降低赛灵思28nm 7系列FPGA的功耗
本白皮书介绍了有关赛灵思 28 nm 7 系列 FPGA 功耗的几个方面，其中包括台积电 28nm高介电层金属闸 (HKMG) 高性能低功耗（28nm HPL 或 28 HPL）工艺的选择。...
内电层技术资料
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内电层作为PCB设计中的关键组成部分，对于提高电路板的电磁兼容性、信号完整性和电源稳定性起着至关重要的作用。广泛应用于高速数字电路、射频通信系统及复杂嵌入式设备中。通过合理规划内电层布局，可以有效减少噪声干扰，优化热管理，并提升整体性能。本页面汇集了11379个精选资源，涵盖从基础理论到高级技巧的全面指南，是每一位追求卓越设计的电子工程师不可或缺的学习宝库。
🔥 内电层热门资料
查看全部11379个资源 »WP312 - 赛灵思新一代28nm FPGA技术概览
赛灵思选用 28nm 高介电层金属闸 (HKMG) 高性能低 功耗技术，并将该技术与新型一体化 ASMBLTM 架构相结合，从而推出能降低功耗、提高性能的新一代FPGA。这些器件实现了前所未有的高集成度和高带宽，为系统架构师和设计人员提供了一种可替代 ASSP和 ASIC ...
WP373-赛灵思推出Virtex-7,Kintex-7,Artix-7三大全新系列FPGA
赛灵思推出的三款全新产品系列不仅发挥了台积电28nm 高介电层金属闸 (HKMG) 高性能低功耗 (HPL) 工艺技术前所未有的功耗、性能和容量优势，而且还充分利用 FPGA 业界首款统一芯片架构无与伦比的可扩展性，为新一代系统提供了综合而全面的平台基础。目前，随着赛灵思 ...
降低赛灵思28nm 7系列FPGA的功耗
本白皮书介绍了有关赛灵思 28 nm 7 系列 FPGA 功耗的几个方面，其中包括台积电 28nm高介电层金属闸 (HKMG) 高性能低功耗（28nm HPL 或 28 HPL）工艺的选择。...
WP312 - 赛灵思新一代28nm FPGA技术概览
赛灵思选用 28nm 高介电层金属闸 (HKMG) 高性能低 功耗技术，并将该技术与新型一体化 ASMBLTM 架构相结合，从而推出能降低功耗、提高性能的新一代FPGA。这些器件实现了前所未有的高集成度和高带宽，为系统架构师和设计人员提供了一种可替代 ASSP和 ASIC ...
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