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光子

  • 平行双导线受力分析

    comsol仿真光子晶体 平行双导线 受力分析 教程 

    标签: 导线

    上传时间: 2017-04-19

    上传用户:Sz199488

  • geant4 简单代码

    geant4 入门级代码,简单的探测器探测单能光子

    标签: geant4 代码

    上传时间: 2019-04-25

    上传用户:cy203203

  • CST在光学方面的应用

    简单介绍光应用例题,比如光电池,光子带隙...

    标签: CST 光学 方面

    上传时间: 2019-05-06

    上传用户:18636233039

  • 电磁双稳态计算程序

    此MATLAB程序用于计算一维光子晶体结构中的光学双稳态现象,能够非常快速的得到双稳态曲线。

    标签: 电磁 双稳态 计算 程序

    上传时间: 2020-06-17

    上传用户:zgggyh

  • 第一性原理研究MoS2的电子结构及光学性质

    为了系统深入地研究MoS2的电子能带结构和光电性质,基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方 法,计算和分析了材料MoS2的电子结构及其光学性质,给出了MoS2 的能带结构、光吸收谱、电子态密度、能 量损失谱、反射谱、介电函数谱等光学性质。计算结果表明:体材料MoS2的电子跃迁形式是非垂直跃迁,具有 间接带隙的半导体材料,带隙宽为1.126 eV;价带和导带的形成是由Mo和S 的价电子起作用产生的。通过分析 其光学性质,发现MoS2的介电函数的实部和虚部的峰值都出现在低能区,当光子能量的升高,介电函数值会缓 慢降低;材料MoS2对可见紫外区域的光子具有很强的吸收,最大吸收系数为3.17×105cm-1;MoS2在能量为18.33eV 位置出现了共振现象,其它区域内能量的损失值都趋于为0,说明电子之间共振非常微弱。这些光学性质奠定了 该材料在制作微电子和光电子器件方面的作用,尤其是在紫外探测器应用方面有着潜在的应用前景,为未来对 MoS2材料的进一步研究提供理论参考。

    标签: MoS2 电子结构 光学

    上传时间: 2020-11-08

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  • 新型宽带天线

    介绍了分形 超导 方向回溯 微波光子晶体等形式天线,对各自特点进行了深入分析。

    标签: 宽带 天线

    上传时间: 2022-02-05

    上传用户:zhanglei193

  • 脑控技术丛书太赫兹波光子学 英文版

    脑控技术丛书太赫兹波光子学 英文版脑控,太赫兹,电磁波,光子

    标签: 脑控技术 太赫兹 电磁波

    上传时间: 2022-06-08

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  • 激光雷达微弱信号检测电路设计

    激光雷达(Lidar light detection and ranging,光探测和测距的缩写)是利用激光作为探测源的1种探测雷达。与常见的微波雷达所采用的波源微波相比,激光具有单色性好、相干性强、方向性好的特点,而且光波的工作波长与微波相比小3~5个数量级,因而激光雷达有极高的时空分辨力和抗干扰能力。因此,激光雷达在测距、制导、导航、测绘和大气遥感、大气探测等军用、民用领域有非常广阔的发展前景1-1由于激光雷达的波源是激光,所以其回波信号的接收是1个光电转换的过程。激光雷达工作过程中激光源与探测目标、大气的相互作用以散射和吸收为主,十几公里外的回波多则十几少则几个光子,信号非常弱,因此激光雷达微弱信号检测、放大技术是激光雷达的关键技术之.。目前,国内外在激光雷达信号前置放大领域的研究不多,往往是直接应用市场成品于不同的激光雷达,实际使用效果有好有坏。国外研制PMT前置放大器的公司有EMI,PHIL IPS SCIEN-TIFIC等公司,然而,不同的激光雷达,其回波信号和系统参数往往不一样,因此有必要根据实际的激光雷达系统参数对其前置放大器进行优化设计,这样才能更好的对激光雷达信号进行检测放大。

    标签: 激光雷达 微弱信号检测

    上传时间: 2022-06-19

    上传用户:XuVshu

  • GaN基LED材料特性研究及芯片结构设计

    本文在介绍了氮化嫁材料的基本结构特征及物理化学特性之后,从氮化擦的外延结构的属性和氮化擦基高性能芯片设计两个方面对氮化家材料和器件结构展开了讨论。其中材料属性部分,介绍了透射电子显微镜的工作原理及其主要应用范围,然后根据实验分析了TEM图片,包括GaN多量子阱,重点分析了V型缺陷和块状缺陷的高分辨图形,分析了他们对材料属性的影响。然后分析了多种氮化擦样品的光致发光谱和电致发光谱,并解释其光谱蓝移和红移现象。在属性部分最后介绍了基于密度泛函理论和第一性原理的CASTEP程序及其在分析GaN材料属性上的应用。在芯片结构设计部分,本文提出了三种高效率LED芯片的设计结构,分别是基于双光子晶体的LED芯片,基于微球模型的LED芯片,基于激光剥离衬底的大功率LED芯片。涉及到光子晶体理论,蒙特卡罗理论及激光剥离理论,本文分别介绍和分析了各类理论基础,并在此基础上提出新的设计结构,给出仿真分析结果。双光子晶体可以提供较完善的反射层,出射层。微球LED可以利用大尺寸表面结构来大大提高LED芯片的外量子效率。基于激光剥离衬底的大功率LED可以实现较好散热效果和功率。

    标签: led

    上传时间: 2022-06-25

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