一种新型FPGA器件延时计算方法
标签： FPGA 器件 延时 计算方法
上传时间： 2018-03-22
上传用户：caigen0001
步进电机控制 电路图加器件 所有器件最小系统班，光电模块，驱动
标签： 电路图 器件
上传时间： 2018-04-30
上传用户：南陌尘护手霜
半导体器件物理课后习题(半导体器件,物理)
标签： 半导体器件 物理
上传时间： 2018-11-22
上传用户：dawn_420
AD18器件库，包含on semi绝大多数期间。原理图和PCB库均有。
标签： semi AD 18 器件
上传时间： 2019-02-14
上传用户：fly_1013
RC5编码格式的遥控器解码、PCA9633器件控制代码示例、串口通信程序示例、IIC通信示例
标签： 9633 RC5 PCA IIC 编码 器件 代码 串口通信 控制 程序
上传时间： 2019-07-03
上传用户：zqy1818
Capture 基础教程及CIS 器件库
标签： Capture CIS 基础教程 器件
上传时间： 2019-07-30
上传用户：jyh1058
ad封装库，包含一些数码管和蜂鸣器等声亮器件的封装库和元件库。
标签： ad封装库
上传时间： 2020-06-23
上传用户：inkfz
这是ALTERA器件选型手册，对于想做CPLD器件选型的朋友有帮助
标签： ALTERA 器件选型 手册
上传时间： 2021-01-17
上传用户：qiuben_2007
873厂片式器件手册
标签： 873 片式 器件手册 产品目录
上传时间： 2021-06-28
上传用户：zw666
本书共11章。 第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用， 定义了理想功率开关的电特性， 并与典型器件的电特性进行了比较。 第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。 第4章讨论了硅门极关断 （GTO） 晶闸管结构。 第5章致力于分析硅基IGBT结构， 以提供对比分析的标准。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。 碳化硅MOSFET 和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层， 以防止其提前击穿。 另外， 必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。 这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。 第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸（MCT） 结构和基极电阻控制晶闸管 （BRT） 结构， 后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。 第10章介绍了发射极开关晶闸（EST）， 该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导通与关断， 并可利用IGBT加工工艺来制造。 这种器件具有良好的安全工作区。本书最后一章比较了书中讨论的所有高压功率器件结构。本书的读者对象包括在校学生、 功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人员。 本书适合高等院校有关专业用作教材或专业参考书， 亦可被电力电子学界和广大的功率器件和装置生产企业的工程技术人员作为参考书之用。
标签： 大功率器件
上传时间： 2021-11-02
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