功率半导体模块
共 115 篇文章
功率半导体模块 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 115 篇文章，持续更新中。
水声信号功率放大器的设计与实现
设计了水声信号发生系统中的功率放大电路，可将前级电路产生的方波信号转换为正弦信号，同时进行滤波、功率放大，使其满足换能器对输入信号的要求。该电路以单片机AT89C52，集成6阶巴特沃思低通滤波芯片MF6以及大功率运算放大器LM12为核心，通过标准RS232接口与PC进行通信，实现信号增益的程控调节，对干扰信号具有良好的抑制作用。经调试该电路工作稳定正常，输出波形无失真，在输出功率以及放大增益、波纹
25W立体声数字放大器-德州仪器
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TAS5727EVM 评估板用于演示和证明德州仪器TAS5727 器件的性能。TAS5727 将一个高性能的PWM处理器与一个D 类音频功率放大器整合在一起。该EVM 可以利用两个桥接负载(BTL) (2.0) 来配置。如需了解有关TAS5727EVM 器件的详细信息，请查阅（器件数据表SLOS637）。脉宽调制器(PWM)基于TI 的Equibit™技术。TAS5727
低功耗高速跟随器的设计
提出了一种应用于CSTN-LCD系统中低功耗、高转换速率的跟随器的实现方案。基于GSMC±9V的0.18 μm CMOS高压工艺SPICE模型的仿真结果表明，在典型的转角下，打开2个辅助模块时，静态功耗约为35 μA；关掉辅助模块时，主放大器的静态功耗为24 μA。有外接1 μF的大电容时，屏幕上的充放电时间为10 μs；没有外接1μF的大电容时，屏幕上的充放电时间为13μs。验证表明，该跟随器能
MILMEGA新款EMC测试放大器
2010年4月13日， 专业设计和制造固态高功率宽带放大器的MILMEGA公司于2010年亚太区电磁兼容(APEMC)国际学术大会及展览会期间宣布推出一款新的放大器产品。该款产品主要针对商用EMC测试IEC 61000-4-3 标准(覆盖频率范围为80 MHz～1 GHz)。MILMEGA的这一新产品将给EMC测试领域带来革命性的突破。
宽频带高功率射频脉冲功率放大器
利用MOS场效应管(MOSFET)，采取AB类推挽式功率放大方式，采用传输线变压器宽带匹配技术，设计出一种宽频带高功率射频脉冲功率放大器模块，其输出脉冲功率达1200W，工作频段0.6M~10MHz。调试及实用结果表明，该放大器工作稳定，性能可靠
工业监控和便携式仪器的6通道SAR型ADC
14 位 LTC®2351-14 是一款 1.5Msps、低功率 SAR 型 ADC，具有 6 個同時采樣差分輸入通道。它采用單 3V 工作電源，並具有 6 個獨立的采樣及保持放大器 (S/HA) 和一個 ADC。<br />
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基于AD603程控增益大功率宽带直流放大器的设计
基于AD603程控增益大功率宽带直流放大器
基于ADS的C波段的低噪声放大器仿真设计
<span id="LbZY">低噪声放大器是接收机中最重要的模块之一，文中采用了低噪声、较高关联增益、PHEMT技术设计的ATF-35176晶体管，设计了一种应用于5.5~6.5 GHz频段的低噪声放大器。为了获得较高的增益，该电路采用三级级联放大结构形式，并通过ADS软件对电路的增益、噪声系数、驻波比、稳定系数等特性进行了研究设计，最终得到LNA在该频段内增益大于32.8 dB，噪声小于1.5
理想的电压反馈型(VFB)运算放大器
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运算放大器是线性设计的基本构建模块之一。在经典模式下，运算放大器由两个输入引脚和一个输出引脚构成，其中一个输入引脚使信号反相，另一个输入引脚则保持信号的相位。运算放大器的标准符号如图1所示。其中略去了电源引脚，该引脚显然是器件工作的必需引脚。
3GHz射频信号源模块GR6710
产品概要： 3GHz射频信号源模块GR6710是软件程控的虚拟仪器模块，可以通过测控软件产生9kHz到3GHz的射频信号源和AM/FM/CW调制输出，具有CPCI、PXI、SPI、RS232、RS485和自定义IO接口。 产品描述： 3GHz射频信号源模块GR6710是软件程控的虚拟仪器模块，可以通过测控软件产生9kHz到3GHz的射频信号源和AM/FM/CW调制输出，还可以通过IQ选件实现其它任
高等模拟集成电路
近年来，随着集成电路工艺技术的进步，电子系统的构成发生了两个重要的变化： 一个是数字信号处理和数字电路成为系统的核心，一个是整个电子系统可以集成在一个芯片上（称为片上系统)。这些变化改变了模拟电路在电子系统中的作用，并且影响着模拟集成电路的发展。 数字电路不仅具有远远超过模拟电路的集成规模，而且具有可编程、灵活、易于附加功能、设计周期短、对噪声和制造工艺误差的抗扰性强等优点，因而大多数复杂系统以数
实际应用条件下Power+MOSFET开关特性研究
摘要：从功率MOSFET内部结构和极间电容的电压依赖关系出发，对功率MOSFET的开关现象及其原因进行了较<BR>深入分析。从实际应用的角度，对功率MOSFET开关过程的功率损耗和所需驱动功率进行了研究，提出了有关参数的计算<BR>方法，并对多种因素对开关特性的影响效果进行了实验研究，所得出的结论对于功率MOSFET的正确运用和设计合理的<BR>MoSFET驱动电路具有指导意义．
16位高速模数转换模块的设计及其动态性能测试
本文结合研究所科研项目需要，基于16 位高速ADC 芯片LTC2204，设计了一种满足课题要求的高速度高性能的16 位模数转换板卡方案。该方案中的输入电路和时钟电路采用差分结构，输出电路采用锁存器隔离结构，电源电路采用了较好的去耦措施，并且注重了板卡接地设计，使其具有抗噪声干扰能力强、动态性能好、易实现的特点。<br />
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世界最新晶体管代换手册
<P>世界最新晶体管代换手册</P>
<P><FONT color=#222222><IMG src="http://dl.eeworm.com/ele/img/200871817151911042.jpg" border=0></FONT></P>
<P><FONT color=#222222>一、半导体器件型号命名法<BR>二、手册中使用的缩略语<BR>三、晶体管参数符号及其说明<BR>四、晶
电路分析基础pdf
<P>电路分析基础电路分析基础Fundamentals of Electric CircuitsFundamentals of Electric Circuits多媒体教学课件多媒体教学课件北京理工大学北京理工大学Beijing Institute of TechnologyBeijing Institute of Technology</P>
<P>目录<BR>•第一章集总电路中电压
COOLMOS__ICE2A系列的应用研究
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由lnfineon Technologies (IT)公司推出的COOLMOS ICE2A165／2,65／365系列芯片是PWM+MOSFET二合一芯片，其优点是：用它做开关电源，无需加散热器，在通用电网即可输出20～50W 的功率；保护功能齐全；电路结构简单；能自动降低空载时的工作频率，从而降低待机状态的损耗，故在中小功率开关电源中有着广泛的应用前景。<br />
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第02讲 半导体基础知识
模电
Construction Strategy of ESD P
Construction Strategy of ESD Protection Circuit<BR>Abstract： The principles used to construct ESD protection on circuits and the basic concept<BR>ions of ESD protection design are presented.<BR>Key wo
无功功率自动补偿控制器
1) 全数字化设计，交流采样，人机界面采用大屏幕点阵图形128X64 LCD中文液晶显示器。 2) 可实时显示A、B、C各相功率因数、电压、电流、有功功率、无功功率、电压总谐波畸变率、电流总谐波畸变率、电压3、5、7、9、11、13次谐波畸变率、电流3、5、7、9、 11、13次谐波畸变率频率、频率、电容输出显示及投切状态、报警等信息。 3) 设置参数中文提示，数字输入。 4) 电容器控制方案支持