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对于常规VDMOS器件结构, Rdson与BV存在矛盾关系,要想提高BV,都是从减小EPI参杂浓度着手,但是外延层又是正向电流流通的通道,EPI参杂浓度减小了,电阻必然变大,Rdson增大。所以对于普通VDMOS,两者矛盾不可调和。 但是对...

2013-11-11 190 制造商

涵盖计算机集成制造中生产作业计划制定的核心方法,覆盖成批、大量及单件生产场景,结合实际案例解析技术实现逻辑与应用策略。

2026-03-08 3 制造商

帮助电子工程学生快速掌握MLCC制造流程与检测方法,深入解析核心工艺要点,提升实际应用与科研能力。

2026-01-16 2 制造商