该电路输入端为PWM信号，也可以DA输出，输出4-20MA .在变送器中已经成熟使用 ，如果需要隔离可以在PWM端加一级光耦隔离，PWM频率200HZ 左右就可以，输出端最低电压为9V ，最高可以24v。
标签： XTR111
上传时间： 2022-06-14
上传用户：bluedrops
在一般较低性能的三相电压源逆变器中， 各种与电流相关的性能控制， 通过检测直流母线上流入逆变桥的直流电流即可，如变频器中的自动转矩补偿、转差率补偿等。同时， 这一检测结果也可以用来完成对逆变单元中IGBT 实现过流保护等功能。因此在这种逆变器中， 对IGBT 驱动电路的要求相对比较简单， 成本也比较低。这种类型的驱动芯片主要有东芝公司生产的TLP250，夏普公司生产的PC923等等。这里主要针对TLP250 做一介绍。TLP250 包含一个GaAlAs 光发射二极管和一个集成光探测器， 8脚双列封装结构。适合于IGBT 或电力MOSFET 栅极驱动电路。图2为TLP250 的内部结构简图， 表1 给出了其工作时的真值表。TLP250 的典型特征如下：1） 输入阈值电流（ IF） ： 5 mA（ 最大） ；2） 电源电流（ ICC） ： 11 mA（ 最大） ；3） 电源电压（ VCC） ： 10～ 35 V；4） 输出电流（ IO） ： ± 0.5 A（ 最小） ；5） 开关时间（ tPLH /tPHL ） ： 0.5 μ（ s 最 大 ） ；6） 隔离电压： 2500 Vpms（最小）。表2 给出了TLP250 的开关特性，表3 给出了TLP250 的推荐工作条件。注： 使 用 TLP250 时 应 在 管 脚 8和 5 间 连 接 一 个 0.1 μ的 F 陶 瓷 电 容 来稳定高增益线性放大器的工作， 提供的旁路作用失效会损坏开关性能， 电容和光耦之间的引线长度不应超过1 cm。图3 和图4 给出了TLP250 的两种典型的应用电路。
标签： igbt
上传时间： 2022-06-20
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一、IGBT 驱动1 驱动电压的选择IGBT 模块GE 间驱动电压可由不同地驱动电路产生。典型的驱动电路如图1 所示。图1 IGBT 驱动电路示意图Q1，Q2 为驱动功率推挽放大，通过光耦隔离后的信号需通过Q1，Q2 推挽放大。选择Q1，Q2 其耐压需大于50V 。选择驱动电路时，需考虑几个因素。由于IGBT 输入电容较MOSFET 大，因此IGBT 关断时，最好加一个负偏电压，且负偏电压比MOSFET 大， IGBT 负偏电压最好在-5V~-10V 之内；开通时，驱动电压最佳值为15V 10％ ,15V 的驱动电压足够使IGBT 处于充分饱和，这时通态压降也比较低，同时又能有效地限制短路电流值和因此产生的应力。若驱动电压低于12V ，则IGBT 通态损耗较大， IGBT 处于欠压驱动状态；若 VGE >20V ，则难以实现电流的过流、短路保护，影响 IGBT 可靠工作。2 栅极驱动功率的计算由于IGBT 是电压驱动型器件，需要的驱动功率值比较小，一般情况下可以不考虑驱动功率问题。但对于大功率IGBT ，或要求并联运行的IGBT 则需要考虑驱动功率。IGBT 栅极驱动功率受到驱动电压即开通VGE( ON )和关断 VGE( off ) 电压，栅极总电荷 QG 和开关 f 的影响。栅极驱动电源的平均功率 PAV 计算公式为：PAV =（VGE(ON ) +VGE( off ) ）* QG *f对一般情况 VGE( ON ) =15V，VGE( off ) =10V，则 PAV 简化为： PAV =25* QG *f。f 为 IGBT 开关频率。栅极峰值电流 I GP 为：
上传时间： 2022-06-21
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全数字化焊机系统的主电路采用能输出较大功率的IGBT全侨式逆变结构，控制系统采用DSP（TMS320LF2407A）和单片机（C8051F020）构成的主从式控制结构，其中DSP为控制系统的核心，主要完成焊接实时参数的采集、PI运算和PWM波形的产生：单片机对整个控制系统进行管理，可以实现对人机交互系统（包括键盘和显示）、送丝电机和一些开关量的控制以及与PC机通讯等功能。此外，单片机与DSP之间采用串行通信方式进行信息交换。本文还对送丝电机控制电路和一些辅助控制电路进行了必要的设计.在控制系统软件设计中采用了模块化的程序设计思想。在规划出整个主程序流程的基础上，把整个程序分为多个结构简单、功能明确的子程序来设计，从而大大降低了系统软件设计的复杂性，同时也使程序结构清晰、简单易懂。在主电路和控制电路的设计中，采用了线性光耦、霍尔传感器等多项隔离措施，并设计了相应的焊机保护电路，同时还采用了必要的软硬件抗干扰措施，从而保证了全数字化焊机系统工作的稳定性和可靠性.通过对控制电路的各个功能模块进行软、硬件调试表明，该焊机系统响应速度快，电路简单可靠，系统软件较高效、可移植性好，且系统抗干扰能力强，基本达到了本设计的要求。最后，在对本文做简要总结的基础上，对于本焊机的进一步完善工作提出了建议，为全数字化焊机控制系统今后更加深入的研究奠定了良好的基础。关键词：数字化焊机：控制系统：逆变技术；DSP：单片机：人机交互系统
上传时间： 2022-06-22
上传用户：slq1234567890
概述：CMBUS是一种带供电功能的设备端串行双总线通信系统，它具有通讯设备容量大，通讯速率高，设计简单，布线方便，抗干扰能力强的特点，可以总线供电，单台设备可提供高达500mA的电流。可广泛用于小区的计量集抄，智能家庭控制网络，消防报警及联动网络，小区智能化控制网络，中央空调控制系统等。CMT100是C-MBUS总线控制端通讯专用集成电路，完成数字通讯的调制解调、总线控制、总线电源供给、总线故障检测功能。考虑到主机电路复杂，为增加主机抗干扰能力，控制器应将总线驱动与单片机系统隔，TXD.RXD收发控制经光耦直接输入芯片，系统使用15V~30V电源（根据通讯距离，设备用电状况决定）。功能芯片供电电源：根据通讯距离及供电功率确定供电电源，供电电压VCC应在15~30V之间，电压波动在5%之内。芯片内有7V稳压电源，作为隔离输出的光偶输出电源，如用于其它电源，瞬间输出电流<12mA，平均输出电流<2mA，否则会引起芯片发热。
标签： C-MBUS
上传时间： 2022-06-22
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AR0231AT7C00XUEA0-DRBR（RGB滤光）安森美半导体推出采用突破性减少LED闪烁 (LFM)技术的新的230万像素CMOS图像传感器样品AR0231AT，为汽车先进驾驶辅助系统(ADAS)应用确立了一个新基准。新器件能捕获1080p高动态范围(HDR)视频，还具备支持汽车安全完整性等级B(ASIL B)的特性。LFM技术(专利申请中)消除交通信号灯和汽车LED照明的高频LED闪烁，令交通信号阅读算法能于所有光照条件下工作。AR0231AT具有1/2.7英寸(6.82 mm)光学格式和1928(水平) x 1208(垂直)有源像素阵列。它采用最新的3.0微米背照式(BSI)像素及安森美半导体的DR-Pix™技术，提供双转换增益以在所有光照条件下提升性能。它以线性、HDR或LFM模式捕获图像，并提供模式间的帧到帧情境切换。 AR0231AT提供达4重曝光的HDR，以出色的噪声性能捕获超过120dB的动态范围。AR0231AT能同步支持多个摄相机，以易于在汽车应用中实现多个传感器节点，和通过一个简单的双线串行接口实现用户可编程性。它还有多个数据接口，包括MIPI(移动产业处理器接口)、并行和HiSPi(高速串行像素接口)。其它关键特性还包括可选自动化或用户控制的黑电平控制，支持扩频时钟输入和提供多色滤波阵列选择。封装和现状：AR0231AT采用11 mm x 10 mm iBGA-121封装，现提供工程样品。工作温度范围为-40℃至105℃(环境温度)，将完全通过AEC-Q100认证。
标签： 图像传感器
上传时间： 2022-06-27
上传用户：XuVshu
该文档为一种基于ARM7的工业测控板的研究总结文档，本设计以嵌入式控制系统为目标，实现了多路ＡＤ采集、ＤＡ输出、ＴＬＶ５６３０ＩＤＷ寄存器。数据存储等功能，并能提供多总线通讯。实验表明，系统ＡＤ／ＤＡ转换精度高、使用灵活，效果良好。ＤＩ通道将经过光耦隔离后的输入端子接在ＡＴ９ｌＳＡＭ７Ｓ６４的Ｉ／Ｏ
上传时间： 2022-07-26
上传用户：20125101110
01 基础元器件和电阻.mp4 19.9M2019-07-26 10:55 02 基础元器件：电容器.mp4 25.8M2019-07-26 10:55 03 基础元器件：电感.mp4 45M2019-07-26 10:55 04 基础元器件：保险.mp4 15.8M2019-07-26 10:55 05 基础元器件：二极管.mp4 25.9M2019-07-26 10:55 06 基础元器件：三极管.mp4 31.2M2019-07-26 10:55 07 基础元器件+接插件.mp4 23.5M2019-07-26 10:55 08 基础元器件+蜂鸣器.mp4 20.1M2019-07-26 10:55 09 基础元器件+MOS.mp4 33.6M2019-07-26 10:55 10 基础元器件+电阻提高篇.mp4 46.7M2019-07-26 10:55 11 基础元器件+电感提高篇-变压器.mp4 34.3M2019-07-26 10:55 12 基础元器件+二极管提高篇-整流桥.mp4 32.4M2019-07-26 10:55 13 基础元器件+IGBT.mp4 51.2M2019-07-26 10:55 14 基础元器件+电源转换器件.mp4 13.2M2019-07-26 10:55 15 基础元器件+晶振.mp4 18.6M2019-07-26 10:55 16 基础元器件+继电器.mp4 33.2M2019-07-26 10:55 17 基础元器件+光耦.mp4 38.3M2019-07-26 10:55 18 基础元器件+缓冲器.mp4 26.5M2019-07-26 10:55 19 基础元器件+触发器.mp4 23.7M2019-07-26 10:55 20 基础元器件+计数器.mp4 26.3M2019-07-26 10:55 21 基础元器件-AD DA转换器.mp4 62.3M2019-07-26 10:55 22 基础元器件+隔离放大器.mp4 31.3M2019-07-26 10:55 23 基础元器件+运放.mp4 45.1M2019-07-26 10:55 24 基础元器件+电压基准源.mp4 30.7M2019-07-26 10:55 25 基础元器件+555定时器.mp4 25.5M2019-07-26 10:55 课程资料.rar
上传时间： 2013-06-15
上传用户：eeworm
本文主要围绕车用CAN总线抗电磁干扰能力进行了研究。 首先，在在参考国内外相关研究资料的基础上，依据FORD公司的ES-XW7T-1A278-AC电磁兼容标准、IS07637-3对非电源线的瞬态传导抗干扰测试标准和IS011452-4大电流注入(BCI)电磁兼容性标准，利用瑞士EMTEST公司的UCS-200M、CSW500D等设备，搭建了3个用于测试CAN总线抗干扰能力的实验平台。 在所搭建的测试平台上，着重从CAN总线通讯介质选择和CAN节点抗干扰设计两个方面进行了理论分析和对比实验研究，得出了当采用屏蔽双绞线和非屏蔽双绞线作为总线通讯介质时，影响其抗干扰能力的因素；当CAN总线节点采用的不同的物理层参数时，如光耦、共模线圈、磁珠、滤波电容、分裂端接电阻、不同的总线发送电平、不同的CAN收发器等，对CAN总线抗干扰能力的影响，给出了一些增强CAN节点电路抗干扰能力的建议及一种推荐电路。 最后提出了一种新的提高CAN总线抗干扰能力的方法，即通过把CAN总线的CANH和CANL数据线分别通过一个电阻连接到总线收发器的地和电源端，使总线的差分电平整体下拉，从而降低总线收发器对某些干扰引起的电平波动所产生的误判断以达到增强抗电磁干扰的目的。并在基于FORD公司的ES-XW7T-1A278-AC电磁兼容标准所搭建的CAN总线测试平台上进行实验，验证了其有效性。
上传时间： 2013-06-19
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LED 所能承受的最大反向电压。当超过此电压时，发光二极管会突然有反向电流流过，此时，LED无法发光。另外，当有反向电流流过时，可能导致此后发光效率会降低。因此，此反向电压超过
上传时间： 2013-06-23
上传用户：lwt123
