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全桥逆变电路

  • 模拟基础电路全部课件(超全)

    基础电路分析以及基础资料,初学者必看。。

    标签: 模拟 基础电路

    上传时间: 2014-01-17

    上传用户:s蓝莓汁

  • 555电路综合应用

    我们知道,555电路在应用和工作方式上一般可归纳为3类。每类工作方式又有很多个不同的电路。 在实际应用中,除了单一品种的电路外,还可组合出很多不同电路,如:多个单稳、多个双稳、单稳和无稳,双稳和无稳的组合等。这样一来,电路变的更加复杂。为了便于我们分析和识别电路,更好的理解555电路,这里我们这里按555电路的结构特点进行分类和归纳,把555电路分为3大类、8种、共18个单元电路。每个电路除画出它的标准图型,指出他们的结构特点或识别方法外,还给出了计算公式和他们的用途。方便大家识别、分析555电路。下面将分别介绍这3类电路。

    标签: 555 电路

    上传时间: 2014-12-23

    上传用户:sun_pro12580

  • 史上最全的运放典型应用电路及分析

    二十种电路分析。

    标签: 运放 典型 应用电路

    上传时间: 2013-10-13

    上传用户:Yukiseop

  • 压控振荡电路的设计

    能实现VCO 功能的电路很多,常用的有分立器件构成的振荡器和集成压控振荡器。如串联谐振电容三点式电路、压控晶体振荡器,积分-施密特电路、射级耦合多谐振荡器、变容二极管调谐LC 振荡器和数字门电路等几种。它们之间各有优缺点,下面做简要分析,并选择最合适的方案。

    标签: 压控 振荡电路

    上传时间: 2013-11-06

    上传用户:tdyoung

  • 20个经典模拟电路_全学懂后基础就扎实了

    20个经典模拟电路

    标签: 模拟电路

    上传时间: 2013-10-13

    上传用户:jshailingzzh

  • 基于ARM及温度补偿的智能变送器设计

    介绍了一种基于ARM7TDMI内核的高精度模拟微控制器ADUC7061的智能变送器,并给出了智能变送器的硬件电路设计和软件设计流程。该智能变送器能输出电流变送信号并通过RS485传输数字信号,具有对传感器的温度误差补偿、系统参数设定保存、自校准、配置电流变送信号输出类型等功能。实际工程应用表明,该智能变送器具有宽电压电源输入范围、测量精度高、工作稳定可靠、适用范围广等优点。

    标签: ARM 温度补偿 智能变送器

    上传时间: 2013-11-02

    上传用户:TRIFCT

  • L6599控制的半桥LLC谐振变换器设计与实现

    LLC谐振变换器非常适合应用于高效率和高功率密度的场合,成为目前新型谐振变换器的典型代表。文章首先简要介绍了半桥LLC谐振变换器的工作原理和优点,然后计算了主电路和控制电路的主要参数,并根据参数计算结果选择电力电子元器件,最后研制并完善了实验样机。样机实现了变压器漏感充当谐振电感与变压器励磁电感和谐振电容谐振,主开关管实现ZVS,控制电路实现单管自举驱动,验证了文章的正确性和可行性。文章为后续研究奠定了理论和实验基础。

    标签: L6599 LLC 控制 半桥

    上传时间: 2013-10-13

    上传用户:diets

  • DN497 -为敏感电路提供过压及电源反接保护

    假如有人将 24V 电源连接到您的 12V 电路上,将发生什么? 倘若电源线和接地线因疏忽而反接,电路还能安然无恙吗? 您的应用电路是否工作于那种输入电源会瞬变至非常高压或甚至低于地电位的严酷环境中?即使此类事件的发生概率很低,但只要出现任何一种就将彻底损坏电路板。

    标签: 497 DN 敏感电路 保护

    上传时间: 2013-12-29

    上传用户:黄酒配奶茶

  • 三种布局的半桥谐振变换器的分析研究

    驱动电路的设计是LED照明设备中的核心部分,驱动电路的好坏直接影响到了光源是否高效节能工作。而基于不对称式半桥谐振变换器设计的驱动电路在大功率LED中应用较多,本文即针对不对称式半桥谐振变换器进行了分析,横向对比SRC、PRC、LLC谐振变换器后,对性能最好的不对称式半桥LLC谐振变换器做仿真分析,获得了相关计算数据,验证了LLC不对称式半桥谐振器具有优良性能,并提出了优化方法。

    标签: 布局 半桥谐振 变换器

    上传时间: 2013-11-18

    上传用户:swaylong

  • 一种无片外电容LDO的瞬态增强电路设计

    利用RC高通电路的思想,针对LDO提出了一种新的瞬态增强电路结构。该电路设计有效地加快了LDO的瞬态响应速度,而且瞬态增强电路工作的过程中,系统的功耗并没有增加。此LDO芯片设计采用SMIC公司的0.18 μm CMOS混合信号工艺。仿真结果表明:整个LDO是静态电流为3.2 μA;相位裕度保持在90.19°以上;在电源电压为1.8 V,输出电压为1.3 V的情况下,当负载电流在10 ns内由100 mA降到50 mA时,其建立时间由原来的和28 μs减少到8 μs;而在负载电流为100 mA的条件下,电源电压在10 ns内,由1.8 V跳变到2.3 V时,输出电压的建立时间由47 μs降低为15 μs。

    标签: LDO 无片外电容 瞬态 电路设计

    上传时间: 2013-12-20

    上传用户:niumeng16