文章阐述了零电压开关技术在移相全桥变换器中的应用, 提出了一种改进型的零电压零电流全桥移相开关电源, 对电路的工作原理、工作模式作了具体分析, 主要器件的参数选择作了设计, 并给出了由控制芯片UC3875 构成的3KW 实用高频开关电源。
上传时间： 2013-11-18
上传用户：zhanditian
提出了一种利用耦合输出电感的新型次级箝位零电压、零电流开关-脉宽调制（ZVZCS-PWM）全桥变换器。它采用无损耗元件及有源开关的简单辅助电路，实现了滞后桥臂的零电流开关。与传统的ZVZCS-PWM全桥变换器相比，这种新型变换器具有电路结构简单，整机效率高，以及轻载时能根据负载情况自动调整箝位电容的充放电电流。因而非常适合用于IGBT 作为主开关的高压、大功率应用场合。详细分析了该变换器的工作原理及电路设计；在一台功率为1kW的工程样机上测出了实际运行时的波形及变换器效率。实验结果证明，该变换器能在任意负载下实现滞后桥臂的零电流开关，且满载时的效率最高达到92%。关键词: 变换器；控制/软开关
上传时间： 2014-12-24
上传用户：wujijunshi
PWM DCDC全桥变换器软开关技术的基本工作原理，控制策略，切换方式等内容。
上传时间： 2013-12-18
上传用户：brain kung
介绍了双反星形可控硅整流电路中的平衡电抗器及其在电路中所起的作用,即保证两组三相半波整流电路同时导电和电路输出电流的平衡,并例举了该电抗器在运行过程中发生的故障及处理事例。
上传时间： 2013-11-22
上传用户：来茴
变频器是利用电力半导体器件的通断作用将工频电源变换为另一频率的电能控制装置。我们现在使用的变频器主要采用交—直—交方式（VVVF变频或矢量控制变频），先把工频交流电源通过整流器转换成直流电源，然后再把直流电源转换成频率、电压均可控制的交流电源以供给电动机。变频器的电路一般由整流、中间直流环节、逆变和控制4个部分组成。整流部分为三相桥式不可控整流器，逆变部分为IGBT三相桥式逆变器，且输出为PWM波形，中间直流环节为滤波、直流储能和缓冲无功功率。
上传时间： 2013-11-10
上传用户：alex wang
详细分析了移相全桥电路初次级噪声源和噪声传播路径的特点。针对初级共模噪声的特点, 分析了为改善初级共模噪音而提供的旁路回路和良好屏蔽措施等的有效性; 研究了变压器次级绕组对屏蔽层形成不对称分布电容的原因及其对次级噪声的影响。从高频变压器结构出发, 给出了几种改进变压器结构的方案; 改善了次级绕组对屏蔽层分布电容不平衡的情况, 实验验证了分析结果。
上传时间： 2014-03-30
上传用户：semi1981
变频器是利用电力半导体器件的通断作用将工频电源变换为另一频率的电能控制装置。我们现在使用的变频器主要采用交—直—交方式（VVVF变频或矢量控制变频），先把工频交流电源通过整流器转换成直流电源，然后再把直流电源转换成频率、电压均可控制的交流电源以供给电动机。变频器的电路一般由整流、中间直流环节、逆变和控制4个部分组成。整流部分为三相桥式不可控整流器，逆变部分为IGBT三相桥式逆变器，且输出为PWM波形，中间直流环节为滤波、直流储能和缓冲无功功率。
上传时间： 2013-11-20
上传用户：sevenbestfei
变电站微机保护测控装置应用于强弱电结合部分，二者存在电磁兼容问题，处理不好会造成局部系统的运行不稳定。本文介绍了变电站微机保护测控系统在设计、施工、运行中如何消除或抑制干扰，以保障系统的稳定运行。
上传时间： 2013-10-14
上传用户：牛布牛
摘要：简要论述了测控系统的供电特点及实现方案，并介绍了一些测控系统常用的电源变换电路。
上传时间： 2013-10-26
上传用户：完玛才让
同步整流技术简单介绍大家都知道，对于开关电源，在次级必然要有一个整流输出的过程。作为整流电路的主要元件，通常用的是整流二极管（利用它的单向导电特性），它可以理解为一种被动式器件：只要有足够的正向电压它就开通，而不需要另外的控制电路。但其导通压降较高，快恢复二极管（FRD）或超快恢复二极管（SRD）可达1.0～1.2V，即使采用低压降的肖特基二极管（SBD），也会产生大约0.6V的压降。这个压降完全是做的无用功，并且整流二极管是一种固定压降的器件，举个例子：如有一个管子压降为0.7V，其整流为12V时它的前端要等效12.7V电压，损耗占0.7/12.7≈5.5%.而当其为3.3V整流时，损耗为0.7/4（3.3+0.7）≈17.5%。可见此类器件在低压大电流的工作环境下其损耗是何等地惊人。这就导致电源效率降低，损耗产生的热能导致整流管进而开关电源的温度上升、机箱温度上升--------有时系统运行不稳定、电脑硬件使用寿命急剧缩短都是拜这个高温所赐。随着电脑硬件技术的飞速发展，如GeForce 8800GTX显卡，其12V峰值电流为16.2A。所以必须制造能提供更大输出电流（如多核F1，四路12V，每路16A；3.3V和5V输出电流各高达24A）的电源转换器。而当前世界的能源紧张问题的凸现，为广大用户提供更高转换效率（如多核R80，完全符合80PLUS标准）的电源转换器就是我们整个开关电源行业的不可回避的社会责任了。如何解决这些问题？寻找更好的整流方式、整流器件。同步整流技术和通态电阻（几毫欧到十几毫欧）极低的专用功率MOSFET就是在这个时刻走上开关电源技术发展的历史舞台了！作为取代整流二极管以降低整流损耗的一种新器件，功率MOSFET属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。因为用功率MOSFET做整流器时，要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，故称之为同步整流。它可以理解为一种主动式器件，必须要在其控制极（栅极）有一定电压才能允许电流通过，这种复杂的控制要求得到的回报就是极小的电流损耗。在实际应用中，一般在通过20-30A电流时才有0.2-0.3V的压降损耗。因为其压降等于电流与通态电阻的乘积，故小电流时，其压降和恒定压降的肖特基不同，电流越小压降越低。这个特性对于改善轻载效率（20%）尤为有效。这在80PLUS产品上已成为一种基本的解决方案了。对于以上提到的两种整流方案，我们可以通过灌溉农田来理解：肖特基整流管可以看成一条建在泥土上没有铺水泥的灌溉用的水道，从源头下来的水源在中途渗漏了很多，十方水可能只有七、八方到了农田里面。而同步整流技术就如同一条镶嵌了光滑瓷砖的引水通道，除了一点点被太阳晒掉的损失外，十方水能有9.5方以上的水真正用于浇灌那些我们日日赖以生存的粮食。我们的多核F1，多核R80，其3.3V整流电路采用了通态电阻仅为0.004欧的功率MOSFET，在通过24A峰值电流时压降仅为20*0.004=0.08V。如一般PC正常工作时的3.3V电流为10A，则其压降损耗仅为10*0.004=0.04V，损耗比例为0.04/4=1%，比之于传统肖特基加磁放大整流技术17.5%的损耗，其技术的进步已不仅仅是一个量的变化，而可以说是有了一个质的飞跃了。也可以说，我们为用户修建了一条严丝合缝的灌溉电脑配件的供电渠道。
标签： 同步整流
上传时间： 2013-10-27
上传用户：杏帘在望
