该文档为半导体激光器稳功率电路设计讲解文档,是一份很不错的参考资料,具有较高参考价值,感兴趣的可以下载看看………………
标签: 半导体激光器
上传时间: 2021-11-20
上传用户:canderile
该篇文档详细描述了功率器件每个参数的意义,能让阅读者很好的了解功率器件,从而更好的使用功率器件
标签: 功率器件
上传时间: 2021-11-26
该文档为半导体消融微波功率源讲解文档,是一份很不错的参考资料,具有较高参考价值,感兴趣的可以下载看看………………
标签: 半导体消融
上传时间: 2021-11-30
上传用户:
该文档为碳化硅功率器件的发展现状及其在电力系统中的应用展望总结文档,是一份很不错的参考资料,具有较高参考价值,感兴趣的可以下载看看………………
标签: 碳化硅功率器件 电力系统
上传时间: 2021-12-12
该文档为4mm腔长高功率单管半导体激光器封装应力的研究概述文档,是一份很不错的参考资料,具有较高参考价值,感兴趣的可以下载看看………………
标签: 半导体激光器 封装
上传时间: 2021-12-18
上传用户:wangshoupeng199
该文档为基于GaN器件射频功率放大电路的设计总结文档,是一份很不错的参考资料,具有较高参考价值,感兴趣的可以下载看看………………
标签: GaN器件 射频功率放大电路
上传时间: 2021-12-23
上传用户:XuVshu
级联结构氮化镓功率器件及其在无线电能传输系统中的应用
标签: 氮化镓功率器件 无线电能传输
上传时间: 2022-01-01
半导体云讲堂——宽禁带半导体(GaN、SiC)材料及器件测试宽禁带半导体材料是指禁带宽度在3.0eV及以上的半导体材料, 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化镓(GaN)、 金刚石等材料。 宽禁带半导体材料被称为第三代半导体材料。四探针技术要求样品为薄膜样品或块状, 范德堡法为更通用的四探针测量技术,对样品形状没有要求, 且不需要测量样品所有尺寸, 但需满足以下四个条件• 样品必须具有均匀厚度的扁平形状。• 样品不能有任何隔离的孔。• 样品必须是均质和各向同性的。• 所有四个触点必须位于样品的边缘。
标签: 半导体 gan sic
上传时间: 2022-01-03
该文档为半导体消融微波功率源概述文档,是一份很不错的参考资料,具有较高参考价值,感兴趣的可以下载看看………………
上传时间: 2022-01-12
该文档为半导体激光器LD驱动电路的光功率控制的研究总结文档,是一份很不错的参考资料,具有较高参考价值,感兴趣的可以下载看看………………
上传时间: 2022-02-14
上传用户:trh505