平台电脑市场预计将从今年的 5 千万多台，增长到 2016 年的 2 亿多台。尽管如此，现在仍然没有标准的平板电脑架构。例如，一些平板电脑通过单节锂离子电池来供电，而另一些则使用两节锂离子电池。无论使用多少节电池，所有平板电脑制造厂商都想最大化电池使用时间。显示器的背光是平板电脑中最为耗电的系统之一。显示器的尺寸从7 英寸到10 英寸，不一而足。最近发布的平板电脑中，背光LED 的数目范围为20 到36 支。本文将指导读者如何选择最佳的WLED驱动器和LED 串配置，以在不牺牲效率和电池使用时间的情况下满足平板电脑应用要求。
上传时间： 2014-12-24
上传用户：cc1915
TLC2543是TI公司的12位串行模数转换器，使用开关电容逐次逼近技术完成A/D转换过程。由于是串行输入结构，能够节省51系列单片机I/O资源；且价格适中，分辨率较高，因此在仪器仪表中有较为广泛的应用。 TLC2543的特点 （1）12位分辩率A/D转换器； （2）在工作温度范围内10μs转换时间； （3）11个模拟输入通道； （4）3路内置自测试方式； （5）采样率为66kbps； （6）线性误差±1LSBmax； （7）有转换结束输出EOC； （8）具有单、双极性输出； （9）可编程的MSB或LSB前导； （10）可编程输出数据长度。 TLC2543的引脚排列及说明 TLC2543有两种封装形式：DB、DW或N封装以及FN封装，这两种封装的引脚排列如图1，引脚说明见表1 TLC2543电路图和程序欣赏 #include<reg52.h> #include<intrins.h> #define uchar unsigned char #define uint unsigned int sbit clock=P1^0; sbit d_in=P1^1; sbit d_out=P1^2; sbit _cs=P1^3; uchar a1,b1,c1,d1; float sum,sum1; double sum_final1; double sum_final; uchar duan[]={0x3f,0x06,0x5b,0x4f,0x66,0x6d,0x7d,0x07,0x7f,0x6f}; uchar wei[]={0xf7,0xfb,0xfd,0xfe}; void delay(unsigned char b) //50us { unsigned char a; for(;b>0;b--) for(a=22;a>0;a--); } void display(uchar a,uchar b,uchar c,uchar d) { P0=duan[a]|0x80; P2=wei[0]; delay(5); P2=0xff; P0=duan[b]; P2=wei[1]; delay(5); P2=0xff; P0=duan[c]; P2=wei[2]; delay(5); P2=0xff; P0=duan[d]; P2=wei[3]; delay(5); P2=0xff; } uint read(uchar port) { uchar i,al=0,ah=0; unsigned long ad; clock=0; _cs=0; port<<=4; for(i=0;i<4;i++) { d_in=port&0x80; clock=1; clock=0; port<<=1; } d_in=0; for(i=0;i<8;i++) { clock=1; clock=0; } _cs=1; delay(5); _cs=0; for(i=0;i<4;i++) { clock=1; ah<<=1; if(d_out)ah|=0x01; clock=0; } for(i=0;i<8;i++) { clock=1; al<<=1; if(d_out) al|=0x01; clock=0; } _cs=1; ad=(uint)ah; ad<<=8; ad|=al; return(ad); } void main() { uchar j; sum=0;sum1=0; sum_final=0; sum_final1=0; while(1) { for(j=0;j<128;j++) { sum1+=read(1); display(a1,b1,c1,d1); } sum=sum1/128; sum1=0; sum_final1=(sum/4095)*5; sum_final=sum_final1*1000; a1=(int)sum_final/1000; b1=(int)sum_final%1000/100; c1=(int)sum_final%1000%100/10; d1=(int)sum_final%10; display(a1,b1,c1,d1); } }
上传时间： 2013-11-19
上传用户：shen1230
摘要: 串行传输技术具有更高的传输速率和更低的设计成本, 已成为业界首选, 被广泛应用于高速通信领域。提出了一种新的高速串行传输接口的设计方案, 改进了Aurora 协议数据帧格式定义的弊端, 并采用高速串行收发器Rocket I/O, 实现数据率为2.5 Gbps的高速串行传输。关键词: 高速串行传输; Rocket I/O; Aurora 协议 为促使FPGA 芯片与串行传输技术更好地结合以满足市场需求, Xilinx 公司适时推出了内嵌高速串行收发器RocketI/O 的Virtex II Pro 系列FPGA 和可升级的小型链路层协议———Aurora 协议。Rocket I/O支持从622 Mbps 至3.125 Gbps的全双工传输速率, 还具有8 B/10 B 编解码、时钟生成及恢复等功能, 可以理想地适用于芯片之间或背板的高速串行数据传输。Aurora 协议是为专有上层协议或行业标准的上层协议提供透明接口的第一款串行互连协议, 可用于高速线性通路之间的点到点串行数据传输, 同时其可扩展的带宽, 为系统设计人员提供了所需要的灵活性[4]。但该协议帧格式的定义存在弊端,会导致系统资源的浪费。本文提出的设计方案可以改进Aurora 协议的固有缺陷,提高系统性能, 实现数据率为2.5 Gbps 的高速串行传输, 具有良好的可行性和广阔的应用前景。
上传时间： 2013-11-06
上传用户：smallfish
光网络传输基础
上传时间： 2013-11-21
上传用户：菁菁聆听
摘要: 串行传输技术具有更高的传输速率和更低的设计成本, 已成为业界首选, 被广泛应用于高速通信领域。提出了一种新的高速串行传输接口的设计方案, 改进了Aurora 协议数据帧格式定义的弊端, 并采用高速串行收发器Rocket I/O, 实现数据率为2.5 Gbps的高速串行传输。关键词: 高速串行传输; Rocket I/O; Aurora 协议 为促使FPGA 芯片与串行传输技术更好地结合以满足市场需求, Xilinx 公司适时推出了内嵌高速串行收发器RocketI/O 的Virtex II Pro 系列FPGA 和可升级的小型链路层协议———Aurora 协议。Rocket I/O支持从622 Mbps 至3.125 Gbps的全双工传输速率, 还具有8 B/10 B 编解码、时钟生成及恢复等功能, 可以理想地适用于芯片之间或背板的高速串行数据传输。Aurora 协议是为专有上层协议或行业标准的上层协议提供透明接口的第一款串行互连协议, 可用于高速线性通路之间的点到点串行数据传输, 同时其可扩展的带宽, 为系统设计人员提供了所需要的灵活性[4]。但该协议帧格式的定义存在弊端,会导致系统资源的浪费。本文提出的设计方案可以改进Aurora 协议的固有缺陷,提高系统性能, 实现数据率为2.5 Gbps 的高速串行传输, 具有良好的可行性和广阔的应用前景。
上传时间： 2013-10-13
上传用户：lml1234lml
接入网是电信网的重要组成部分。接入网技术的发展，应用和普及令人瞩目，深受世界各国的广泛重视。本书全面介绍了各种接入网技术。全书共分七章，分别介绍了：接入网基本知识、铜线接入技术，电缆调制解调器接入技术，光接入技术，无线接入技术、接入网接口及其协议、接入网网管技术。 在本书的编写过程中，力求做到内容新颖、知识全面、由浅入深、通俗易懂，注重基本概念和基本原理。本书适用于通信工程专业的本科学生和从事相关专业的技术人员使用。
上传时间： 2014-11-27
上传用户：yan2267246
本书是纳米氧化钛光催化材料及应用的一个专著。书中从氧化钛晶体结构和光催化基本原理入手，深入浅出地讨论了纳米氧化钛品晶相、能带结构和谱学特性等多种与材料及光催化活性密切相关的科学问题。用较多篇幅介绍了多种制备氧化钛纳米晶薄膜、介孔材料上修饰氧化认纳米晶、骨架为结晶态的氧化钛及氧化钛复合光催化材料的方法以及如何通过控制合成条件制备高活性氧化钛光催化材料。书中还结合实例介绍了光催化技术及氧化仗光催化材料在污水处理窄气净化、太阳能利用抗菌防雾、自清洁功能等方面的应用技术。本书对从事纳米氧化怯光催化材料制备和应用研究的科技工作者有重要参考价值。
标签： 光催化材料
上传时间： 2022-07-10
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电磁场与微波技术专业主要从事电磁场理论、微波光波技术及其工程应用的研究，包括电磁场理论与应用、光波导理论与技术、微波毫米波技术与系统、微波毫米波集成技术、光波技术及其应用等几个主要研究方向。研究课题主要涉及电磁理论中的辐射与散射、计算电磁学、微波毫米波器件与电路、微波毫米波通信与雷达系统、超宽带（UWB）技术、新型天线技术、复杂目标的散射特性和复杂环境的传播特性、光器件与光传感技术、空间光通信与量子密钥分配技术以及与相关学科交叉的理论与技术等。适合从事微波在介质中的传输，电磁场目标识别、成像，微波波谱理论与技术研究和微波、光纤传感器，微波波谱仪、微波吸收材料的开发研制的工程人员学习。
上传时间： 2022-07-17
上传用户：得之我幸78
半导体切片 保存到我的百度网盘 下载 芯片封装详细图解.ppt 5.1M2019-10-08 11:29 切片机张刀对切片质量的影响-45所.doc 152KB2019-10-08 11:29 内圆切片机设计.pdf 1.3M2019-10-08 11:29 厚硅片的高速激光切片研究.pdf 931KB2019-10-08 11:29 多晶硅片生产工艺介绍.ppt 7M2019-10-08 11:29 第四章半导体集成电路(最终版).ppt 9.7M2019-10-08 11:29 第三章-半导体晶体的切割及磨削加工.pdf 2.3M2019-10-08 11:29 第2章--半导体材料.ppt 2.2M2019-10-08 11:29 冰冻切片的制备.docx 23KB2019-10-08 11:29 半导体芯片制造技术4.ppt 1.2M2019-10-08 11:29 半导体全制程介绍.doc 728KB2019-10-08 11:29 半导体晶圆切割.docx 21KB2019-10-08 11:29 半导体晶圆切割 - 副本.docx 21KB2019-10-08 11:29 半导体晶片加工.ppt 20KB2019-10-08 11:29 半导体工艺技术.ppt 6.4M2019-10-08 11:29 半导体工业简介-简体中文...ppt 半导体清洗 新型半导体清洗剂的清洗工艺.pdf 230KB2019-10-08 11:29 向65nm工艺提升中的半导体清洗技术.pdf 197KB2019-10-08 11:29 硅研磨片超声波清洗技术的研究.pdf 317KB2019-10-08 11:29 第4章-半导体制造中的沾污控制.ppt 5.3M2019-10-08 11:29 半导体制造工艺第3章-清-洗-工-艺.ppt 841KB2019-10-08 11:29 半导体制程培训清洗.pptx.ppt 14.5M2019-10-08 11:29 半导体制程RCA清洗IC.ppt 19.7M2019-10-08 11:29 半导体清洗技术面临变革.pdf 20KB2019-10-08 11:29 半导体晶圆自动清洗设备.pdf 972KB2019-10-08 11:29 半导体晶圆的污染杂质及清洗技术.pdf 412KB2019-10-08 11:29 半导体工艺-晶圆清洗.doc 44KB2019-10-08 11:29 半导体第五讲硅片清洗(4课时).ppt 5.1M2019-10-08 11:29 半导体IC清洗技术.pdf 52KB2019-10-08 11:29 半导体IC清洗技术.doc 半导体抛光 直径12英寸硅单晶抛光片-.pdf 57KB2019-10-08 11:29 抛光技术及抛光液.docx 16KB2019-10-08 11:29 化学机械抛光液(CMP)氧化铝抛光液具.doc 114KB2019-10-08 11:29 化学机械抛光技术及SiO2抛光浆料研究进展.pdf 447KB2019-10-08 11:29 化学机械抛光CMP技术的发展应用及存在问题.pdf 104KB2019-10-08 11:29 硅片腐蚀和抛光工艺的化学原理.doc 29KB2019-10-08 11:29 硅抛光片-CMP-市场和技术现状-张志坚.pdf 350KB2019-10-08 11:29 表面活性剂在半导体硅材料加工技术中的应用.pdf 166KB2019-10-08 11:29 半导体制程培训CMP和蚀刻.pptx.ppt 6.2M2019-10-08 11:29 半导体工艺化学.ppt 18.7M2019-10-08 11:29 半导体工艺.ppt 943KB2019-10-08 11:29 半导体单晶抛光片清洗工艺分析.pdf 88KB2019-10-08 11:29 半导体-第十四讲-CMP.ppt 732KB2019-10-08 11:29 666化学机械抛光技术的研究进展.pdf 736KB2019-10-08 11:29 6-英寸重掺砷硅单晶及抛光片.pdf 205KB2019-10-08 11:29 300mm硅单晶及抛光片标准.pdf 半导体研磨 半导体制造工艺第10章-平-坦-化.ppt 2M2019-10-08 11:29 半导体晶圆的生产工艺流程介绍.docx 18KB2019-10-08 11:29 半导体硅材料研磨液研究进展.pdf 321KB2019-10-08 11:29 半导体封装制程及其设备介绍.ppt 6.7M2019-10-08 11:29 半导体IC工艺流程.doc 81KB2019-10-08 11:29 半导体CMP工艺介绍.ppt 623KB2019-10-08 11:29 半导体-第十六讲-新型封装.ppt 18.5M2019-10-08 11:29 Semiconductor-半导体基础知识.pdf
上传时间： 2013-06-14
上传用户：eeworm
随着电力电子技术的发展，高压换流设备在工业应用中日益广泛。其核心元件晶闸管（SCR）的电压与电流越来越高（已达到10KV/10KA以上），应用场合要求也越来越高。在国际上，晶闸管的光控技术发展日益成熟。根据对国内晶闸管技术发展前景和需求的展望，本文采用自供电驱动技术与光控技术相结合，研发光控自供电晶闸管驱动控制板，然后与晶闸管本体相结合即形成光控晶闸管工程化实现模型，其可作为光控晶闸管的替代技术。 在工程应用中，光控晶闸管的典型应用场合为四象限高压变频器和国家大型直流输变电系统等。随着国家节能工程的实施，高压变频器的应用范围越来越广泛，已成为工业节能中的重要环节。高压直流换流系统难度大，技术复杂，要求高，本论文研究的光控晶闸管替代技术只作为其储备技术之一。本论文以电流源型高压变频器作为该光控晶闸管替代技术的应用背景重点阐述。 电流源型高压变频器为了提高单机容量，通常是数个SCR串联使用。随着系统容量越来越大，装置对高压开关器件的要求也越来越高。如果一组串联SCR中某一个SCR该导通时没有导通，那么加在该组SCR上的电压都将加到该SCR上形成过电压，造成该器件的击穿损坏，甚至于一组串联SCR都被烧坏。为了克服上述问题，保证高压变频器中串联晶闸管能够安全可靠的工作，提高系统可靠性，有必要为晶闸管配备后备驱动系统。本文提出了给SCR驱动电路增设自供电驱动系统——SPDS （Self—Powered Drive System）的解决办法。SPDS基本功能是通过高位取能电路利用RC缓冲电路中的能量为监测电路和后备触发电路提供正常工作所需要的能量。它的优点是由于缓冲电路与晶闸管同电位，自供电驱动系统要求的电压隔离水平可以从几千伏降低到几百伏，节省了高压隔离变压器，节省了成本和体积，提高了系统可靠性。国外对相关内容已经有了深入研究，并将其应用在高压变频器产品中。在国内，目前还没有查到相关文献。本文为基于晶闸管的电流源型高压变频器设计了一种高压晶闸管自供电驱动系统，填补了国内空白，为自供电驱动系统的推广应用和其他高压开关器件自供电驱动系统的研制提供了参考。 本文详细介绍了串联高压晶闸管驱动系统的要求和RC缓冲电路的工作特 点，进而提出了SPDS的工作原理和具体实现方式，阐述了SPDS各部分组成及其功能。SPDS的核心技术是取能回路和触发方式的设计。本文在比较各种高压取能方式和触发方式优缺点的基础上，选择采用RC缓冲取能方式和光纤触发方式。 论文基于Multisim10仿真软件，结合高压晶闸管自供电驱动系统取能电路的原理，对高压晶闸管自供电驱动系统的核心部分——SPDS取能电路进行了仿真。通过搭建带SPDS取能电路的单相晶闸管仿真电路和电流源型高压变频器前侧变流电路的仿真模型，详细讨论了影响RC取能回路正常工作的各种因素。同时，通过设定仿真电路的参数，分析了其工作状况。根据得到的仿真波形图，证明了高压晶闸管自供电驱动系统可以达到有效触发晶闸管导通的设计目标，具有可行性。 为考察SPDS的实际工作性能，本文搭建了简易的SPDS低压硬件实验平台，为其高压条件下的工程化应用打好了基础。 在论文的最后，对高压晶闸管自供电驱动系统的发展方向进行了展望。 关键词：高压变频器；晶闸管驱动；自供电系统；高压换流；光控晶闸管
上传时间： 2013-05-26
上传用户：riiqg1989
