高功率因数、高效率、低噪音是电源装置和用电设备普遍追求的品质。本文以单相有源功率因数校正控制器和高性能功率模块的研制、开发为依托，对其从理论和应用开发两个方面进行了较为全面的研究和讨论。
上传时间： 2014-01-22
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TSC系列可控硅动态无功功率补偿器采用大功率可控硅组成的无触点开关,对多级电容器组进 行快速无过渡投切,克服了传统无功功率补偿器因采用机械触点烧损,对电容冲击大等缺点。对各 种负荷均能起到良好的补偿效果。 TSC-W型补偿器采用的三相独立控制技术解决了三相不平衡冲 击负荷补偿的技术难题,属国内首创,填补了国内空白。
上传时间： 2014-12-24
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一种好的蓄电池充电方法是分级恒流充电! 分析了PWM控制DCDC变换的原理"给出了一种基于IGBT功率器件#单片机控制的新型蓄电池恒流充电系统的设计方法"并对该系统进行了试验"给出了试验结果!
上传时间： 2013-10-21
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广州致远电子有限公司近期推出了系列的工业级微功率DC-DC电源模块，能够广泛应用于低频模拟电路，大功率IGBT驱动,纯数字电路,模拟前端隔离电路,RS232/RS485/D422隔离通讯接口，CAN-BUS隔离通讯接口，运算放大器电源和手持便携仪表等多种场合。其全面性与成熟可靠的设计，可以解决用户在电源和模拟前端部分设计中所遇到的较多难题，并可以节省开发时间，使用户的产品更快推出市场.
上传时间： 2013-10-17
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变压器是电磁能量转换器件，根据电磁感应原理制成，主要作用是变换电流电压阻抗，在电源和负载之间进行直流隔离，以最大限度的传送电源能量（功率）。
上传时间： 2013-12-01
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分析了对小功率光伏并网逆变器拓扑结构的要求，简单介绍了几种典型的并网逆变器的拓扑结构，指出了各个拓扑结构的优缺点、效率和适用场合。给出了一种利用软开关技术的单相全桥并网逆变器的拓扑结构（DC/AC），分析了其工作过程，通过谐振可以实现主功率开关的零电压开通和关断，而且辅助开关和二极管都是零电流开通和关断，大大减小了功率器件的开关损耗，提高了逆变器的效率。最后，介绍了开关器件的选择问题
上传时间： 2013-10-13
上传用户：royzhangsz
摘要:高频感应加热是工业电加热领域的一种重要方法,产生高频电流所采用的器件或设备可以是变流机组、电子管振荡器和半导体变频器。介绍了采用现代电子电力技术对目前普遍使用的以闸流管高压整流系统作为电子管振荡器直流可调电源的设备进行技术改造的方案。关键词:工业电加热 高频感应加热 技术改造
上传时间： 2013-11-13
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研究领域：电源管理芯片、功率IC、功率器件 涉及厂商：TI、NS、Fairchild、OnSemiconductor等 报告推荐 和往年一样，在下游产品产量的不断增加以及节能需求的不断提高等因素的刺激下，2006年中国电源管理芯片市场依然保持快速发展的势头。为了全面而准确的反映中国电源管理芯片市场的现状以及未来发展趋势，顾问特此推出了《2006-2007年中国电源管理芯片市场研究报告》。 本报告全面总结了2006年中国电源管理芯片市场的发展状况，全面分析了其推进因素和市场特点，并对主要厂商进行了客观综合的评价，通过大量的调研访谈和详实准确的数据，为客户提供完整的中国电源管理芯片市场信息，为企业提供有效的决策参考，报告主要为客户提供了以下方面的内容。 目前国内电源管理芯片市场规模及特点 按产品细分的电源管理芯片市场情况 按应用领域细分的电源管理芯片市场情况 主要厂商评价 未来各个细分市场的预测 报告框架 主要结论 重要发现架
上传时间： 2013-10-18
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同步整流技术简单介绍大家都知道，对于开关电源，在次级必然要有一个整流输出的过程。作为整流电路的主要元件，通常用的是整流二极管（利用它的单向导电特性），它可以理解为一种被动式器件：只要有足够的正向电压它就开通，而不需要另外的控制电路。但其导通压降较高，快恢复二极管（FRD）或超快恢复二极管（SRD）可达1.0～1.2V，即使采用低压降的肖特基二极管（SBD），也会产生大约0.6V的压降。这个压降完全是做的无用功，并且整流二极管是一种固定压降的器件，举个例子：如有一个管子压降为0.7V，其整流为12V时它的前端要等效12.7V电压，损耗占0.7/12.7≈5.5%.而当其为3.3V整流时，损耗为0.7/4（3.3+0.7）≈17.5%。可见此类器件在低压大电流的工作环境下其损耗是何等地惊人。这就导致电源效率降低，损耗产生的热能导致整流管进而开关电源的温度上升、机箱温度上升--------有时系统运行不稳定、电脑硬件使用寿命急剧缩短都是拜这个高温所赐。随着电脑硬件技术的飞速发展，如GeForce 8800GTX显卡，其12V峰值电流为16.2A。所以必须制造能提供更大输出电流（如多核F1，四路12V，每路16A；3.3V和5V输出电流各高达24A）的电源转换器。而当前世界的能源紧张问题的凸现，为广大用户提供更高转换效率（如多核R80，完全符合80PLUS标准）的电源转换器就是我们整个开关电源行业的不可回避的社会责任了。如何解决这些问题？寻找更好的整流方式、整流器件。同步整流技术和通态电阻（几毫欧到十几毫欧）极低的专用功率MOSFET就是在这个时刻走上开关电源技术发展的历史舞台了！作为取代整流二极管以降低整流损耗的一种新器件，功率MOSFET属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。因为用功率MOSFET做整流器时，要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，故称之为同步整流。它可以理解为一种主动式器件，必须要在其控制极（栅极）有一定电压才能允许电流通过，这种复杂的控制要求得到的回报就是极小的电流损耗。在实际应用中，一般在通过20-30A电流时才有0.2-0.3V的压降损耗。因为其压降等于电流与通态电阻的乘积，故小电流时，其压降和恒定压降的肖特基不同，电流越小压降越低。这个特性对于改善轻载效率（20%）尤为有效。这在80PLUS产品上已成为一种基本的解决方案了。对于以上提到的两种整流方案，我们可以通过灌溉农田来理解：肖特基整流管可以看成一条建在泥土上没有铺水泥的灌溉用的水道，从源头下来的水源在中途渗漏了很多，十方水可能只有七、八方到了农田里面。而同步整流技术就如同一条镶嵌了光滑瓷砖的引水通道，除了一点点被太阳晒掉的损失外，十方水能有9.5方以上的水真正用于浇灌那些我们日日赖以生存的粮食。我们的多核F1，多核R80，其3.3V整流电路采用了通态电阻仅为0.004欧的功率MOSFET，在通过24A峰值电流时压降仅为20*0.004=0.08V。如一般PC正常工作时的3.3V电流为10A，则其压降损耗仅为10*0.004=0.04V，损耗比例为0.04/4=1%，比之于传统肖特基加磁放大整流技术17.5%的损耗，其技术的进步已不仅仅是一个量的变化，而可以说是有了一个质的飞跃了。也可以说，我们为用户修建了一条严丝合缝的灌溉电脑配件的供电渠道。
标签： 同步整流
上传时间： 2013-10-27
上传用户：杏帘在望
一、变压器Np、Ns、Lp的计算二、如果要计算气隙长度Lg三、开关管Vce、Ic的计算（非连续）五.输出整流二极管Id、Vd的计算Flyback输出滤波电容设计流过输出电容C的纹波电流Ic=I2- Io 其中：I2为次级线圈电流 Ic的有效值可由下式计算：Icrms=[Ton/3T(I2p^2-I2pIo+Io^2 )+(Toff/T)* Io^2]^1/2 其中I2p=2io/(1- δmax) 此为输入电压最低、输出功率最大时状态。
上传时间： 2013-11-22
上传用户：aesuser
