应用。同时、对负载的反应速度也要提高。因此功率系统工程师要面对的挑战，是要设计出符合系统要求的细小、价廉但高效率的电源系统。而这些要求都不是传统功率架构能够完全满足的。Vicor提出的分比功率架构(Factorized Power Architecture FPA)以及一系列的整合功率元件，可提供革命性的功率转换方案，应付以上提及的各项挑战。这些功率元件称为V•I晶片。
上传时间： 2013-11-15
上传用户：yan2267246
