击穿分析

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MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。

2022-12-24 3 击穿分析

电磁炉烧坏IGBT 功率管的八种因素在电磁炉维修中，功率管的损坏占有相当大的比例，若在没有查明故障原因的情况下贸然更换功率管会引起再次烧毁。一：谐振电容和滤波电容损坏0.3uF/1200V 谐振电容、5uF/400V 滤波电容损坏或容量不足...

2022-06-22 9 击穿分析

1.1. 故障现象描述 1. 故障现象描述 2. 基本环境描述 1.2. 分析方案设计 1. 分析目标 2. 分析设备部署 1.3. 分析情况 1. 基本流量分析 2. 总体通讯情况分析 3. 针对Web服务器访问流量进行分析 1.4. 分...

2013-12-19 150 击穿分析

1.1. 故障现象描述 1. 故障现象描述 2. 基本环境描述 1.2. 分析方案设计 1. 分析目标 2. 分析设备部署 1.3. 分析情况 1. 基本流量分析 2. 总体通讯情况分析 3. 针对Web服务器访问流量进行...

2025-03-12 5 击穿分析

在理论模型的基础上探讨了电子势垒的形状以及势垒形状随外加电压的变化, 并进行定量计算, 得出隧穿电压随杂质掺杂浓度的变化规律。所得结论与硅、锗p-n 结实验数据相吻合, 证明了所建立的理论模型在定量 研究p-n 结的隧道击穿中的合理性与实用...

2013-10-31 191 击穿分析