击穿效应

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对80C196KC单片机系统的电离总剂量辐射效应进行了动态、静态对比试验.结果表明,该单片机系统不加电状态下总剂量失效水平约为5.8×102Gy(Si),而加电动态工作时约为1.25×102Gy(Si).可见,加电动态工作时的抗总剂量能力大...

2024-07-08 2 击穿效应

1.1. 故障现象描述 1. 故障现象描述 2. 基本环境描述 1.2. 分析方案设计 1. 分析目标 2. 分析设备部署 1.3. 分析情况 1. 基本流量分析 2. 总体通讯情况分析 3. 针对Web服务器访问流量进行分析 1.4. 分...

2013-12-19 150 击穿效应

双击可执行程序RQSZ.exe，在出现的提示信息中输入大写字母“D”,可 显示系统当前日期；输入大写字母“T”,可显示系统当前时间；输入大写字母 “Q”，可结束程序。

2013-12-27 140 击穿效应