该文档为硅基GaN功率半导体技术讲解文档，是一份很不错的参考资料，具有较高参考价值，感兴趣的可以下载看看………………
标签： gan 功率半导体
上传时间： 2022-02-28
上传用户：qingfengchizhu
施敏英文版半导体器件物理，带有目录，可以方便跳转。
标签： 半导体器件
上传时间： 2022-05-14
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复旦研究生课程《半导体器件物理课》课件，课件简洁明了，直击重点内容。非常值得学习。
上传时间： 2022-06-27
半导体器件（二极管，三极管，MOSFET等）的试验规范，美军标。一般用于可靠性试验标准。
上传时间： 2022-07-02
上传用户：canderile
GB_T+17574-1998半导体器件 集成电路 第2部分_数字集成电路
标签： 集成电路 半导体器件
上传时间： 2022-07-16
上传用户：XuVshu
GB_T+17574.20-2006半导体器件 集成电路 第2-20部分：数字集成电路 低压集成电路族规范
半导体器件物理考试考试范围 现更改为Physics of Semiconductor Devices/Third Edition，S. M. Sze， KWOK K.NG， John Wiley & Sons，2006 半导体器件物理，施 敏，伍国珏，西安交通大学出版社，2010。
上传时间： 2022-07-23
上传用户：qdxqdxqdxqdx
江苏宏微科技是一家设计生产半导体器件的高科技公司，公司设计生产各种具有自主知识产权的功率半导体器件。在公司的系列化产品中， IGBT以其高的性价比，高可靠性成为客户在电源设计领域的首选
标签： IGBT 模块 保护技术 驱动
上传时间： 2013-07-08
上传用户：diertiantang
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。
标签： IGBT 模块
上传时间： 2013-11-03
上传用户：panpanpan
该文档为功放电源线功放延时器知识的简介讲解文档，是一份很不错的参考资料，具有较高参考价值，感兴趣的可以下载看看………………
标签： 功率半导体器件
上传时间： 2021-12-01
上传用户：20125101110
