雪崩击穿与齐纳击穿
雪崩击穿与齐纳击穿的区别...
击穿电压技术资料
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定义PN结发生临界击穿对应的电压为PN结的击穿电压BV，BV是衡量PN结可靠性与使用范围的一个重要参数，在PN结的其它性能参数不变的情况下，BV的值越高越好。
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查看全部7441个资源 »单片机控制绝缘油击穿电压测试仪
研制了采用AT89C51单片机的绝缘油击穿电压测试仪,提高了仪器的自动化程度和测试数据的准确性,介绍了仪器的硬件组成和软件设计,说明了系统的工作过程,分析了测量误差和减小误差的措施....
功率MOSFET雪崩击穿问题分析
功率MOSFET雪崩击穿问题分析，该文档仅提供参考！！...
电磁炉IGBT管击穿原因
电磁炉烧坏IGBT 功率管的八种因素在电磁炉维修中，功率管的损坏占有相当大的比例，若在没有查明故障原因的情况下贸然更换功率管会引起再次烧毁。一：谐振电容和滤波电容损坏0.3uF/1200V 谐振电容、5uF/400V 滤波电容损坏或容量不足若0.3uF/1200V 谐振电容、5uF/400V 滤波电...
p-n结的隧道击穿模型研究
在理论模型的基础上探讨了电子势垒的形状以及势垒形状随外加电压的变化, 并进行定量计算, 得出隧穿电压随杂质掺杂浓度的变化规律。所得结论与硅、锗p-n 结实验数据相吻合, 证明了所建立的理论模型在定量 研究p-n 结的隧道击穿中的合理性与实用性。该理论模型对研究一般材料或器件的隧道击穿具有重要的借鉴意...
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