本资料包含完整的GJB150A-2009 军用装备实验室环境试验方法GJB150A-2009中华人民共和国国家军用标准代替GJB150-1986GJB150.1A-2009 军用装备实验室环境试验方法第1部分:通用要求（代替GJB150.1-86）GJB150.2A-2009 军用装备实验室环境试验方法第2部分:低气压（高度）试验（代替GJB150.2-86）GJB150.3A-2009 军用装备实验室环境试验方法GJB150.4A-2009 军用装备实验室环境试验方法GJB150.5A-2009 军用装备实验室环境试验方法GJB150.7A-2009 军用装备实验室环境试验方法第7部分:太阳辐射试验（代替GJB150.7-86）GJB150.8A-2009 军用装备实验室环境试验方法第8部分:淋雨试验（代替GJB150.8-86）GJB150.9A-2009 军用装备实验室环境试验方法第9部分:湿热试验（代替GJB150.9-86）GJB150.10A-2009 军用装备实验室环境试验方法第GJB150.11A-2009 军用装备实验室环境试验方法第11部分 盐雾试验（代替GJB150.11-86）GJB150.12A-2009 军用装备实验室环境试验方法第12部分:砂尘试验（代替GJB150.12-86）GJB150.13A-2009 军用装备实验室环境试验方法第GJB150.14A-2009 军用装备实验室环境试验方法第14部分:浸渍试验（代替GJB150.14-86）GJB150.15A-2009 军用装备实验室环境试验方法GJB150.16A-2009 军用装备实验室环境试验方法第16部分振动试验（代替GJB150.16-86）GJB150.17A-2009 军用装备实验室环境试验方法第17部分:噪声试验（代替GJB150.17-86）GJB150.18A-2009 军用装备实验室环境试验方法GJB150.20A-2009 军用装备实验室环境试验方法第20部分:炮击振动试验（代替GJB150.20-86）GJB150.21A-2009 军用装备实验室环境试验方法第21部分:风压试验（代替GJB150.21-87）GJB150.22A-2009 军用装备实验室环境试验方法第22部分:积冰/冻雨试验（代替GJB150.22-87）GJB150.23A-2009 军用装备实验室环境试验方法第23部分:倾斜和摇摆试验（代替GJB150.23-91）GJB150.24A-2009 军用装备实验室环境试验方法GJB150.25A-2009 军用装备实验室环境实验方法GJB150.26A-2009 军用装备实验室环境试验方法第GJB150.27A-2009 军用装备实验室环境实验方法GJB150.28A-2009 军用装备实验室环境试验方法GJB150.29A-2009 军用装备实验室环境试验方法第29部分:弹道冲击试验
标签： 实验室环境
上传时间： 2022-03-05
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本设备电气性能优良，结构坚固，主要组成部分为收信机和整流器。能装车，且具有人力或兽力搬运的可能。适合于师、团一级或船舶、邮电部门使用。收信的频率范围为1.5~30兆赫，分五个波段。可以接收电报和电话。供电为190，200，220，240伏交流电源。收信机采取一次变频超外差式电路。有二级高频放大器，三级中频放大器，中频频率为600千赫。中频通带有四种，其中3种借助于中频晶体滤波器得到的。机内尚有可控的抑制脉冲干扰的噪声抑制电路开关收信机的频率度盘是用照相法按机刻度的，因此频率刻度的准确度较高。机内有500千赫晶体校准器用以校准度盘刻度。由于在高波段采用了波段展阔电路，故调谐方便。调谐旋钮轴与主调可变电容器及频率度盘由无间隙齿轮传动因此具有良好的再定度与使用可靠性。收信机由传动机构的飞轮惯性作用达到快速调谐效果，而由主调电容器比调谐旋钮轴减速108倍的作用达到慢调的效果。二者是通过同一个旋钮完成的本收信机结构可靠，机箱底部装有减震器。（或装有避震器供装车使用）故能经受颠簸冲击振动长途运输的考验。由于中频回路是密封的，高频电感与波段开关板等经过良好的处理工艺，在电路上则采取温度补偿等措施，使收信设备能在低温、高温及潮湿的条件下使用。机箱及底座均用铝板制成，减轻了收信机的重量。收信机还具有音频，自动增益控制，半双工等输出线。输出端可接二副TA4低阻抗耳机。整流器内用硅二极管作整流，还具有稳流灯丝及稳压电路。本设备使用的电子器件如下：
标签： 短波接收机
上传时间： 2022-03-29
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静电放电（Electrostatic Discharge，ESD）是构成集成电路可靠性的主要因素之一，存在于生产到使用的每一个环节，并成为开发新一代工艺技术的难点之一，近年来，对ESD的研究也因而越来越受到重视，仿真工具在ESD领域的应用使得ESD防护的研究变得更为便利，可大幅缩短研发周期然而，由于ESD现象复杂的物理机制，极端的电场及温度条件，以及ESD仿真中频繁的不收敛现象，都使得FSD的仿真变得极为困难本文详细阐述了ESD的来源、造成的危害以及如何测试集成电路的防静电冲击能力，并基于 Sentaurus软件，对ESD防护器件展开了的分析、研究，内容包括1）掌握ESD保护的基本理论、测试方法和防护机理2）研究了工艺仿真流程的步骤以及网格定义在工艺仿真中的重要性，并对网格定义的方法进行了探讨3）硏究了器件仿真流程以及器件仿真中的物理模型和模型函数，并对描述同一物理机制的的各种不同模型展开对比分析.主要包括传输方程模型、能帶模型、各种迁移率退化模型、雪崩离化模型和复合模型4）研究了双极型晶体管和可控硅（Silicon Controlled rectifier，SCR）防护器件的仿真，并通过对仿真结果的分析，研究了ESD保护器件在ESD应力作用下的工作机理关键词：静电放电；网格；器件仿真；双极型晶体管；可控硅
上传时间： 2022-03-30
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电压/电流： 11.6---12.6V / 5A输出功率： ≤60W稳压精度：＜±1%负载效应：＜±1%源效应：＜±0.3%温度系数：＜±0.1%负载效应恢复时间：≤200uS开机过冲幅度：＜±10%启动冲击电流：＜150%衡重杂音：＜2mV峰峰值杂音：＜100mV过压保护
标签： 开关电源
上传时间： 2022-06-16
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随着微电子技术在汽车控制系统中的广泛应用，汽车总成中电子系统的作用显得越来越重要，这种发展态势对汽车发电系统提出了更高的要求。汽车电压调节器是汽车发电系统的心脏部件，优质的电压调节器是保证汽车电子系统高可靠性的重要前提。本文通过对大量电子电压调节器的分析，提出了新的电压调节器电路。在调节器的具体实现形式上采用单芯片集成方式，使其在电压调节精度、体积、重量及耐振性等方面均优于普通电子电压调节器。文中还详细分析了电压调节器的的工作原理和电路结构，分块设计了芯片内部各个功能模块，包括取样电路、电压基准源、误差放大器、保护电路和调整晶体管，给出所有晶体管级电路图，并对各功能模块进行Spice模拟验证，模拟的结果及分析也一并给出。最后根据元器件在电路中的作用确定器件单元版图结构，并介绍了版图设计过程关键词：汽车电子；调节器；调整管：双极工艺汽车工业是一种高度综合性的产业。现代汽车的发展形成了以计算机为顶端，半导体元器件为基础，光电测试为手段，集成电路为原料的新格局。近几年以来电子点火，电子显示，数字检测，电子转向，电子钟，电子音响，电磁操纵，空调等电子产品在我国汽车上得到了很大的发展和应用[2]，这种发展态势对汽车发电系统提出了更高的要求，具体地说，用电系统不仅需要更大的供电能力，而且要求有更高的供电可靠性和供电质量。作为一个能满足这些要求的发电系统，除了高性能的发电机及可靠的整流装置外，还必需配备有高品质的电压调节器。为此，国内外有关研究机构及学者十分重视新型电子电压调节器的研究与开发.汽车发电系统的工作环境十分恶劣。相应地，对作为其关键部件之一的电压调节器的要求也很高。除要求电压调节器具有优良的电压调节性能外，还有许多特殊的要求，如强的耐震性，宽的工作温度范围，耐化学腐蚀以及能承受超负荷状态下的高压、大电流冲击等.
上传时间： 2022-06-19
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在UPS中使用的功率器件有双极型功率品体管、功率 MOSFET、可控硅和IGBT IGBT既有功率MOSFET 易于驱动，控制简单、开关频率高的优点，又有功率品体管的导通电压低，通态电流大的优点、使用 IGBT成为UPS功率设计的首选，只有对 IGBT的特性充分了解和对电路进行可靠性设计，才能发挥 IGBT的优点。本文介绍UPS中的IGBT的应用情况和使用中的注意事项。2.IGBT在UPS中的应用情况绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是一种MOSFET 与双极晶体管复合的器件。据东芝公司资料，1200V/100A 的IGBT的导通电阻是同一耐压规格的功率 MOSFET 的1/10，而开关时间是同规格 GTR的1/10。由于这些优点，IGBT广泛应用于不间断电源系统（UPS）的设计中。这种使用 IGBT的在线式UPS具有效率高，抗冲击能力强、可靠性高的显著优点。UPS主要有后备式、在线互动式和在线式三种结构。在线式 UPS以其可靠性高，输出电压稳定，无中断时间等显著优点，广泛用于通信系统、税务、金融、证券、电力、铁路、民航、政府机关的机房中。本文以在线式为介绍对象，UPS中的1GBT的应用。
上传时间： 2022-06-22
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1前言光谱仪是测量光源和物质光谱特性的重要装置，它在颜色显示，视觉效果比对和生物化学领域有着广泛的应用。近年来，电荷耦合器件CCD取得了飞速的发展，工艺日趋完善，已能批量制造完全没有缺陷的高可靠性低成六的CCD芯片，这种器件有很宽的光谱响应特性，完全可以代替感光乳剂，应用在光谱测量上"，因此，设计出配合CCD光谱仪器使用的光学结构对于仪器的小型化有着重大的意义.2微型CCD光谱仪的光学结构设计2.1光栅的选择与设计在光谱仪核心元件分光器件的发展历程中，经历了色散校镜到衍射光栅到采用干涉调制元件和信息变换技术的演化。近年来声光调造器件AOTF的技术和应用也有了很大发展，没有机械活动件，全固态、电子调诸.结构小而牢周，可承受震动冲击等一系列优点，使其具有明显的技术和应用竞争力2.3。本设计中选择闪耀光栅。因为光棚与其他分光元件相比较，有许多优点。首先，光栅的角色散率几乎和波长无关，这对光谱的波长测量很有利。其二，光棚的分辨率比棱镜大，价格也较低，其三，光栅不受材料透过率的限制，它可以在整个光学光谱区中应用。
上传时间： 2022-06-22
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CCD（Charge Coupled Device）图像传感器（以下简称CCD）和CMOS图像传感器（CMOS Image Sensor以下简称CIS）的主要区别是由感光单元及读出电路结构不同而导致制造工艺的不同。CCD感光单元实现光电转换后，以电荷的方式存贮并以电荷转移的方式顺序输出，需要专用的工艺制程实现；CIS图像感光单元为光电二极管，可在通用CMOS集成电路工艺制程中实现，除此之外还可将图像处理电路集成，实现更高的集成度和更低的功耗。目前CCD几乎被日系厂商垄断，只有少数几个厂商例如索尼、夏普、松下、富士、东芝等掌握这种技术。CIS是90年代兴起的新技术，掌握该技术的公司较多，美国有OmniVision，Aptina；欧洲有ST；韩国的三星，SiliconFile，Hynix等；日本的SONY，东芝等；中国台湾的晶像；大陆地区的比亚迪，格科微等公司。由于CCD技术出现早，相对成熟，前期占据了绝大部分的高端市场。早期CIS与CCD相比，仅功耗与成本优势明显，因此多用于手机，PCCamera等便携产品。随着CIS技术的不断进步，性能不断提升；而CCD技术提升空间有限，进步缓慢。目前CIS不仅占据几乎全部的便携设备市场，部分高端DSC（DigitalStil Camera）市场，更是向CCD传统优势市场——监控市场发起冲击。下面就监控专用CIS与传统CCD进行综合对比。
上传时间： 2022-06-23
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变频器电路图-整流、滤波、电源及电压检测电路1.整流滤波部分电路三相220∨电压由端子J3的T、S、R引入，加至整流模块D55（SKD25-08）的交流输入端，在输出端得到直流电压，RV1是压敏电阻，当整流电压超过额定电压385V时，压敏电阻呈短路状态，短路的大电流会引起前级空开跳闸，从而保护后级电路不受高压损坏。整流后的电压通过负温度系数热敏电阻RT5、RT6给滤波电容C133、C163充电。负温度系数热敏电阻的特点是：自身温度越高，阻值越低，因为这个特点，变频器刚上电瞬间，RT5、RT6处于冷态，阻值相对较大，限制了初始充电电流大小，从而避免了大电流对电路的冲击。2.直流电压检测部分电路电阻R81、R65、R51、R77、R71、R52、R62、R39、R40组成串联分压电路，从电阻上分得的电压分别加到U15（TL084）的三个运放组成的射极跟随器的同向输入端，在各自的输出端得到跟输入端相同的电压（输出电压的驱动能力得到加强）。U13（LM339）是4个比较器芯片，因为是集电集开路输出形式所以输出端都接有上接电阻，这几组比较器的比较参考电压由Q1（TL431）组成的高精度稳压电路提供调整电位器R9可以调节参考电压的大小，此电路中参考电压是6.74V。
上传时间： 2022-06-26
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基于TDS2285芯片的正弦波1200W逆变器开发指南以TDS2285芯片为核心，打造一款正弦波1200W逆变机器，使大家对TDS2285芯片有更深入的了解。我们知道在许多逆变的场合中，都是低压DC直流电源要变成高压AC电源，所以中间是需要升压才能完成这一变化，我们此次讨论的依然是采用高颖的方式来做逆变，采用高频的方式相对于工频方式来做有许多优点：高转换效率，极低的空载电流，重量轻，体积小等。也许有人会说工频的皮实，耐冲击，对于这一点我也非常认同，不过需要指出的是，高频的做的好，一点也不会输于工额的，这一点，已经通过我们公司的产品和TDS2285的出货情况得到了肯定，所以，以下就让大家看看TDS2285芯片在该系统中表现吧！DC-DC升压部分：此次设计是采用DC24V输入，为了要保证输出AC220，在此环节中，DC-DC升压部分至少需要将DC24V升压到220VAC*1.414-DC31 1v，这样在311V的基础上才能有稳定的AC220V出来，为了能达到这一目地，我们采用非常熟悉的推挽电路TOP来做该DC-DC变换，电路图如下：
上传时间： 2022-06-26
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