集成电路制造工艺，北京大学课件
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制造工艺技术资料
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🔌 电路图：2
制造工艺指制造CPU或GPU的制程，或指晶体管门电路的尺寸，单位为纳米（nm)。主流的CPU制程已经达到了7-14纳米（AMD三代锐龙已全面采用7nm工艺,intel第9代全面采用14nm），更高的在研发制程甚至已经达到了4nm或更高，已经正式商用的高通855已采用7nm制程。[1]
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功率计量模块HLW8032
HLW8032 是一款高精度的电能计量 IC,它采用 CMOS 制造工艺，主要用于单相应用。它能够测量线电压和电流，并能计算有功功率，视在功率和功率因素。 该器件内部集成了两个∑-Δ型 ADC 和一个高精度的电能计量内核。HLW8032 可以通过 UART口进行数据通讯，HLW8032 采...
升压型电源管理电路的内部LDO设计
本论文所涉及的电源管理方案来源于与台湾某上市公司的横向合作项目，在电源管理产品朝着低功耗、高效率和智能化方向发展的形势下，论文采用了一种开关电源与低压降（LDO）线性电压调节器结合应用的集成方案，即将LDO作为升压型电源管理芯片的内部供电模块。按照方案的要求，本文设计了一种含缓冲级的低压降线性电压调...
监控用CMOS与CCD图像传感器对比
CCD（Charge Coupled Device）图像传感器（以下简称CCD）和CMOS图像传感器（CMOS Image Sensor以下简称CIS）的主要区别是由感光单元及读出电路结构不同而导致制造工艺的不同。CCD感光单元实现光电转换后，以电荷的方式存贮并以电荷转移的方式顺序输出，需要专用的工...
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